IGBT米勒平台产生原因

2024-05-14 14:30:28

IGBT米勒平台产生原因

我们在使用IGBT的时候，可以从手册中得到IGBT栅极的充电特性，但是栅极的充电特性在中间一部分会出现一个平台电压，影响着IGBT的动态性能，这是为什么呢？

IGBT的等效电路

IGBT可以看做是一个MOSFET和一个BJT组成的达林顿结构，如图所示

其中栅-源极间电容为CGS，栅-漏极间电容（反馈电容）CGD 由交叠氧化电容COXD 以及耗尽层电容CGDJ 串联构成，其中CGS、COXD 都为固定值，而CGDJ随耗尽层宽度即外加电压的大小而变化，其表达式为：

可以看到，耗尽层电容的大小随外加电压V的减小而增大。充电曲线如下图所示：

VGS分为三段，第一段上升主要是IG对CGS进行充电，使得栅极电压上升，因为此时由公式1可以得到CGDJ容值远小于COXD，由于两个电容是串联，因此等效电容CGD很小，导致IG主要是给CGS充电。
到了第二个阶段，mosfet导电沟道慢慢形成，但是由于此时没有完全导通，ID的值基本不变，此时相当于电流钳位住VGS，使得VGS的电压也保持不变。因为VGS与ID之间存在一个可以认为为恒定值的跨导g。此阶段CGDJ迅速增大，导致CGD的容值也迅速增大，IG实际上给CGD充电。
第三个阶段，CGD≈COXD，此阶段IG同时给CGS和CGD充电，使得VGS上升。
值得一提的是，在这个过程中，IG给CGD充电，严格意义上说应该是CGD通过栅电流IG放电，使得漏极电压下降。

参考文献：[1]唐勇,胡安,陈明.IGBT栅极特性与参数提取[J].电工技术学报,2009,24(07):76-80.

IGBT米勒平台产生原因相关推荐

对米勒平台震荡的认识
功率器件的开关过程是一个复杂的过程,无论是MOS还是IGBT,在使用中或多或少都会遇到震荡现象.有一篇论文对此做了一些研究,建议阅读一下.MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制.pdf 总结说 ...
MOS管和电机驱动（一）：MOS管的栅极电阻和GS电阻米勒效应与米勒平台
注:本系列需要一定的模拟电路基础 MOS管,又叫绝缘栅型场效应管,属于电压控制电流型元件,是开关电路中的基本元件.其特点是栅极(G)的内阻极高.场效应管分为P型和N型,P型场效应管由于跨导小.阈值电压 ...
solaris安装java_Solaris是出色的Java开发平台的原因
solaris安装java 几天前,我发布了" OpenSolaris的死亡:为Java开发人员选择操作系统 ",其中我说Solaris是Java开发人员的绝佳平台. 这篇文章的重 ...
Solaris是出色的Java开发平台的原因
几天前,我发布了" OpenSolaris的死亡:为Java开发人员选择操作系统 ",其中我说Solaris是Java开发人员的绝佳平台. 这篇文章的重点只是想知道自OpenSol ...
MOS管开启过程中VGS的台阶——米勒平台？
MOS管开启过程中VGS的台阶--米勒平台? 米勒平台 1.首先是MOS管 2.MOS管特性(NMOS的) 3.开启过程 4.米勒效应最近突然发现一个现象,NMOS管开启过程中,VGS的上升沿波形有 ...
普通变换器驱动波形和软开关驱动波形的区别：米勒平台的存在与否
普通变换器的驱动波形普通变换器以反激变换器为例,这种驱动波形就是我们熟知的那种形态. 1.MOS的等效电路图如下所示: 2.MOS的开关波形(Vds.Vgs.Id)如下所示: 可知存在米勒平台,关断 ...
我想这就是我选择模板自助建站平台的原因
伴随着低代码.无代码技术的出现,自助建站平台再次受到关注,只要会打字就能建站,面向小白的模板自助建站平台何尝又不是低代码.无代码技术呢?并且随着技术的革新,模板建站提供的模板不仅跨屏自适应,而且也更加 ...
MOSFET米勒平台（Miller Plateau）
1.MOSFET寄生电容 Ciss = Cgs + Cgd Coss = Cds + Cgd Crss = Cgd 2.米勒平台下图中t2~t3这段时间,VGS处于一个平台位置,这个平台称作米勒平台 ...
开发在线教育直播平台的原因以及好处
受到疫情复发的影响,如今广州的线下教培机构大多已经暂停线下教学了.不少吸取上一年教训的教培机构早已开展了线上教学,而这需要直播平台的支持.那么为什么要开发线上直播平台呢?有什么好处吗?下面我们一起来看 ...

最新文章

热门文章