《炬丰科技-半导体工艺》清洗含有介电膜的半导体晶片的方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：清洗含有介电膜的半导体晶片的方法

编号：JFKJ-21-295

作者：炬丰科技

用于清洁半导体晶圆片表面的方法在其上除去有机电介质残留的浆液颗粒粘附在晶圆表面后提供化学-机械平化。半导体要经过CMP后的逐级清洗在物体表面施加机械摩擦力硅片同时应用于硅片表面和一段时间内pH值大于10的水溶液需要足够的时间来湿润和清洁晶圆片表面由表面活性剂和四环素组成的碱性水溶液烷。

清洗方法

本发明涉及一种用于清洗的方法含有有机化合物的半导体晶圆的表面......

发明背景

自多层金属化作为一种集成电路互连方案，已经有了广泛的技术关注和开发。可靠金属间化合物的周围沉积和表征介电层。

发明摘要

本发明的发现是肯定无疑的，取代季铵盐离子种类比较多适用于半导体的清洗和清洗晶圆衬底表面有介电膜涂层。已经发现有机化合物取代的铵离子种类在后期是相容的。更确切地说，人们发现了四环素烷基取代季铵盐离子。

详细描述发明

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