模拟电子基础之(一)半导体基础知识
目录
半导体的特性
本征半导体
杂质半导体
N型半导体(negative)
P型半导体(positive)
半导体的特性
1、热敏特性
半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗,湿度每升高10度,它的电阻率就要减小到原来的1/2。温度的细微变化,能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。利用半导体的热敏特性,可以制作感温元件——热敏电阻,用于温度测量和控制系统中。各种半导体器件都因存在着热敏特性,在环境温度变化时影响其工作的稳定性。
2、光敏特性
半导体的电阻率对光的变化十分敏感。有光照时、电阻率很小;无光照时,电阻率很大。例如,常用的硫化镉光敏电阻,在没有光照时,电阻高达几十兆欧姆,受到光照时.电阻一下子降到几十千欧姆,电阻值改变了上千倍。利用半导体的光敏特性,制作出多种类型的光电器件,如光电二极管、光电三极管及硅光电池等。广泛应用在自动控制和无线电技术中。
3、掺杂特性
在纯净的半导体中,掺人极微量的杂质元素,就会使它的电阻率发生极大的变化。例如.在纯硅中掺人。百万分之—的硼元素,其电阻率就会从214000Ω·cm一下于减小到0.4Ω·cm.也就是硅的导电能为提高了50多万倍。通过掺入某些特定的杂质元素,人为地精确地控制半导体的导电能力,制造成不同类型的半导体器件。几乎所有的半导体器件,都是用掺有特定杂质的半导体材料制成的。
本征半导体
指化学成分纯净的半导体,物理结构上有多晶体和单晶体两种形态,制造半导体器件必须使用单晶体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”(9N)。
典型的本征半导体:硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等。
缺点:电子浓度=空穴浓度,载流子少,导电性差,温度稳定性差。
外电场作用下,产生电流——电子流,空穴流。、
杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素 作为杂质,掺入的杂质主要是三价或五价元素。. 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
物理学规定空穴带正电,电子带负电。根据英文positive和negative和某型半导体中多子的电性(主要参与导电的叫多子),取为P和N型半导体。
杂质型半导体中,多子浓度比本征半导体的浓度大得多,而少子浓度比本征半导体的浓度小得多,但两者乘积保持不变,并等于ni2 。
N型半导体(negative)
N型半导体是掺VA族元素(如 P,As,Sb),即五价元素,电子是其导电的主要载流子。杂原子与半导体Si成键后,五个电子中会有一个电子不受共价键束缚,形成自由电子,自由电子在电场作用下会“四处移动”,参与导电。
多子是自由电子,由杂质离子提供;少子是空穴,由热(温度)激发。
P型半导体(positive)
P型半导体是掺IIIA族元素(如,B,In),即五价元素,空穴是其导电的主要载流子。与半导体Si形成共价键结构时,外围只有三个电子,留下了一个空缺,即空穴。空穴会吸引自由电子过来“入住”,所以参与导电的是空穴。当空穴被其他邻近的电子补上时,补位的电子原先的位置留下新的空穴,这个空穴的转移可视为正电荷的运动,成为能够导电的载流子。
多子是空穴,少子是自由电子。
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