[渝粤教育] 西北工业大学模拟电子技术基础参考资料

教育
-模拟电子技术基础-章节资料考试资料-西北工业大学【】
常用半导体器件原理
1、【单选题】N型半导体是在纯净半导体中掺入____；
A、带正电的离子
B、三价元素，如硼等
C、五价元素，如磷等
D、带负电的电子
参考资料【】
2、【单选题】用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/80141E7E68C11EB921A96D213E576884.png?imageView
A、放大
B、饱和
C、截止
D、损坏
参考资料【】
3、【单选题】用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/FD65FCFD5DC12F652A8B7C330CAE0A35.png?imageView
A、放大
B、截止
C、饱和
D、损坏
参考资料【】
4、【单选题】图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
A、N沟道结型
B、N沟增强型MOS
C、N沟耗尽型MOS
D、P沟耗尽型MOS
参考资料【】
5、【单选题】图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
A、N沟道结型
B、P沟道结型
C、N沟道绝缘栅型增强型MOS
D、P沟道绝缘栅型耗尽型MOS
参考资料【】
6、【单选题】图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/19DEE148BC4BD407D2D96E2A4712D760.png?imageView
A、P沟道结型
B、N沟道结型
C、P沟道耗尽型MOS
D、P沟道增强型MOS
参考资料【】
7、【单选题】晶体管工作在放大区时，发射结为____
A、正向偏置
B、反向偏置
C、零偏置
D、无
参考资料【】
8、【单选题】晶体管工作在饱和区时，集电结为____
A、零偏置
B、正向偏置
C、反向偏置
D、无
参考资料【】
9、【单选题】用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/8A086E320E87E38E7843EB8C0A77B180.png?imageView
A、放大
B、截止
C、饱和
D、损坏
参考资料【】
10、【单选题】用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/FE9D02689B3E677389F3FC17DDC32084.png?imageView
A、饱和
B、放大
C、截止
D、损坏
参考资料【】
11、【单选题】用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/D1FA9CD05542A8828DA1DD16146558A9.png?imageView
A、饱和
B、截止
C、损坏）
D、放大
参考资料【】
12、【单选题】在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____
A、温度
B、杂质浓度
C、掺杂工艺
D、无
参考资料【】
13、【单选题】电路如图所示，ui=0.1sinwt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管rd的动态电阻将____。
A、保持不变
B、增大
C、减小
D、无
参考资料【】
14、【单选题】随着温度升高，晶体管的共射输出特性曲线将___
A、上移
B、下移
C、左移
D、右移
参考资料【】
15、【单选题】在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、无
参考资料【】
16、【单选题】设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态
A、饱和
B、截止
C、放大
D、倒置
参考资料【】
17、【单选题】在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于____
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、无
参考资料【】
18、【单选题】电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确资料填空。UDC＝0V，波形如图____所示。
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
19、【单选题】场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____
A、大
B、小
C、相等
D、无
参考资料【】
20、【单选题】在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。电极①是____
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、漏极
参考资料【】
21、【单选题】设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/536A95553A1897C41EDE00DBC36F65DA.png?imageView
A、截止
B、饱和
C、放大
D、倒置
参考资料【】
22、【单选题】在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；
A、不变
B、减小
C、增大
D、无
参考资料【】
23、【单选题】在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。
A、减小
B、增大
C、不变）
D、无
参考资料【】
24、【单选题】电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确资料填空。UDC＝-10V，波形如图____所示。
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
25、【单选题】电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确资料填空。UDC＝10V，波形如图____所示。
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
26、【判断题】稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态，它不允许工作在正向导通状态
A、正确
B、错误
参考资料【】
27、【判断题】P型半导体带正电，N型半导体带负电。
A、正确
B、错误
参考资料【】
28、【判断题】场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。
A、正确
B、错误
参考资料【】
29、【判断题】在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（）
A、正确
B、错误
参考资料【】
30、【判断题】PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
A、正确
B、错误
参考资料【】
31、【判断题】PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。
A、正确
B、错误
参考资料【】
32、【判断题】掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。
A、正确
B、错误
参考资料【】
33、【判断题】本征半导体在温度升高后，自由电子和空穴数目都增加，但增量相同。
A、正确
B、错误
参考资料【】
34、【判断题】小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换
A、正确
B、错误
参考资料【】
35、【判断题】双极型晶体管具有NPN或PNP对称结构，所以发射极和集电极也可以互换
A、正确
B、错误
参考资料【】
36、【判断题】场效应晶体管是电压控制电流器件
A、正确
B、错误
参考资料【】
37、【判断题】单极型晶体管交流输入电阻只和交流参数有关和直流参数无关
A、正确
B、错误
参考资料【】
38、【判断题】锗管PNP管工作在放大状态时其集电结直流偏置电压大于0
A、正确
B、错误
参考资料【】
39、【判断题】锗管PNP管工作在饱和状态时，其集电结直流偏置电压大于0
A、正确
B、错误
参考资料【】
40、【判断题】 N沟道场效应管是靠空穴导电的
A、正确
B、错误
参考资料【】
41、【判断题】P沟道场效应管是靠空穴导电的
A、正确
B、错误
参考资料【】
42、【判断题】场效应管的电流放大系数是gm
A、正确
B、错误
参考资料【】
第三章晶体三极管和场效应三极管及放大电路基础单元测试
1、【单选题】共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望带负载能力强，应选用___
A、共基组态
B、共集组态
C、共射组态
D、无
参考资料【】
2、【单选题】在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望从信号源索取电流小，应选用____
A、共射组态
B、共集组态
C、共基组态
D、无
参考资料【】
3、【单选题】共射、共基、共集三种基本放大电路组态中希望即能放大电压，又能放大电流，应选用____；
A、共基组态
B、共射组态
C、共集组态
D、无
参考资料【】
4、【单选题】共射、共基、共集三种基本放大电路组态中希望高频响应性能好，应选用____。
A、共射组态
B、共集组态
C、共基组态
D、无
参考资料【】
5、【单选题】如下图，不用计算可以粗略估计电路（1）的输入电阻约为____
A、1M
B、100k
C、3k
D、100
参考资料【】
6、【单选题】如下图，不用计算可以粗略估计电路（2）的输入电阻约为____，
A、1M
B、100k
C、3k
D、100
参考资料【】
7、【单选题】如下图，不用计算可以粗略估计电路（3）的输入电阻约为____
A、1M
B、100k
C、3k
D、100
参考资料【】
8、【单选题】对于1kHz正弦输入信号，图中哪些电路的电压放大倍数绝对值能大于1？（不必计算具体的数值，设晶体管）
A、（a），（b）
B、（a），（d）
C、（b），（d）
D、（a），（c）
参考资料【】
9、【单选题】对于1kHz正弦输入信号，图中哪些电路的电压放大倍数绝对值能小于1？（不必计算具体的数值，设晶体管）<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/7BF96B4FC683D554EE2B450CBA9C7B07.jpg?imageView
A、（a），（b）
B、（c），（b）
C、（d），（b）
D、（d），（a）
参考资料【】
10、【单选题】共基放大电路及其交流等效电路如图所示。在下面几种求输入电阻的公式中，哪个是正确的？（电容的容抗可忽略不计）
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
11、【单选题】选择正确图号，用a、b、c、d填空，具有同相放大能力的电路有____；
A、a, b
B、b, d
C、b, c
D、a, c
参考资料【】
12、【单选题】选择正确图号，用a、b、c、d填空,具有反相放大能力的电路有____；
A、a
B、a, c
C、a, b
D、c, b
参考资料【】
13、【单选题】已知图（a)的电路的幅频响应特性如图（b）所示。选择正确资料，影响fL大小的因素是____，影响fH大小的因素是____。
A、晶体管极间电容，晶体管的非线性特性
B、晶体管极间电容，耦合电容
C、耦合电容，晶体管极间电容
D、晶体管的非线性特性，耦合电容
参考资料【】
14、【单选题】电路如图所示，调整Rb,使得UCEQ=6V，判断以下说法的正误，随正弦输入信号幅度增大，输出电压
A、首先出现顶部削平失真
B、首先出现底部削平失真
C、同时发生顶部和底部削平失真
D、无
参考资料【】
15、【单选题】电路如图所示，调整Rb,使得UCEQ=6V，判断以下说法的正误，随正弦输入信号幅度增大，输出电压
A、首先出现截止失真
B、首先出现饱和失真
C、饱和失真，截止失真同时出现
D、无
参考资料【】
16、【单选题】要求输入电阻大于 10MΩ，电压放大倍数大于 300，第一级应采用( )电路，第二级应采用（）电路
A、共射电路，共集电路
B、共源电路，共射电路
C、共集电路，共射电路
D、共漏电路，共射电路
参考资料【】
17、【判断题】为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的基、射极之间和场效应管的栅、源极之间都应加上正向偏置电压（）。
A、正确
B、错误
参考资料【】
18、【判断题】直流放大器必须采用直接耦合方式（），所以它无法放大交流信号（）
A、正确
B、错误
参考资料【】
19、【判断题】组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含直流电源,对于双极型晶体管放大电路来说，发射结必须加上正向偏置，集电结必须加上反向偏置，所以基极电源应为正电源，集电极电源应为负电源（）。
A、正确
B、错误
参考资料【】
20、【判断题】图示放大电路具备以下特点：电压放大倍数接近于1，与晶体管的大小关系不大；
A、正确
B、错误
参考资料【】
21、【判断题】图示放大电路具备以下特点：输入电阻比5.1k大得多；
A、正确
B、错误
参考资料【】
22、【判断题】图示放大电路具备以下特点：输出电阻随晶体管的增大而增大。
A、正确
B、错误
参考资料【】
23、【判断题】图示放大电路具备以下特点：电压放大倍数接近于1，负载是否接通关系不大；
A、正确
B、错误
参考资料【】
24、【判断题】晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关
A、正确
B、错误
参考资料【】
25、【判断题】放大电路的非线性失真表现为输入某一频率正弦信号时，输出信号中出现一定量的谐波成分。
A、正确
B、错误
参考资料【】
26、【判断题】当放大电路的输入端接上一个线性度良好的三角波信号时，输出三角波的线性不好，可以肯定该放大电路存在非线性失真。
A、正确
B、错误
参考资料【】
27、【判断题】某扩音器的高音不丰富，主要是因为其放大电路的非线性失真大
A、正确
B、错误
参考资料【】
28、【判断题】某扩音器的高音不丰富，主要是因为其放大电路的通频带窄。
A、正确
B、错误
参考资料【】
29、【判断题】在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降，输出电阻也减小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
30、【判断题】MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大
A、正确
B、错误
参考资料【】
31、【判断题】欲使多级放大电路易于集成化，只能采用直接耦合方式。
A、正确
B、错误
参考资料【】
32、【判断题】放大电路的放大倍数是指输出与输入之间的变化量之比，因此它与静态工作点无关。
A、正确
B、错误
参考资料【】
33、【判断题】直接耦合多级放大电路各级的 Q 点相互影响，它只能放大直流信号。
A、正确
B、错误
参考资料【】

[渝粤教育] 西北工业大学模拟电子技术基础参考资料相关推荐

[渝粤教育] 华中科技大学模拟电子技术基础参考资料
教育 -模拟电子技术基础-章节资料考试资料-华中科技大学[] 绪论测验题 1.[单选题]当输入信号频率为fL或fH时,放大电路电压增益的幅值约下降为通带内水平增益的 . A.0.5倍 B.0.7倍 C ...
[渝粤教育] 沈阳工业大学模拟电子技术参考资料
教育 -模拟电子技术-章节资料考试资料-沈阳工业大学[] 第一周作业第一周单元测验 1.[单选题]在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体. A.五价 B.四价 C.三价 D.二价参考资料[ ...
[渝粤教育] 四川大学模拟电子技术基础(Ⅰ) 参考资料
教育 -模拟电子技术基础(Ⅰ)-章节资料考试资料-四川大学[] 二极管及其基本电路测验题 1.[单选题]N型半导体中的多数载流子是 ,而P型半导体中的多数载流子是 . A.自由电子,空穴 B.空穴,自 ...
[渝粤教育] 西华大学模拟电子技术基础参考资料
教育 -模拟电子技术基础-章节资料考试资料-西华大学[] 二极管作业二极管章节测试题 1.[单选题]二极管的重要特点之一为( ) A.单向导通性 B.不导电 C.导电性能强 D.导电性能一般参考资 ...
[渝粤教育] 西南石油大学数据库原理及应用参考资料
教育 -数据库原理及应用-章节资料考试资料-西南石油大学[] SPOC-第1章单元测验 1.[单选题]DB.DBMS和DBS三者之间的关系是( ). A.DB包括DBMS和DBS B.DBS包括DB ...
[渝粤教育] 南京信息职业技术学院电工电子技术基础参考资料
教育 -电工电子技术基础-章节资料考试资料-南京信息职业技术学院[] [谈一谈]我希望从这门课中学到什么? [猜猜看]谁会和我一起学习? 1.[多选题]你认为,在该课程中,大家主要基于什么原因前来选修 ...
[渝粤教育] 郑州航空工业管理学院电工电子技术基础参考资料
教育 -电工电子技术基础-章节资料考试资料-郑州航空工业管理学院[] 小节测试 1.[判断题]任何一个完整的电路都必须有电源.负载和中间环节三个基本部分组成. A.正确 B.错误参考资料[ ] 2. ...
[渝粤教育] 西北工业大学机械制图参考资料
教育 -机械制图-章节资料考试资料-西北工业大学[] 第一周单元作业第一周单元测验 1.[单选题]关于三面投影体系,下面描述正确的是( ). A.三个投影面的交线称为坐标轴.‍ B.水平投影面用字母 ...
[渝粤教育] 西北工业大学机械原理参考资料
教育 -机械原理-章节资料考试资料-西北工业大学[] 第一周单元测验 1.[单选题]手机属于. A.机械 B.机构 C.机器 D.即不属机构,也不属机器参考资料[ ] 2.[单选题]下列常用装置哪些 ...

[渝粤教育] 西北工业大学模拟电子技术基础参考资料

[渝粤教育] 西北工业大学模拟电子技术基础参考资料相关推荐

最新文章

热门文章

[渝粤教育] 西北工业大学 模拟电子技术基础 参考 资料

[渝粤教育] 西北工业大学 模拟电子技术基础 参考 资料相关推荐

最新文章

热门文章

[渝粤教育] 西北工业大学模拟电子技术基础参考资料

[渝粤教育] 西北工业大学模拟电子技术基础参考资料相关推荐