量子阱霍尔效应传感器（量子霍尔传感器）

AHS量子霍尔传感器，也叫量子阱霍尔传感器，利用分子束外延技术制造薄膜晶片，以及量子阱霍尔效应（QWHE）设计，这使得量子霍尔传感器具备其他霍尔传感器所不具有的优良特征。

AHS是英国曼切斯特大学创始人Mohamed Missous，英国皇家工程院院士、曼彻斯特大学教授孵化，教授专注于研究利用砷化镓中的量子阱霍尔效应磁传感技术。中科院一开始研究的是方势阱技术，后发现量子阱二维平面捕捉电子的能力更强。

AHS量子霍尔传感器优势：

1、量子阱技术

2、以砷化镓为基底，利用分子束外延技术制造薄膜复合技术和器件设计和加工等方面所积累的大量专业知识，一体化的产品加工，让传感器的性能更优。“二维电子气 (2-DEG)”薄膜，这种结构由 III-V 族化合物制成，具有比coms硅、GaAs、InAs 或 InSb 霍尔效应器件和磁电阻器更出色的特性。可以通过“带隙工作”控制原子的比例。

两个优势的结合，能让量子霍尔传感器相比SI基霍尔传感器工作温度更广，约为200℃；比InAs 或 InSb霍尔效应器件检测磁场为范围更宽，约为20nT-2T；工作频率更宽，适合波动范围的磁场，DC-6MHZ。

“二维电子气 (2-DEG)”技术目前在国内仅能做为学术上研究，其制作工艺复杂，理论知识深厚。

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