一、二极管

1、伏安特性曲线

正向偏置的时候，硅管的导通电压为0.7V。图中，0<U<0.7V时，电流I近似为0mA，视为截止，U>0.7V时，电流I可趋向于无穷，此时二极管除了0.7V的压降外，与导线无差别。
反向偏置的时候，二极管的反向击穿电压为UBR，反向击穿电压没有定数，视具体情况而定。图中，UBR<U<0V时，电流I近似为0mA，视为截止，U<UBR时，二极管被击穿，如果不加限流措施，二极管有可能永久损坏。

2、开关特性

二极管导通时候相当于开关闭合（电路接通），截止时候相当于开关打开（电路切断），基于此，二极管可以作为电路中的开关。
开通时间：二极管从截止到导通的时候。
反向恢复时间：二极管从导通到截止的时候。
开关时间=开通时间+反向恢复时间≈反向恢复时间（开通时间＜反向恢复时间）

3、主要参数

1）最大整流电流IOM（mA）

二极管能长期正常工作时的最大正向电流，通过二极管的电流长时间超过此电流，二级会被烧坏。
2）最高反向工作电压
二极管工作时候允许外加的最大反向点阿姨，为UBR的一半，是个瞬时值，超过此值，二极管可能会因为反向击穿而损坏。
3）最大反向电流
这是一个技术指标，外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流，如上，也不能太大。
4）最高工作频率
高工作频率是二极管工作的上限频率，最高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。

二、三极管（BJT）

1、伏安特性曲线

伏安特性：
三极管各电极电流和级间电压的关系。
三极管的伏安特性曲线包括：
输入特性曲线和输出特性曲线，三极管不同的连接方式就有不同的特性曲线。共有三种组态：
共发射极电路：
输入端是基级和发射级，输出端是集电极和发射级。
共集电极电路：
输入端是基级和集电极，输出端是集电极和发射级。
共基级电路：
输入端是基级和发射级，输出端是集电极和基级。
（盗图可耻，画图我懒，大家翻书吧，下面的场效应管也是如此）

2、开关特性

避开放大区，直接让三极管在饱和区和截止区来回切换，达到开关的作用。
截止区：E结反偏，C结反偏。
放大区：E结正偏，C结反偏。
饱和区：E结正偏，C结正偏。

3、主要参数

1）静态工作点Q
UBQ、UCEQ、ICQ
2）放大倍数β
IC＝β*IB
3）最大集电极电流ICM
4）最大管耗PCM
5）CE间击穿电压U(br)CEO

4、公式

rbe=rbb’+(1+β)(26/ICQ)

三、场效应管

1、场效应管和三极管的主要区别

场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻
场效应管是单极型器件（三极管是双极型）
场效应管受温度影响小（只有多子漂移运动形成的电流）

2、场效应管按结构分为以下几种

1）N沟道耗尽型场效应管（DMOS）
2）P沟道耗尽型场效应管（DMOS）
3）N沟道增强型场效应管（EMOS）
4）P沟道增强型场效应管（EMOS）
5）N沟道结型场效应管（JFET）
6）P沟道结型场效应管（JFET）
PS:沟道是指载流子流通的渠道、路径。N沟道VDS＞0V，P沟道VDS＜0V

3、转移特性：

ID≈IDSS（1-VGS/VGS(off)）²
gm＝上式对VGS求导

模电总结一：半导体器件概述相关推荐

（十三）【模电】（多级放大电路）集成运算放大电路概述
[模电专栏] 文章目录 A 集成运算放大电路概述 A.a 集成运放的电路结构特点 A.b 集成运放的组成和各部分的作用 A.c 集成运放的电压传输特性 A.d 集成运放的主要性能指标 A 集成运算放大 ...
半导体器件基础（期末模电速成）
目录 1.半导体分类 2.PN结 3.二极管 4.稳压二极管 5.三极管 6.场效应管 1.半导体分类 2.PN结 3.二极管伏安特性: 我们第七版模电书上给的正向导通压降分别约为0.7和0.2V, ...
芯片系统分级-模电基础
芯片系统分级转载:http://www.elecfans.com/baike/bandaoti/20180718711930.html (1)系统级以手机为例,整个手机是一个复杂的电路系统,它可以玩 ...
为什么我那么努力，模电还是学不懂？
关注.星标公众号,直达精彩内容整理:电子电路模电想必是近来小伙伴们很头疼的一门课程了. 小编结合自己的感受用一句话形容一下: "老师说第一遍不懂,第二遍还是不懂,第三遍还是不懂.&quo ...
模电学习心得（转载）_史蒂文森sun_新浪博客
个人建议:认真分析几个典型电路,主要掌握晶体管的等效模型,以及在电路中怎么等效.其他的都很容易解决了.只要会等效了,模电就是完全是电路的内容.其实一点都不可怕,开始不要太关注乱七八糟的内容,抓住主要的 ...
总结几点学习模电难的原因
http://www.elecfans.com/d/1472209.html 模电想必是近来小伙伴们很头疼的一门课程了. 小编结合自己的感受用一句话形容一下:"老师说第一遍不懂,第二遍还是不 ...
为什么模电这么难学？一文带你透彻理解模电
想必模电就是小伙伴们非常头疼的一门课程,最深刻的感受莫过于就是"老师说第一遍不懂,第二遍还是不懂,第三遍还是不懂." 网友对模电有以下总结: 天书般难懂. 模电=魔电本科模电就够 ...
模电数电单片机综合开发系统实验装置QY-MS535K
一.设备简介 QY-MS535K模电数电单片机综合开发系统实验装置集实验和开发为一体,容51/88/196于一身,增添了数字电路.模拟电子技术实验.这一崭新的系统实现了专业基础课(模拟.数字电路).专 ...
模电知识体系总结-1.1半导体基础器件
模电知识体系总结第一章:常用半导体器件 1.1半导体基础器件 1.1.1本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体. 常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)均为四价元素. 在常温下,仅有极 ...
扫除模电障碍（一）：基本放大电路和差模放大电路
目录前言: 一.基本放大电路 1).共射极放大电路: 2).共集极放大电路: 3).共基极放大电路: 基本放大电路的知识总结: 二.多级放大电路: 1.多级放大电路的耦合方式: 2.差动放大电路这 ...

模电总结一：半导体器件概述

一、二极管

1、伏安特性曲线

2、开关特性

3、主要参数

二、三极管（BJT）

1、伏安特性曲线

2、开关特性

3、主要参数

4、公式

三、场效应管

1、场效应管和三极管的主要区别

2、场效应管按结构分为以下几种

3、转移特性：

模电总结一：半导体器件概述相关推荐

最新文章

热门文章