硬件第二节 MOS管电路工作原理及详解

2024-06-05 02:35:27

文章目录

一，MOS管画法辨认
- 1.1 辨认MOS管
二，MOS管使用
- 2.1 作为开关管
- - 2.1.1 导通条件
  - 2.1.2实例
三，如何选择MOS管
- 3.1 MOS管需要注意的几个参数
- - 3.1.1 选择PMOS还是NMOS
  - 3.1.2 电压：漏源极电压Vds，栅源极电压Vgs，栅极导通电压VGS(th)
  - 3.1.3 电流：持续漏电流Id
  - 3.1.4 导通电阻Rds(on)
  - 3.1.5 寄生电容
  - 3.1.6 结温Tj
  - 3.1.7 开关频率
  - 3.1.8 封装
- 3.2 常用PMOS参数整理
四，万用表辨认MOS管

一，MOS管画法辨认

1.1 辨认MOS管

S级：两线相交
G级：不解释
D级：单独引线边
箭头指向G极为N沟道，背向G极为P沟道。

N沟道，S指向D。
P沟道，D指向S。

小技巧：中间箭头方向与二极管方向一致

总结

二，MOS管使用

2.1 作为开关管

2.1.1 导通条件

多少伏导通

2.1.2实例

三，如何选择MOS管

3.1 MOS管需要注意的几个参数

3.1.1 选择PMOS还是NMOS

NMOS：导通电阻小，发热低，允许通过电流大，型号多，成本低。
常用于正激，反激，推挽，半桥，全桥等拓扑电路。
PMOS：型号少，成本高。
常用于电源开关电路。

3.1.2 电压：漏源极电压Vds，栅源极电压Vgs，栅极导通电压VGS(th)

极限电压：Vgs，Vds。
驱动电压：Vgs，尽量越大越好，越大导通电阻Rds(on)越小。
栅极导通电压VGS(th)：MOS管开启电压。

3.1.3 电流：持续漏电流Id

Id要大于尖峰电流。通常，尺寸越大，导通电阻Rds(on)越小，允许的Id越大。
Id还与Vgs，Vds有关。电压越大，电流越大，以SI2323为例(外壳温度Tc，环境温度Ta)：

3.1.4 导通电阻Rds(on)

随着MOS管温度的升高，Rds(on)也会变大。MOS管的功率，导通损耗的公式：
Ptron=I2*Rdson。
以SI2323为例：

3.1.5 寄生电容

寄生电容越小，开关速率越好。常见有三个，以SI2323为例：

3.1.6 结温Tj

MOS管工作温度，不能大于结温的90%，否则要加散热片。其他还有，外壳温度Tc，环境温度Ta，PCB温度Tpcb。
上面是结温，下面是到引脚温度，以SI2323为例：

3.1.7 开关频率

3.1.8 封装

3.2 常用PMOS参数整理

PMOS型号：SI2323DS-T1；XP162A12A6PR-G；AO3407；ADO4185；
NMOS型号：Si2302DDS；

四，万用表辨认MOS管

辨认P,N

原理

辨认MOS管是好是坏

选材自https://wenku.baidu.com/view/b7b674ce08a1284ac850436e.html

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