编译环境：我用的是(Keil)MDK4.7.2

stm32库版本：我用的是3.5.0

一、本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍，不懂得地方请查阅有关资料。

对STM32 内部FLASH进行编程操作，需要遵循以下流程：

FLASH解锁

清除相关标志位

擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便，即物理实现方便)

写入FLASH

锁定FLASH

实例：

#define FLASH_PAGE_SIZE ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小

#define WRITE_START_ADDR ((uint32_t)0x08008000)//写入的起始地址

#define WRITE_END_ADDR ((uint32_t)0x0800C000)//结束地址

uint32_t EraseCounter = 0x00, Address = 0x00;//擦除计数，写入地址

uint32_t Data = 0x3210ABCD;//要写入的数据

uint32_t NbrOfPage = 0x00;//记录要擦除的页数

volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;/*FLASH擦除完成标志*/

void main()

{

/*解锁FLASH*/

FLASH_Unlock();

/*计算需要擦除FLASH页的个数 */

NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;

/* 清除所有挂起标志位 */

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

/* 擦除FLASH 页*/

for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)

{

FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));

}

/* 写入FLASH*/

Address = WRITE_START_ADDR;

while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))

{

FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);

Address = Address + 4;

}

/* 锁定FLASH*/

FLASH_Lock();

}

二、FLASH 擦除(以及防止误擦除程序代码)

1、擦除函数

FLASH_Status FLASH_ErasePage(u32 Page_Address)只要()里面的数是flash第xx页中对应的任何一个地址！就是擦除xx页全部内容！

防止误擦除有用程序代码的方法

方法一：首先要计算程序代码有多少，把FLASH存取地址设置在程序代码以外的地方，这样就不会破坏用户程序。原则上从0x0800 0000 + 0x1000 以后的FLASH空间都可以作为存储使用。如果代码量占了 0x3000， 那么存储在 0x0800 0000+ 0x4000 以后的空间就不会破坏程序了。

方法二：先在程序中定义一个const 类型的常量数组，并指定其存储位置(方便找到写入、读取位置)，这样编译器就会分配你指定的空间将常量数组存入FLASH中。当你做擦除。读写操作时，只要在这个常量数组所在的地址范围就好。

const uint8_t table[10]__at(0x08010000)= {0x55} ;

MDK3.03A开始就支持关键字 __at() 。

需要加#include

方法三：在程序中定义一个const 类型的常量数组，无需指定其存储位置。只要定义一个32位的变量存储这个数组的FLASH区地址就行。

uint32_t address;//STM32的地址是32位的

const uint8_t imageBuffer[1024] = {0,1,2,3,4,5,6,7};

address = (uint32_t) imageBuffer;/*用强制类型转换的方式，可以把FLASH中存储的imageBuffer[1024]的地址读到RAM中的变量address 里，方便找到写入、读取位置*/

方法四：利用写保护的方式(没研究明白)

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