[渝粤教育] 武汉理工大学模拟电子技术基础参考资料

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-模拟电子技术基础-章节资料考试资料-武汉理工大学【】
随堂测验_放大电路的基本模型
1、【单选题】放大电路的互阻放大基本模型中受控源的类型是（）。
A、受电压控制电流源
B、受电压控制电压源
C、受电流控制电压源
D、受电流控制电流源
参考资料【】
2、【单选题】我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时，宜选用（）模型进行等效分析。
A、电压放大
B、电流放大模型
C、互阻放大
D、互导放大
参考资料【】
3、【多选题】放大电路的基本模型包括以下要素：
A、放大电路的输入与输出电阻
B、放大电路的负载
C、放大电路的输入信号
D、放大电路的增益
参考资料【】
4、【判断题】电压放大电路也可以有电流放大能力。
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】放大电路只能选取四种基本模型中的一种来等效。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【填空题】放大电路是个二端口网络，其输入端口等效为一个（），输出端口则等效为带有信号源内阻的信号源。
A、
参考资料【】
随堂小测验_放大电路性能指标
1、【单选题】研究放大电路的电压放大能力时，宜采用（）模型。
A、电压放大
B、电流放大
C、互阻放大
D、互导放大
参考资料【】
2、【单选题】以下关于电流放大电路性能正确的说法是（）。
A、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与输出电阻。
B、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与输出电阻。
C、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与尽可能小的输出电阻。
D、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。
参考资料【】
3、【多选题】以下各项指标参数中，（）是放大电路本身的性能指标。
A、放大电路的增益
B、放大电路的负载电阻
C、放大电路的频带宽度
D、放大电路的非线性失真
参考资料【】
4、【判断题】互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益，就能够将输入电流信号有效转变较为电压信号稳定输出。
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【填空题】互导放大模型中的增益代表放大电路的（）路输出电流与输入电压的比。
A、
参考资料【】
6、【填空题】互阻放大模型中的增益代表放大电路的（）路输出电压与输入电流的比。
A、
参考资料【】
绪论单元测试
1、【单选题】放大电路的互阻放大基本模型中，受控源的类型是（）。
A、受电压控制电流源，VCCS
B、受电流控制电压源，CCVS
C、受电压控制电压源， VCVS
D、受电流控制电流源，CCCS
参考资料【】
2、【单选题】我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时，宜选用（）模型对电路进行等效变换后进行分析。
A、电压放大
B、电流放大
C、互阻放大
D、互导放大
参考资料【】
3、【单选题】以下关于电流放大电路性能的说法中，正确的是（）。
A、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与输出电阻。
B、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与输出电阻。
C、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与尽可能小的输出电阻。
D、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。
参考资料【】
4、【多选题】以下各项指标参数中，（）是放大电路本身的性能指标。
A、放大电路的增益
B、放大电路的负载电阻
C、放大电路的通频带宽度
D、放大电路的非线性失真
参考资料【】
5、【多选题】放大电路的基本模型包括的基本要素有（）。
A、放大电路的输入与输出电阻
B、放大电路的负载
C、放大电路的输入信号
D、放大电路的增益
参考资料【】
6、【判断题】互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益，就能够将输入电流信号有效转变较为稳定输出的电压信号。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】电压放大电路也可以有电流放大能力。
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【判断题】放大电路只能选取四种基本模型中的一种来等效。
A、正确
B、错误
参考资料【】
9、【填空题】互阻放大模型中的增益代表放大电路的（）路输出电压与输入电流的比。（在”开“或“短”或“旁”或“环”中选择合适的填入）
A、
参考资料【】
10、【填空题】放大电路是个二端口网络，其输入端口等效为一个（），输出端口则等效为带有内阻的受控源。
A、
参考资料【】
随堂测验_半导体基础知识
1、【单选题】具有纯净的无缺陷的晶体结构的半导体称为（）。
A、杂质半导体
B、空穴型半导体
C、本征半导体
D、N型半导体
参考资料【】
2、【单选题】为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。
A、提高环境温度
B、掺入特定杂质元素
C、加强光照
D、增加半导体材料横截面积
参考资料【】
3、【多选题】向本征半导体内掺入三价元素产生的杂质半导体，（）。
A、内部多数载流子类型为空穴
B、因为多子为空穴，整体带正电
C、整体呈电中性
D、内部多数载流子类型为自由电子
参考资料【】
4、【多选题】向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（）。
A、内部多数载流子类型为自由电子
B、外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向相反
C、内部多数载流子类型为空穴
D、外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致
参考资料【】
5、【多选题】在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要和（）有很大关系。
A、光照
B、温度
C、掺杂类型与浓度
D、热辐射
参考资料【】
6、【判断题】杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质，少数载流子为本征激发产生的电子与空穴。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【判断题】由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量自由电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
A、正确
B、错误
参考资料【】
9、【判断题】本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
A、正确
B、错误
参考资料【】
10、【填空题】外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的（）逆电场漂移运动。
A、
参考资料【】
11、【填空题】在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A、
参考资料【】
随堂测验_PN结的形成与特性
1、【单选题】在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。
A、使空间电荷区变厚
B、抑制漂移，促进扩散
C、使反向饱和电流增大
D、使反向饱和电流减小
参考资料【】
2、【多选题】平衡的PN结又称为（）。
A、空间电荷区
B、势垒区
C、耗尽层
D、扩散漂移区
参考资料【】
3、【多选题】PN结的特性主要有（）。
A、单向导电性
B、反向击穿特性
C、电容特性
D、低电压稳压特性
参考资料【】
4、【判断题】温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】平衡的PN结在无外加电场时，结电流为0。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】PN结外加正向电压时，空间电荷区将变宽。
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【填空题】在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加正偏电压时，（）电容起主要作用。
A、
参考资料【】
9、【填空题】在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，（）电容起主要作用。
A、
参考资料【】
随堂测验_半导体二极管
1、【单选题】PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（）。
A、其反向电流增大
B、其反向电流减小
C、其反向电流基本不变
D、其正向电流相应增大
参考资料【】
2、【单选题】二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。
A、多数载流子扩散形成
B、多数载流子漂移形成
C、少数载流子漂移形成
D、少数载流子扩散形成
参考资料【】
3、【多选题】以下关于半导体二极管说法正确的有（）。
A、半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B、半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C、常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D、常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
参考资料【】
4、【多选题】在电路中使用时，PN结反向应用的特殊二极管有（）。
A、发光二极管
B、光电二极管
C、稳压二极管
D、变容二极管
参考资料【】
5、【判断题】因为普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正向接发接到二极管两端，就可以让管子正常导通。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】有A、B两个二极管，它们的反向饱和电流分别为5毫安和0.2微安，在外加相同正向电压时的电流分别为20毫安和8毫安。可见B管的性能较好。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【填空题】温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，主要时因为（）浓度受温度影响较大。
A、
参考资料【】
8、【填空题】二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（）微安。
A、
参考资料【】
随堂测验_二极管基本电路及其分析方法
1、【单选题】二极管整流电路利用的是二极管的（）特性。
A、反向击穿特性
B、电容效应
C、单向导电性
D、本征激发特性
参考资料【】
2、【多选题】以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（）。
A、小信号模型
B、理想模型
C、折线模型
D、恒压降模型
参考资料【】
3、【多选题】普通二极管可用于（）。
A、整流
B、限幅
C、低电压稳压
D、继电器续流
参考资料【】
4、【判断题】正向导通的二极管交流电阻大于直流电阻。
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【填空题】对二极管电路的静态分析与动态分析遵循（）原则。
A、
参考资料【】
7、【填空题】在已知电路静态工作点的前提下，二极管的小信号模型可用于对二极管电路做（）分析，
A、
参考资料【】
随堂测验_稳压二极管
1、【单选题】稳压二极管是利用PN结的（）。
A、反向截止特性
B、单向导电特性
C、反向击穿特性
D、电容特性
参考资料【】
2、【单选题】以下说法错误的是（）。
A、电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B、稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。
C、齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
D、雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
参考资料【】
3、【多选题】以下（）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。
A、正向管压降
B、最大反向工作电流
C、额定功耗或最大耗散功率
D、标称稳定电压
参考资料【】
4、【多选题】有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V.若将它们串联相接，稳压值（）得不到。
A、13V、1.4V
B、4.3V、7.3V
C、8.7V、5.7V
D、5.3V、8.7V
参考资料【】
5、【多选题】有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V。若将它们并联相接，可得到（）几种稳压值。
A、5V
B、0.7V
C、8V
D、8.7V
参考资料【】
6、【判断题】稳压二极管只有在反向偏置时才能起到稳压作用。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】在正常工作范围内，稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【填空题】反映稳压二极管反向击穿特性的折现模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与反向电压（）的比。
A、
参考资料【】
第2章_半导体基础知识及二极管_单元测验
1、【单选题】为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。
A、提高环境温度
B、掺入特定杂质元素
C、加强光照
D、增加半导体材料横截面积
E、加强外电场
F、以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素
参考资料【】
2、【单选题】在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。
A、使空间电荷区变厚
B、抑制漂移，促进扩散
C、使反向饱和电流增大
D、使反向饱和电流减小
E、使势垒变高
F、只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变
G、抑制扩散，促进漂移
参考资料【】
3、【单选题】二极管两端外加正偏电压时，其正向电流是由（）。
A、多数载流子扩散形成
B、多数载流子漂移形成
C、少数载流子漂移形成
D、少数载流子扩散形成
参考资料【】
4、【单选题】二极管整流电路利用的是二极管的（）特性。
A、反向击穿特性
B、电容效应
C、单向导电性
D、本征激发特性
E、掺杂特性
F、正向导通、反向截止的特性
G、正向导通、反向击穿的特性
H、开关特性
参考资料【】
5、【单选题】以下说法错误的是（）。
A、电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B、稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。
C、齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
D、雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
参考资料【】
6、【单选题】二极管的反向饱和电流在20摄氏度时是5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（）微安。
A、20
B、30
C、40
D、50
参考资料【】
7、【单选题】反映稳压二极管反向击穿特性的折线模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与（）的比。
A、反向电压在一定范围内变化量
B、反向电压
C、正向电流在一定范围内变化量
D、正向导通电压
参考资料【】
8、【多选题】向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（）。
A、内部多数载流子类型为自由电子
B、外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向相反
C、内部多数载流子类型为空穴
D、外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向一致
E、若失去产生的多子自由电子，杂质元素生成带正电的施主离子
F、若失去产生的多子空穴，杂质元素生成带负电的受主离子
参考资料【】
9、【多选题】PN结的特性主要有（）。
A、单向导电性
B、反向击穿特性
C、电容特性
D、低电压稳压特性
E、本征激发特性
F、掺杂特性
参考资料【】
10、【多选题】以下关于半导体二极管说法正确的有（）。
A、半导体二极管外施正偏电压时，势垒区变窄
B、半导体二极管正向偏置时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C、常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D、常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
E、常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
F、常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
参考资料【】
11、【多选题】以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（）。
A、小信号模型
B、理想模型
C、折线模型
D、恒压降模型
E、电压放大模型
F、电流放大模型
G、互阻放大模型
H、互导放大模型
参考资料【】
12、【多选题】以下（）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。
A、正向管压降
B、最大反向工作电流
C、额定功耗或最大耗散功率
D、标称稳定电压
E、最小反向工作电流
F、反向击穿时的动态电阻
G、正向开启电压
参考资料【】
13、【多选题】平衡的PN结又称（）。
A、阻挡层
B、耗尽层
C、空间电荷区
D、二极管
E、势垒
F、导电沟道
参考资料【】
14、【判断题】本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。
A、正确
B、错误
参考资料【】
15、【判断题】扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
16、【判断题】根据普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正偏方向接到二极管两端，就可以让管子正常工作。
A、正确
B、错误
参考资料【】
17、【判断题】二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。
A、正确
B、错误
参考资料【】
18、【判断题】稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。
A、正确
B、错误
参考资料【】
19、【判断题】外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的束缚电子的逆电场漂移运动。
A、正确
B、错误
参考资料【】
20、【判断题】在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，扩散电容起主要作用。
A、正确
B、错误
参考资料【】
21、【判断题】对二极管电路的静态分析与动态分析遵循先“静”后“动”原则。
A、正确
B、错误
参考资料【】
随堂测验_MOSFET及其特性
1、【多选题】与BJT相比，场效应管（）。
A、输入电阻大
B、噪声低
C、温度稳定性好
D、放大能力更好
参考资料【】
2、【判断题】场效应管与BJT均属于电压控制型器件，其中场效应管是单极型器件，BJT是双极型器件。
A、正确
B、错误
参考资料【】
3、【判断题】跨导反映了场效应管的栅源电压对漏极电流的控制能力，其单位为mS（毫西门子）。
A、正确
B、错误
参考资料【】
4、【判断题】P沟道增强型MOS管的开启电压为正值。
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】对于耗尽型MOS管，VGS可以为正、负或零。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。
A、正确
B、错误
参考资料【】
3_单元测验_ MOSFET及其特性
1、【单选题】测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位，，，其开启电压。试分析管子的工作状态。
A、恒流区
B、截止区
C、可变电阻区
D、饱和区
E、线性区
参考资料【】
2、【单选题】测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=6V，VG=0V，VD=5V，其开启电压VGS(th)=﹣4V。试分析管子的工作状态。
A、恒流区
B、截止区
C、可变电阻区
D、放大区
参考资料【】
3、【单选题】当工作于饱和区的场效应管，漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将
A、增大
B、减小
C、不变
D、无穷大
参考资料【】
4、【单选题】场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/A9D3415004042FD838EFC2D8B2A3D031.bmp?imageView
A、增强型PMOS，开启电压VTP=﹣2V
B、耗尽型PMOS，夹断电压VP=﹣2V
C、增强型NMOS管，开启电压VTP=﹣2V
D、耗尽型NMOS，夹断电压VTP=﹣10V
参考资料【】
5、【单选题】场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。
A、耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
B、耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
C、增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
D、增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
参考资料【】
6、【多选题】测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=-5V，VG=1V，VD=3V，其开启电压VGS(th)=4V。试分析管子的工作状态。
A、恒流区
B、截止区
C、可变电阻区
D、饱和区
E、线性工作区
参考资料【】
7、【多选题】已知放大电路中一只MOS三个极S、G、D的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子
A、增强型NMOS管
B、增强型PMOS管
C、耗尽型NMOS管
D、耗尽型PMOS管
参考资料【】
8、【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的大于零，则其输入电阻会明显变小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
9、【判断题】MOSFET输出特性曲线如图，它是P沟耗尽型MOSFET。<img style=“width: 348px; height: 261px;” src="http://edu-image.nosdn.127.net/2AB470CD829A0237156085F4901E0D77.bmp?imageView
A、正确
B、错误
参考资料【】
3_单元测验_JFET及其特性
1、【单选题】一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压以及饱和漏电流。
A、N-JFET，夹断电压Vp是- 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
B、P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
C、耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
D、耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
参考资料【】
2、【单选题】场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/F3AFE474AAE739BFDB44C6BF1FAC04F6.bmp?imageView
A、耗尽型PMOS管，夹断电压VP为2V
B、P沟JFET管，夹断电压VP为2V
C、N沟JFET管，夹断电压VP为2V
D、增强型NMOS管，开启电压为2V
参考资料【】
3、【多选题】时，能够工作在恒流区的场效应管有
A、N-JFET
B、P-JFET
C、增强型NMOS管
D、增强型PMOS管
E、耗尽型NMOS管
F、耗尽型PMOS管
参考资料【】
4、【多选题】如图所示各电路中，有可能工作在恒流区场效应管有<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/F27369CF54D9A4925C7B7F2AADDA3BD0.bmp?imageView
A、（a）
B、（b）
C、（c）
D、（d）
参考资料【】
5、【判断题】结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】一个场效应管转移特性如图所示，它是N沟JFET。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/0571C55A015FC323CF86D127D2A3C282.bmp?imageView
A、正确
B、错误
参考资料【】
3_单元测试_基本共源极放大电路组成
1、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A、饱和区（恒流区、放大工作区）
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
参考资料【】
2、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A、预夹断临界点
B、饱和区（恒流区、放大工作区）
C、可变电阻区
D、截止区
参考资料【】
3、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=1V，VTN=1.5V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A、恒流区（饱和区、放大工作区）
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
参考资料【】
4、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域。
A、恒流区（饱和区、放大工作区）
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
参考资料【】
5、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A、恒流区（饱和区、放大工作区）
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
参考资料【】
6、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态
A、恒流
B、可变电阻
C、预夹断临界点
D、截止
参考资料【】
7、【单选题】测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-1.5V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A、恒流区（饱和区、放大工作区）
B、可变电阻区
C、预夹断临界点
D、截止区
参考资料【】
3_单元测试_放大电路的重要概念
1、【单选题】试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。
A、有放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
B、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
C、无放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
D、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
参考资料【】
2、【单选题】试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。
A、有放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
B、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
C、无放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
D、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
参考资料【】
3、【单选题】试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。
A、有放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
B、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
C、无放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
D、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
参考资料【】
4、【单选题】试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。
A、有放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
B、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
C、无放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
D、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
参考资料【】
5、【单选题】试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。
A、有放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
B、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
C、无放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
D、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
参考资料【】
3_单元测试_共源电路的图解分析法
1、【单选题】场效应管的静态工作点由哪些参数决定
A、IB IC VCE
B、VGS VDS ID
C、VGS VDS IC
D、IB ID VDS
参考资料【】
2、【单选题】图解法求解静态工作点时，将电路分为两个部分如图所示。
A、电路部分A是线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程；电路部分B是线性电路，该电路的伏安特性是输出特性曲线。
B、电路部分A是线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线；电路部分B是非线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程。
C、电路部分A是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线；电路部分B是线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程。
D、电路部分A是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是直流负载线方程；电路部分B是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线。
参考资料【】
3、【单选题】运用图解法，求解左图电路的Q点，该场效应管的输出特性曲线如右图所示
A、在输出特性曲线中，直线EF是交流负载线，Q点为：VGSQ = 1.0V，VDSQ = 11V，IDQ = 0.1mA。
B、在输出特性曲线中，直线EF是直流负载线，Q点为：VGSQ = 1.0V，VDSQ = 11V，IDQ = 0.1mA。
C、在输出特性曲线中，直线EF是交流负载线，Q点为：VGSQ = 2.0V，VDSQ = 7.2V，IDQ = 0.5mA。
D、在输出特性曲线中，直线EF是直流负载线，Q点为：VGSQ = 2.0V，VDSQ = 7.2V，IDQ = 0.5mA。
参考资料【】
4、【单选题】图左为场效应管放大电路，图右为该管子的输出特性曲线。下面说法正确的是
A、在输出特性中，直线A为直流负载线，斜率为；直线B为交流负载线，斜率为；直流负载线是动态工作的轨迹，因此它用来绘制工作波形。
B、在输出特性中，直线B为直流负载线，斜率为；直线A为交流负载线，斜率为；交流负载线是动态工作的轨迹，因此它用来绘制工作波形。
C、在输出特性中，直线B为直流负载线，斜率为；直线A为交流负载线，斜率为；直流负载线是动态工作的轨迹，因此它用来绘制工作波形。
D、在输出特性中，直线A为直流负载线，斜率为；直线B为交流负载线，斜率为；交流负载线是动态工作的轨迹，因此它用来绘制工作波形。
参考资料【】
5、【多选题】下面说法正确的是
A、对于增强型MOS管，在恒流区满足伏安特性方程，其中是指的。
B、对于耗尽型MOS管，在恒流区满足伏安特性方程，其中是指的。
C、为了求解放大电路的静态工作点，画直流通路，然后可用估算法或者图解分析法求解。
D、当MOS管沟道形成后，栅漏未夹断，则MOS管工作在恒流区。
E、图解分析法是将直流通路分为非线性部分和线性部分，非线性部分的伏安特性曲线是转移特性，线性部分的伏安特性曲线是直流负载线。
参考资料【】
6、【多选题】如图所示，下列说法正确的是：<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/C3CC3A2EAEF03DE568D78AE0D0272FE0.bmp?imageView
A、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性工作区
B、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为饱和区。
C、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性工作区。
D、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为恒流区。
E、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。
F、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。
G、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。
H、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为击穿区，D区为截止区。
参考资料【】
7、【多选题】下面说法正确的有
A、对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了可变电阻区。
B、对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为截止失真，是由于工作轨迹进入了截止区。
C、对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了饱和区。
D、对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为截止失真，是由于工作轨迹进入了击穿区。
E、对于NMOS管共源放大电路，vo波形顶部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了可变电阻区。
F、对于NMOS管共源放大电路，vo波形顶部失真为截止失真，是由于工作轨迹进入了截止区。
G、对于NMOS管共源放大电路，vo波形双向失真因为输入信号幅度过大，是由于工作轨迹同时进入了可变电阻区和截止区。
H、对于NMOS管共源放大电路，vo波形双向失真因为输入信号幅度过大，是由于工作轨迹同时进入了饱和区和截止区。
参考资料【】
8、【判断题】场效应管的特性曲线有输入特性和输出特性
A、正确
B、错误
参考资料【】
9、【判断题】静态工作点的求解方法有图解分析法和小信号模型分析法。
A、正确
B、错误
参考资料【】
3_单元测试_场效应管的小信号模型
1、【单选题】下面说法正确的有：
A、场效应管小信号模型的参数与静态工作点无关；
B、场效应管小信号模型中研究的电流和电压都是幅度较小的交流量；
C、场效应管小信号模型中研究的电流和电压都是静态工作点的电流和电压；
D、小信号模型法是将放大电路转化为非线性电路来处理。
E、小信号模型法是将放大电路转化为线性电路来处理。
参考资料【】
2、【多选题】下面说法正确的有：
A、估算法，可以用于求静态工作点。
B、估算法，不能用于大信号工作情况。
C、小信号等效电路法，可以用于求静态工作点。
D、小信号等效电路法，不能用于求某时刻的电压、电流总值。
E、小信号等效电路法，不能用于大信号工作情况。
参考资料【】
3、【多选题】下面说法正确的有：
A、图解分析法，可以用于求静态工作点。
B、图解分析法，不能用于求某时刻的电压、电流总值。
C、图解分析法，不能用于大信号工作情况。
D、图解分析法，能用小大信号工作情况。
参考资料【】
4、【多选题】下面说法正确的有：
A、场效应管小信号模型参数由静态工作点决定。
B、场效应管小信号模型参数可以通过输出特性曲线求解。
C、场效应管小信号模型参数可以通过转移特性曲线求解。
D、场效应管小信号模型中是受控电压源。
参考资料【】
3_单元测试_共源放大电路的小信号模型分析法
1、【单选题】
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
2、【单选题】
A、电路采用自偏压
B、电路采用固定偏压方式
C、电路采用分压式偏压方式
D、电路采用分压式自偏压方式
参考资料【】
3、【单选题】
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
4、【单选题】
A、
B、
C、
D、
E、
参考资料【】
5、【单选题】<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/7282BE51DC7F701C58B78CEADC1203F1.png?imageView
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
6、【单选题】<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/0A86DF991F3990E269F3C1BEB84DC035.png?imageView
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
7、【单选题】
A、
B、
C、
D、
E、
F、
G、
H、
I、
J、
K、
参考资料【】
8、【单选题】
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
9、【单选题】<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/C2030983887D2102E5BE84206D0ED1C9.png?imageView
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
10、【单选题】<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/8F27C06A9B968A68DB8F6901FE473F3C.png?imageView
A、
B、
C、
D、
E、
F、
G、
参考资料【】
11、【多选题】已知电路如图，Rg1=3MΩ，Rg2=1MΩ，连接在源极的电阻Rs =1kΩ, 负载电阻RL=1kΩ, VDD＝20V，场效应管的开启电压VT等于2V，IDO=4mA。以下说法正确的有：
A、该场效应管为增强型NMOS管。
B、该场效应管为增强型PMOS管。
C、电路组态是共源放大电路。
D、电路组态是共漏放大电路。
E、电路组态是共栅放大电路
参考资料【】
12、【多选题】
A、
B、
C、
D、
E、
F、
G、
H、
I、
J、
K、
L、
参考资料【】
13、【多选题】<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/4042CEDE39BFF4596CFAA94F38375B3A.png?imageView
A、
B、
C、
D、
E、
F、
G、
H、
I、
J、
参考资料【】
3_单元测试_共漏和共栅放大电路
1、【单选题】<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/1D09209EEB7C6060A6297BE2DE742354.png?imageView
A、
B、
C、
D、
E、
F、
参考资料【】
2、【单选题】<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/2D7415D63526F0CF4F253881AE5E6A83.png?imageView
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
3、【单选题】<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/AAEFB43B2FEC013044B58F9159B9A778.png?imageView
A、
B、
C、
D、
E、
F、
参考资料【】
4、【单选题】<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/D6D28882DC88CE49DA7F303C8FD668C0.png?imageView
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
5、【单选题】
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
6、【单选题】
A、
B、
C、
D、
E、
F、
参考资料【】
7、【单选题】
A、
B、
C、
D、
参考资料【】
8、【单选题】
A、
B、
C、
D、
E、
参考资料【】
9、【单选题】<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/57DA8D0A081432F33F858C5DF4371CD1.png?imageView
A、
B、
C、
D、
E、
F、
参考资料【】
10、【多选题】
A、
B、
C、
D、
E、
F、
G、
H、
I、
J、
参考资料【】
11、【多选题】
A、N沟增强型MOSFET
B、P沟增强型MOSFET
C、P沟耗尽型MOSFET
D、N沟耗尽型MOSFET
E、共源放大电路
F、共栅放大电路
G、共漏放大电路
参考资料【】
4_单元测验_BJT及其特性
1、【单选题】BJT的三个区，（）的掺杂浓度最低
A、发射区
B、基区
C、集电区
D、三者一样
参考资料【】
2、【单选题】发射区与（）区是同种类型的半导体。
A、基区
B、集电区
C、三个区都一样
D、发射区的类型和其他区都不一样
参考资料【】
3、【单选题】三个引脚电流中，发射极电流的实际方向与（）极的电流实际方向相同。
A、基极
B、集电极
C、三个电流方向都相同
D、发射极电流与其他电流方向都不同
参考资料【】
4、【单选题】三个引脚电流中有效值最大的是（）
A、基极电流
B、集电极电流
C、发射极电流
D、三个电流一样大
参考资料【】
5、【单选题】BJT正常放大时，发射结一定是（）
A、反偏
B、正偏
C、NPN正偏，PNP反偏
D、PNP正偏，NPN反偏
参考资料【】
6、【多选题】正常工作的BJT，输出特性曲线分三个区域，它们是（）。
A、饱和区
B、放大区
C、截止区
D、击穿区
参考资料【】
7、【多选题】BJT正常放大时，其两个PN结（）
A、发射结反偏
B、发射结正偏
C、集电结反偏
D、集电结正偏
参考资料【】
8、【多选题】下列说法中，错误的有（）
A、发射区的掺杂浓度最高
B、集电区的掺杂浓度最高
C、发射区的体积最大
D、集电区的类型与其他区不同
参考资料【】
4_单元测验_在线测量法
1、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则1脚是（）
A、基极
B、集电极
C、发射极
D、爱谁谁
参考资料【】
2、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则2脚是（）
A、基极
B、集电极
C、发射极
D、管它呢
参考资料【】
3、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则3脚是（）
A、基极
B、集电极
C、发射极
D、无所谓
参考资料【】
4、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，该管的材料是（）
A、硅
B、锗
C、PNP
D、NPN
参考资料【】
5、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，该管的类型是（）
A、硅
B、锗
C、PNP
D、NPN
参考资料【】
6、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则1脚是（）
A、基极
B、集电极
C、发射极
D、爱谁谁
参考资料【】
7、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则2脚是（）
A、基极
B、集电极
C、发射极
D、管它呢
参考资料【】
8、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则3脚是（）
A、基极
B、集电极
C、发射极
D、无所谓
参考资料【】
9、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；该管子的类型是（）
A、NPN
B、PNP
C、硅
D、锗
参考资料【】
10、【单选题】在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；该管子的β约为（）
A、300
B、150
C、100
D、50
参考资料【】
4_单元测验_基本共发射极放大电路
1、【单选题】共射组态的放大电路结构特点是：
A、基极输入，发射极输出
B、基极输入，集电极输出
C、发射极输入，集电极输出
D、发射极输入，基极输出
参考资料【】
2、【单选题】实验测得基本共射极放大电路的ICQ较大，需减小到某值，应如何调整电路？
A、减小Rb
B、增大Rb
C、减小Rc
D、增大Rc
参考资料【】
3、【单选题】实验测得基本共射极放大电路的IBQ较大，需减小到某值，应调整：
A、减小Rb
B、增大Rb
C、减小Rc
D、增大Rc
参考资料【】
4、【多选题】基本共射电路中，换一个BJT，使得其β增大（电路中其它元件参数不变），则
A、IBQ不变
B、ICQ减小
C、ICQ增大
D、VCEQ减小
参考资料【】
5、【多选题】对阻容耦合的放大电路，下列说法中正确的有：
A、改变负载的大小，不会改变静态工作点
B、作直流通路时，Vcc应改为地
C、作直流通路时，Vcc保持不变
D、作交流通路时，Vcc应改为地
参考资料【】
6、【多选题】作放大电路的交流通路时，应该：
A、电路中的较大电容看作交流短路
B、电路中的较大电容看作交流断路
C、Vcc保持不变
D、Vcc视作交流地处理
参考资料【】
7、【判断题】增大Rc，并不能改变基本共射电路的基极偏置电流IBQ。
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【判断题】增大Rb，将使得基本共射电路的ICQ增大。
A、正确
B、错误
参考资料【】
9、【判断题】增大Rb，将使得基本共射电路的ICQ减小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
10、【判断题】增大Rc，基本共射电路的BJT的IBQ将减小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
4_单元测验_图解分析法
1、【单选题】交流负载线的作图方法采用（）比较便利。
A、两点式
B、点斜式
C、斜截式
D、都一样方便
参考资料【】
2、【单选题】基本共射极放大电路中，直流负载线的斜率与（）有关。
A、Rb
B、Rc
C、RL
D、Rc//RL
参考资料【】
3、【单选题】下列说法中错误的是
A、vi、vo、ib和ic的频率一定是一致的
B、vi、vo、ib和ic的相位一定是一致的
C、输出电压的变化范围与交流负载线有关。
D、直流负载线仅用于确定Q点位置，不能反映Q点的动态轨迹
参考资料【】
4、【判断题】阻容耦合放大电路的直流负载线的斜率与负载电阻无关。
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】交流负载线的斜率与负载电阻无关。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】直流负载线和交流负载线的交点就是静态工作点。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】直流负载线和交流负载线的交点是（Vcc，0）
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【判断题】直流负载线的斜率比交流负载线更陡峭。
A、正确
B、错误
参考资料【】
4_单元测验_小信号模型分析法
1、【单选题】共射极放大电路中，下列哪一组信号是反相的
A、vi与ib
B、vo与vi
C、ib与ic
D、vi与ic
参考资料【】
2、【单选题】下列说法中错误的是
A、rbe与BJT的静态工作电流有关
B、共射电路的电压增益为正值
C、共射电路电压放大能力不一定大于1
D、小信号模型是指BJT在交流低频小信号工作状态下的模型
参考资料【】
3、【单选题】共射电路的结构特点是
A、B入C出E接地
B、B入E出C接地
C、C入B出E接地
D、随便进出
参考资料【】
4、【多选题】当基本共射电路的Rb增大时（其余参数不变），以下说法中正确的有
A、rbe将减小
B、Av的大小将减小
C、Ri将增大
D、Ro将增大
参考资料【】
5、【多选题】当共射电路的Rc增大时（其余参数不变），以下说法中正确的有
A、rbe将不变
B、Av的大小将增大
C、Ri将增大
D、Ro将增大
参考资料【】
6、【判断题】rbe是动态电阻，与BJT的静态工作点无关。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】当输入电压幅值很大时，BJT的微变等效模型就不再适用了。
A、正确
B、错误
参考资料【】
4_单元测验_射极偏置放大电路
1、【单选题】射极偏置电路的结构特点是
A、B入C出E直接接地
B、B入C出E经电阻接地
C、C入B出E经电阻接地
D、随便进出
参考资料【】
2、【单选题】下列说法中错误的是
A、射极偏置电路的静态工作点比基本共射电路更稳定
B、射极偏置电路（无旁路电容）的电压增益大小比基本共射电路的电压增益大小更小
C、射极偏置电路（无旁路电容）的Ri比基本共射电路的Ri更大
D、射极偏置电路（无旁路电容）的Ro比基本共射电路的Ro更小
参考资料【】
3、【单选题】环境温度升高（射极偏置电路的其他参数不变）时，下列说法中正确的是
A、BJT的反向饱和电流ICBO会减小
B、BJT的发射结正向压降会随之增大
C、电路的Ri随之增大
D、电路的Ro随之增大
参考资料【】
4、【多选题】下列说法中正确的有
A、射极偏置电路的vo与vi反相
B、引入旁路电容将使得射极偏置电路的电压增益大小增大。
C、引入旁路电容将使得射极偏置电路的Ri增大。
D、引入旁路电容不会改变射极偏置电路的Ro。
参考资料【】
5、【多选题】增大Re（其余参数不变，电路中不存在旁路电容）时，哪些指标的大小将减小
A、IBQ
B、rbe
C、Av
D、Ri
参考资料【】
6、【多选题】增大Re（其余参数不变，电路中存在旁路电容）时，下列说法中（）是错误的。
A、IBQ减小
B、rbe不变
C、Av减小
D、Ro不变
E、Ri不变
参考资料【】
7、【判断题】射极偏置电路属于固定偏流式。
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【判断题】Re的存在能够稳定BJT的静态工作点。
A、正确
B、错误
参考资料【】
9、【判断题】若Re在交流通路中存在，将使得Av的大小增大。
A、正确
B、错误
参考资料【】
4_单元测验_共集电极放大电路
1、【单选题】共集电极放大电路的结构特点是
A、B入C出E直接或通过电阻接地
B、B入E出C直接或通过电阻接地
C、C入B出E直接或通过电阻接地
D、随便出入
参考资料【】
2、【单选题】基本共集电极放大电路中增大Re（其他参数不变）时，则
A、BJT的静态工作点不变
B、若，Av大小基本不变
C、Ri不变
D、Ro不变
参考资料【】
3、【单选题】基本共集电极放大电路的Ri与（）差不多大小。
A、基本共射放大电路
B、射极偏置电路（带旁路电容）
C、射极偏置电路（不带旁路电容）
D、以上电路的Ri都一样大
参考资料【】
4、【多选题】基本共集电极放大电路的别名有
A、集电极输出器
B、射极输出器
C、电压跟随器
D、电流跟随器
参考资料【】
5、【多选题】下列说法中错误的有
A、共集电极放大电路一定属于固定偏流式
B、共集电极放大电路一定属于固定偏压式
C、共集电极放大电路的vi与vo是反相的
D、共集电极放大电路的vi与vo是同相的
参考资料【】
6、【判断题】共集电极放大电路的输入电阻较大，输出电阻较小
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】共集电极放大电路的输出电压比输入电压大。
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【判断题】共集电极放大电路的输出电流比输入电流大。
A、正确
B、错误
参考资料【】
4_单元测验_共基极放大电路
1、【单选题】共基极放大电路的结构特点是
A、B入C出E接地
B、C入B出E接地
C、C入E出B接地
D、E入C出B接地
参考资料【】
2、【单选题】基本共基极放大电路与基本共射放大电路的（）相同。
A、Av
B、Ri
C、Ro
D、Q
参考资料【】
3、【单选题】下列关于共基极放大电路的说法错误的是（）。
A、其直流通路与基本共射放大电路相同。
B、其直流通路与基极分压式射极偏置放大电路（带旁路电容）相同。
C、共基级放大电路的输出电压与输入电压同相。
D、共基级放大电路输入电阻小，输出电阻较大，适用于电流放大。
参考资料【】
4、【判断题】共基极放大电路的输入电阻很大
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】共基极放大电路的输出电阻很小
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】共基极放大电路的vi与vo反相
A、正确
B、错误
参考资料【】
4_单元测验_三种组态电路的性能比较+复合管
1、【单选题】共射组态（）
A、既不能放大电压，也不能放大电流
B、只能放大电压，不能放大电流
C、不能放大电压，只能放大电流
D、既能放大电压，也能放大电流
参考资料【】
2、【单选题】共集电极组态（）
A、既不能放大电压，也不能放大电流
B、只能放大电压，不能放大电流
C、不能放大电压，只能放大电流
D、既能放大电压，也能放大电流
参考资料【】
3、【单选题】共基极组态（）
A、既不能放大电压，也不能放大电流
B、只能放大电压，不能放大电流
C、不能放大电压，只能放大电流
D、既能放大电压，也能放大电流
参考资料【】
4、【单选题】输入电阻最小的电路是
A、基本共射放大电路
B、射极偏置放大电路
C、基本共集电极放大电路
D、基本共基极放大电路
参考资料【】
5、【单选题】下列电路中，（）的电压增益大小可能最小。
A、基本共射放大电路
B、射极偏置放大电路
C、基本共集电极放大电路
D、基本共基极放大电路
参考资料【】
6、【多选题】下列电路中，（）的vi与vo反相。
A、基本共射放大电路
B、射极偏置放大电路
C、基本共集电极放大电路
D、基本共基极放大电路
参考资料【】
7、【多选题】下列电路中，（）的输入电阻比较大。
A、基本共射放大电路
B、射极偏置放大电路（不带旁路电容）
C、基本共集电极放大电路
D、基本共基极放大电路
参考资料【】
8、【多选题】下列电路中，（）的输出电阻约等于集电极偏置电阻Rc。
A、基本共射放大电路
B、射极偏置放大电路
C、基本共集电极放大电路
D、基本共基极放大电路
参考资料【】
9、【判断题】不能使用两种不同类型的BJT组合成复合管。
A、正确
B、错误
参考资料【】
10、【判断题】复合管的β是其组成成员的β之累加。
A、正确
B、错误
参考资料【】
11、【判断题】三种组态电路中，共集电极放大电路的输出电阻最小，故其带负载能力最弱。
A、正确
B、错误
参考资料【】
12、【判断题】三种组态电路均具备功率放大能力。
A、正确
B、错误
参考资料【】
13、【判断题】集电极一定不能作为放大电路的输入端。
A、正确
B、错误
参考资料【】
4_单元测验_多级放大电路
1、【单选题】第k级的输入电阻相当于第（）级的负载。
A、k-1
B、k
C、k+1
D、爱谁谁
参考资料【】
2、【单选题】第k级的输出电阻相当于第（）级的信号源内阻。
A、k-1
B、k
C、k+1
D、无所谓
参考资料【】
3、【单选题】（）适用于集成电路。
A、直接耦合方式
B、阻容耦合方式
C、变压器耦合方式
D、光电耦合方式
参考资料【】
4、【单选题】下列说法中正确的是
A、只需要计算第一级的输入电阻，其他各级的输入电阻不必计算。
B、只需要计算最后一级的输出电阻，其他各级的输出电阻不必计算。
C、所有级的输入电阻和输出电阻都必须计算。
D、所有级的输入电阻和输出电阻都不必计算。
参考资料【】
5、【单选题】在传递信号的同时还能进行阻抗变换的是
A、直接耦合方式
B、阻容耦合方式
C、变压器耦合方式
D、光电耦合方式
参考资料【】
6、【多选题】多级放大电路的级间耦合方式有
A、阻容耦合方式
B、直接耦合方式
C、变压器耦合方式
D、光电耦合方式
参考资料【】
7、【多选题】下列耦合方式中，（）的各级静态工作点相对独立
A、直接耦合方式
B、阻容耦合方式
C、变压器耦合方式
D、三者都是
参考资料【】
8、【多选题】下列关于多级放大电路的说法中错误的有
A、电路的总电压增益是各级电压增益的累加
B、电路的总电压增益是各级电压增益的累乘
C、电路的总输入电阻是各级输入电阻的算术平均值
D、电路的总输出电阻是各级输出电阻的算术平均值
参考资料【】
9、【判断题】第5级的输入电阻相当于第6级的负载。
A、正确
B、错误
参考资料【】
10、【判断题】第4级的输出电阻相当于第5级的信号源内阻。
A、正确
B、错误
参考资料【】
11、【判断题】改变多级放大电路的各级组成顺序不会影响整体的电压增益。
A、正确
B、错误
参考资料【】
12、【判断题】如果第一级是基本共射放大电路，则：无论其他各级的数量和组态如何改变，电路的总输入电阻不变。
A、正确
B、错误
参考资料【】
13、【判断题】如果最后一级不是基本共集电极放大电路，则：无论其他各级的数量和组态如何改变，电路的总输出电阻不变。
A、正确
B、错误
参考资料【】
14、【判断题】k+1级放大电路的总电压增益一定大于k级放大电路
A、正确
B、错误
参考资料【】
5_单元测验_放大电路的频率响应基本概念
1、【单选题】RC高通电路在信号频率等于下限截止频率时，相角为（）度。
A、90
B、-90
C、45
D、-45
参考资料【】
2、【单选题】根据相频特性，利用三段折线对RC高通电路进行工程近似时，最大相位误差（）。
A、发生在信号频率等于RC高通电路的上限截止频率处
B、发生在信号频率等于0.1以及10倍于RC高通电路的下限截止频率处
C、发生在信号频率等于RC高通电路的下限截止频率处
D、仅发生在信号频率等于0.1倍于RC高通电路的下限截止频率处
参考资料【】
3、【单选题】产生频率失真的原因是（）。
A、放大电路中放大元件的非线性
B、放大电路中放大元件的饱和失真与截止失真
C、放大电路输入了单一频率的信号
D、放大电路对信号中不同频率成分的增益不同
参考资料【】
4、【单选题】RC低通电路在信号频率等于上限截止频率时，相角为（）度。
A、+45
B、-45
C、0
D、90
E、-90
参考资料【】
5、【单选题】放大电路有两种不同性质的失真，分别是线性失真与非线性失真。其中线性失真又称（）失真。
A、频率失真
B、交越失真
C、饱合失真
D、截止失真
参考资料【】
6、【多选题】频率响应的主要指标有（）。
A、通频带
B、上、下限截止频率
C、带宽
D、中频增益
E、幅频响应特性
F、相频响应特性
G、时延响应特性
参考资料【】
7、【多选题】以下关于折线波特图的说法中（）是正确的。
A、放大电路的频响折线波特图包括幅频响应波特图和相频响应波特图两部分。
B、在放大电路的对数幅频响应波特图中，频率坐标采用对数分度，幅值则采用线性分度。
C、在放大电路的对数幅频响应波特图中，频率坐标采用对数分度，幅值则采用分贝值。
D、在放大电路的对数幅频响应波特图中，频率坐标采用对数分度，幅值则用dB表示。
E、在放大电路的相频响应波特图中，频率坐标与相角均采用线性分度。
F、在放大电路的相频响应波特图中，频率坐标仍然是对数分度，相角则采用线性分度。
G、在放大电路的相频响应波特图中，频率坐标与相角均采用对数分度。
H、折线波特图是合理的工程近似，其幅频特性的最大误差发生在截止频率上，与精确值相差约3dB。
I、折线波特图是合理的工程近似，其相频特性的最大误差发生在截止频率上，与精确值相差约45度。
参考资料【】
8、【多选题】以下关于单时间常数RC电路的说法正确的有（）。
A、单时间常数RC电路包括RC高通电路和RC低通电路两种类型，可分别用于模拟放大电路的低频响应特性与高频响应特性。
B、单时间常数RC电路包括RC高通电路和RC低通电路两种类型，可分别用于模拟放大电路的高频响应特性与低频响应特性。
C、RC高通电路的频响指标为下限截止频率，信号中低于下限截止频率的频率成分在通过RC高通电路时会被不同程度地衰减。
D、RC高通电路的频响指标为下限截止频率，信号中低于下限截止频率的频率成分在通过RC高通电路时会被不同程度地放大。
E、RC高通电路的频响指标为上限截止频率，信号中低于上限截止频率的频率成分在通过RC高通电路时会被不同程度地衰减。
F、RC低通电路的频响指标为下限截止频率，信号中低于下限截止频率的频率成分在通过RC低通电路时会被不同程度地衰减。
G、RC低通电路的频响指标为上限截止频率，信号中高于上限截止频率的频率成分在通过RC低通电路时会被不同程度地衰减。
参考资料【】
9、【判断题】信号在通过RC低通电路时，频率高于其上限截止频率的部分会发生超前的附加相移。
A、正确
B、错误
参考资料【】
10、【判断题】幅频响应的通带和阻带的界限频率被称为截止频率。
A、正确
B、错误
参考资料【】
11、【判断题】频率响应指放大电路对输入的不同频率正弦信号的稳态响应。
A、正确
B、错误
参考资料【】
12、【判断题】频率响应指放大电路对输入的不同频率正弦信号的瞬态响应。
A、正确
B、错误
参考资料【】
13、【判断题】信号在通过RC高通电路时，频率低于其下限截止频率的部分会发生滞后的附加相移。
A、正确
B、错误
参考资料【】
14、【判断题】信号在通过放大电路后发生了线性失真，意味着在输出信号中生成了输入信号中没有的频率成分，所以又被称为频率失真。
A、正确
B、错误
参考资料【】
电流源测验题
1、【单选题】1、电流源电路中的MOSFET应该工作在_____状态
A、电阻区
B、饱和区
C、截至区
D、击穿区
参考资料【】
2、【单选题】2、由于电流源中流过的电流恒定，因此等效的交流电阻_____
A、很大
B、很小
C、不大
D、一般
参考资料【】
3、【单选题】4、有关MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流的关系说法不正确的是_____
A、MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流呈现比例关系
B、MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流的比值取决于参考管和输出管的参数
C、只要MOSFET镜像电流源中的MOSFET承受相同的栅源电压，输出电流就与参考电流呈现镜像关系
D、在其他参数对称的前提下，MOSFET镜像电流源的输出电流与参考电流的比值等于管子沟道宽长比的比值
参考资料【】
4、【单选题】5、BJT微电流源是通过_____实现的
A、增大电阻值
B、减小电源电压
C、改变BJT参数
D、在发射结构成的回路中串入电阻
参考资料【】
5、【单选题】7、BJT在电流源电路中工作在______。
A、饱和区
B、放大区
C、截至区
D、击穿区
参考资料【】
6、【多选题】3、电流源常用于放大电路，作为_____
A、工作电源
B、偏置电流
C、放大器件
D、有源负载
参考资料【】
7、【判断题】6、电流源电路包含MOSFET或BJT，因此它也能用来放大信号
A、正确
B、错误
参考资料【】
差放初步
1、【单选题】2、差分放大电路的作用是_____
A、稳定放大倍数
B、提高输入电阻
C、克服零漂
D、扩展频带
参考资料【】
2、【单选题】6、差分放大电路的两个输入端信号分别是3mV和5mV，则共模输入信号为_______V。
A、3
B、4
C、5
D、6
参考资料【】
3、【判断题】1、差分放大电路的两个输入端信号分别是3mV和5mV，则差模输入信号为4mV
A、正确
B、错误
参考资料【】
4、【判断题】3、零漂引起的放大电路输出可以视为共模输出
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【填空题】4、差模电压增益Ad是指_____与_____之比值
A、
参考资料【】
6、【填空题】5、差分放大电路结构的特点是_____
A、
参考资料【】
测验
1、【单选题】6、在如下电路图中，差模输入电阻是_______
A、2rbe
B、2(rbe+Rb), 其中（Rb=Rb1=Rb2, rbe=rbe1=rbe2）
C、[(rbe+Rb)+2*（1+）Re]/2, 其中（Rb=Rb1=Rb2）
D、2*[(rbe+Rb)+2*（1+）Re], 其中（Rb=Rb1=Rb2）
参考资料【】
2、【判断题】1、BJT差分放大电路如教材图7.2.9所示，则该电路的差模输入电阻是2rbe
A、正确
B、错误
参考资料【】
3、【判断题】2、BJT差分放大电路如教材图7.2.9所示，则该电路的共模输入电阻是2[rbe+2(1+β)ro]
A、正确
B、错误
参考资料【】
4、【判断题】3、BJT差分放大电路如教材图7.2.9所示，则该电路在共模输入双端输出条件下，负载电阻的中点交流电位是零
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】4、教材图7.2.9所示的BJT差分放大电路，不论是单输入还是双输入，它的差模性能指标不变
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】5、无论是MOS管还是BJT，它们构成的差分放大电路在双端输出时，共模抑制比都非常大
A、正确
B、错误
参考资料【】
集成运放测验
1、【单选题】1、采取电流源作为有源负载的好处在于______
A、展宽频带
B、降低输出电阻
C、增大电压增益
D、减小负载功耗
参考资料【】
2、【多选题】4、BJT型LM741集成运算放大器电路中，输入级采取共集-共基差放的目的是
A、提高放大增益
B、提高输入阻抗
C、降低输入阻抗
D、改善频率响应
参考资料【】
3、【多选题】5、为了提高电压增益，BJT型LM741集成运算放大器电路采取的错施有
A、采取有源负载
B、中间级采用共射放大电路
C、输入级采用共集差放
D、中间级和输出级用共集电路来耦合
参考资料【】
4、【多选题】6、为了提高集成运放的输入电阻，可以采用的方法有_______
A、采用共集组态
B、采用共基组态
C、采用共源组态
D、采用共栅组态
参考资料【】
5、【判断题】2、一个集成运放芯片里面只能封装一个集成运算放大器
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】3、镜像电流源作为有源负载，能够获得无源负载情况下的双倍电流输出
A、正确
B、错误
参考资料【】
集成运放参数
1、【单选题】1、输入失调电压是指：
A、两个输入端电压之差
B、输入端都为零时的输出电压
C、输出端为零时输入端的等效补偿电压
D、以上都不是
参考资料【】
2、【单选题】2、越大表示集成运放：
A、放大倍数越大
B、温漂越大
C、输入差放级的不对称程度越严重
D、共模抑制比越大
参考资料【】
3、【多选题】4、对于一个集成运放，使用者期望：
A、差模开环电压增益越大越好
B、差模输入电阻越大越好
C、输出电阻越小越好
D、开环带宽BW越大越好
参考资料【】
4、【判断题】3、MOSFET型集成运放与BJT型集成运放相比，具有更大的输入电阻
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】6、一个集成运放的共模抑制比是固定不变的
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【填空题】5、一个集成运放的输入信号为零时，有0.1V的输出电压，该运放的开环差模电压增益为100，则该运放的=_______mV。
A、
参考资料【】
随堂测验
1、【单选题】差分放大电路抑制零漂是通过_____来实现的。
A、增加一级放大电路
B、采取两个输入端
C、利用电路左右结构和参数对称的特点
D、以上都不是
参考资料【】
2、【单选题】从输入和输出关系来看，差分放大电路可由_____种连接方式
A、1
B、2
C、3
D、4
参考资料【】
3、【判断题】工作在差分放大电路中的MOSFET放大管也要工作在饱和区
A、正确
B、错误
参考资料【】
4、【判断题】理想情况下，双输入双输出的差分放大电路的差模输出为零
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】静态分析差分放大电路时，需要把信号输入端断开
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】双端输出的差分放大电路，静态输出为0
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】FET差放电路（教材图7.2.2）中，源极S点的直流电位不为零，而差模输入时交流电位为零
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【判断题】差分放大电路的负载RL的中点在交流通路中总是等效接地
A、正确
B、错误
参考资料【】
9、【判断题】差分放大电路以双倍的元器件换取抑制零漂的能力
A、正确
B、错误
参考资料【】
10、【判断题】单端输出的差分放大电路电压增益的正负号与输出端的位置有关
A、正确
B、错误
参考资料【】
11、【判断题】理想情况下，MOSFET差放电路（教材图7.2.2）中，无论是单输入还是双输入，差模和共模输入电阻都是无穷大
A、正确
B、错误
参考资料【】
12、【判断题】差分放大电路在共模输入信号作用下，双端输入和单端输入的性能是不相同的
A、正确
B、错误
参考资料【】
13、【判断题】FET差放电路（教材图7.2.2）中电流源的内阻在共模输入时可以视为短路，与差模输入时相同
A、正确
B、错误
参考资料【】
14、【判断题】双端输入共模信号时，双端输出为零，单端输出不为零
A、正确
B、错误
参考资料【】
15、【判断题】FET差放单端的共模输出大小与偏置电流源内阻有关
A、正确
B、错误
参考资料【】
16、【判断题】一个差放的差模电压增益越大，它的共模抑制能力越强
A、正确
B、错误
参考资料【】
17、【判断题】共模输入时，差放的输入输出也有4种不同的方式
A、正确
B、错误
参考资料【】
2021~2022上学期在线课程期中考试
1、【单选题】为了在较大范围内有效地改变半导体材料的导电能力，可以（）。
A、改变环境温度
B、利用半导体材料的掺杂特性
C、改变环境光照条件
D、改变半导体材料横截面积
E、加强外电场
F、以特殊工艺根据需要向本征半导体内掺入适量的三价或五价元素
参考资料【】
2、【单选题】以下说法错误的是（）。
A、电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B、齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高。
C、雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求电场中的少子在漂移过程中能够获得足够大的动能。
D、二极管整流电路利用的就是二极管的反向击穿特性，将交流电变成了脉动直流电。
参考资料【】
3、【单选题】在平衡的PN结两端外加反偏电压，（）。
A、空间电荷区会变厚
B、会抑制漂移，促进扩散
C、会产生反向饱和电流
D、会使PN结反向击穿
E、会使势垒变高
F、只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变
G、抑制扩散，促进漂移
H、耗尽层会变薄
参考资料【】
4、【单选题】BJT正常放大时，发射结一定是（）。
A、反偏的
B、正偏
C、NPN型的正偏，PNP型的反偏
D、PNP型的正偏，NPN型的反偏
E、基极-发射极间电压降VBE大于0
F、基极-发射极间电压降VBE小于0
参考资料【】
5、【单选题】共射组态的BJT放大电路结构特点是（）。
A、信号从基极输入，集电极输出，发射极为公共电极
B、信号从基极输入，发射极输出，集电极为公共电极
C、信号从发射极输入，集电极输出，基极为公共电极
D、信号从发射极输入，基极输出，集电极为公共电极
E、信号从集电极输入，发射极输出，基极为公共电极
F、信号从集电极输入，基极输出，发射极为公共电极
参考资料【】
6、【单选题】下列说法中错误的是（）。
A、与BJT的静态工作点有关
B、共射极放大电路的电压增益为正值
C、与共集电极放大电路相比，共射极放大电路的输出电阻较小
D、与共集电极放大电路相比，共射电路的输出电阻较大
E、共射电路能实现反向放大
F、共射极放大电路的电压放大倍数可能小于1
参考资料【】
7、【单选题】射极偏置共射极电路的结构特点是（）。
A、信号从基极输入，从集电极输出，发射极直接接地
B、信号从基极输入，从集电极输出，发射极通过电阻接地
C、信号从发射极输入，从集电极输出，基极通过电阻接地
D、信号从基极输入，从发射极输出，集电极通过电阻接地
E、信号从基极输入，从发射极输出，集电极直接接地
参考资料【】
8、【单选题】下列说法中错误的是（）。
A、基极分压式射极偏置电路的静态工作点比基本共射电路更稳定
B、射极偏置共射极电路（无旁路电容）的电压增益绝对值比基本共射电路的电压增益绝对值更小
C、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）的电压增益绝对值比基本共射电路的电压增益绝对值更大
D、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）中的Ri，因为射极偏置电阻的存在，比较大
E、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）的Ro比基本共射电路的Ro更小
F、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）中的Ri，因为射极偏置电阻的存在，比较小
G、射极偏置共射极电路（无旁路电容）的Ro相比基本共射电路的Ro不变
参考资料【】
9、【单选题】下列电路中，（）的Vi与Vo反相。
A、基本共射放大电路
B、射极偏置共射极放大电路
C、基本共集电极放大电路
D、基本共基极放大电路
E、信号从BJT的发射极输入，集电极输出，以基极为公共端的放大电路
F、信号从BJT的基极输入，集电极输出，以发射极为公共端的放大电路
G、信号从BJT的基极输入，发射极输出，以集电极为公共端的放大电路
参考资料【】
10、【单选题】测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位，，，其开启电压。试分析管子的工作状态。
A、线性放大区
B、恒流区
C、饱和区
D、可变电阻区
E、截止区
参考资料【】
11、【单选题】当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导将
A、减小
B、增大
C、不变
D、翻倍
E、减小为一半
参考资料【】
12、【单选题】试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否将静态工作点设置在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。 <img style=“width: 186px; height: 200px; text-align: left; color: rgb(102, 102, 102); text-transform: none; text-indent: 0px; letter-spacing: normal; font-family: 宋体; font-size: 12px; font-style: normal; font-variant: normal; font-weight: 400; text-decoration: none; word-spacing: 0px; white-space: normal; orphans: 2; -webkit-text-stroke-width: 0px; background-color: transparent;” src="http://edu-image.nosdn.127.net/44B550FE77FB66A78673AABA7FB4661A.bmp?imageView
A、有放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
B、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。
C、无放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
D、无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。
参考资料【】
13、【单选题】为半导体器件提供相应工作条件的直流电压称为（）。
A、偏置电压
B、势垒电压
C、电池
D、耗尽电压
参考资料【】
14、【单选题】以下关于PN结特性的说法错误的是（）。
A、二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。
B、PN结的电容效应可用于整流。
C、PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。
D、半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件
参考资料【】
15、【单选题】BJT正常放大时，集电结一定是（）。
A、反偏的
B、正偏的
C、NPN型的正偏，PNP型的反偏
D、PNP型的正偏，NPN型的反偏
E、基极-集电极间电压降VBC大于0
F、基极-集电极间电压降VBC小于0
参考资料【】
16、【单选题】以下关于BJT放大电路在线性放大区的静态工作点位置的说法，错误的是（）。
A、会明显影响到BJT的电流放大能力
B、会明显影响放大电路的动态范围
C、会明显影响放大电路的最大不失真输出幅度
D、会明显影响电路的动态性能
E、静态工作点位置越高，放大管的导通程度越高，放大能力越强。所以静态工作点的位置越高越好
F、静态工作点位置越低，电路的静态功耗越小
参考资料【】
17、【单选题】多级放大电路的级间耦合方式中（）有利于各级静态工作点的相互独立。
A、直接耦合方式
B、阻容耦合方式
C、变压器耦合方式
D、光电耦合方式
E、直接耦合与阻容耦合方式
F、阻容耦合与光电耦合方式
参考资料【】
18、【多选题】PN结的特性主要有（）。
A、单向导电性
B、反向击穿特性
C、电容特性
D、低电压稳压特性
E、本征激发特性
F、掺杂特性
G、静态工作点稳定特性
参考资料【】
19、【多选题】以下（）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。
A、正向管压降
B、最大反向工作电流
C、额定功耗或最大耗散功率
D、标称稳定电压
E、最小反向工作电流
F、反向击穿时的动态电阻
G、正向开启电压
H、导通时的直流电阻
参考资料【】
20、【多选题】以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（）。
A、小信号模型
B、理想模型
C、折线模型
D、恒压降模型
E、电压放大模型
F、电流放大模型
G、互阻放大模型
H、互导放大模型
参考资料【】
21、【多选题】下列关于BJT构造的说法中，错误的有（）。
A、发射区的掺杂浓度最高
B、集电区的掺杂浓度最高
C、发射结的面积最大
D、集电区的类型与其他区不同
E、集电结的面积最大
F、基区的类型与其他两个区域类型不同
G、基区最薄
参考资料【】
22、【多选题】BJT的输出特性曲线分三个区，它们是（）。
A、饱和区
B、线性放大区
C、截止区
D、安全工作区域
E、可变电阻区
F、耗尽区
参考资料【】
23、【多选题】对于阻容耦合的BJT基本放大电路而言，下列说法中正确的有（）。
A、改变负载的大小，不会改变静态工作点
B、画直流通路时，Vcc（电源正极）做接地处理
C、画直流通路时，Vcc（电源正极）保持不变
D、画交流通路时，Vcc（电源正极）应做接地处理
E、画交流通路时，Vcc（电源正极）应保持不变
参考资料【】
24、【多选题】与BJT相比，场效应管（）。
A、输入电阻大
B、噪声低
C、温度稳定性好
D、放大能力较差
E、频率特性较差
F、放大能力更强
G、输入电阻更小
H、温度稳定性较差
I、噪声较大
参考资料【】
25、【多选题】时，能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A、D-type PMOS管
B、N-JFET
C、P-JFET
D、D-type NMOS管
E、E-type PMOS管
F、E-type NMOS管
参考资料【】
26、【多选题】如图所示，下列说法正确的有：<img style=“font: 400 14px/22px Arial,Helvetica,sans-serif; margin: 0px; padding: 0px; border: 0px rgb(102, 102, 102); border-image: none; width: 1px; height: 1px; text-align: left; color: rgb(102, 102, 102); text-transform: none; text-indent: 0px; letter-spacing: normal; text-decoration: none; word-spacing: 0px; white-space: normal; cursor: text; word-wrap: break-word; orphans: 2; -webkit-text-stroke-width: 0px; background-color: transparent;” src=“http://edu-image.nosdn.127.net/C3CC3A2EAEF03DE568D78AE0D0272FE0.bmp?imageView margin: 0px; padding: 0px; border: 0px rgb(102, 102, 102); border-image: none; width: 359px; height: 238px; text-align: left; color: rgb(102, 102, 102); text-transform: none; text-indent: 0px; letter-spacing: normal; text-decoration: none; word-spacing: 0px; white-space: normal; cursor: text; word-wrap: break-word; orphans: 2; -webkit-text-stroke-width: 0px; background-color: transparent;” src="http://edu-image.nosdn.127.net/C3CC3A2EAEF03DE568D78AE0D0272FE0.bmp?imageView
A、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性放大区
B、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性放大区。
C、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为饱和区。
D、这是增强型MOSFET的转移特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为恒流区。
E、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。
F、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。
G、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为击穿区，D区为截止区。
H、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。
I、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为恒流区。
参考资料【】
27、【多选题】划分BJT输出特性曲线上的安全工作区域，需要考虑的因素有（）。
A、集电极最大允许电流
B、基极最大允许电流
C、集电结最大允许耗散功率
D、发射结最大允许耗散功率
E、基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压
F、集电极开路时，发射极-基极间的反向击穿电压
G、发射极开路时，集电极-基极间的反向击穿电压
参考资料【】
28、【多选题】BJT直流偏置如图：(a)为原电路图，(b）图对（a）图做了戴维南等效变换。下列说法中（）是正确的。
A、BJT的基极电位
B、BJT的基极电位
C、
D、
E、
F、
G、
H、
I、
J、
K、
参考资料【】
29、【多选题】FET放大电路、FET伏安特性曲线和交、直流负载线如图。下列说法中（）是正确的。
A、
B、
C、
D、
E、
F、
G、
H、
参考资料【】
30、【多选题】以下BJT放大电路中，（）不能正常放大输入的交流信号。
A、
B、
C、
D、
E、
F、
参考资料【】
31、【多选题】二极管中，由正、负离子组成的区域称为（）。
A、雷区
B、耗尽层
C、中性区
D、扩散区
E、空间电荷区
F、阻挡层
参考资料【】
32、【多选题】正向偏置的二极管（）。
A、截止
B、导通
C、相当于一个闭合的开关
D、相当于一个开启的开关
参考资料【】
33、【多选题】下列关于BJT在放大电路中的联接方式的说法中，正确的有（）
A、信号从基极输入，集电极输出，发射极为公共电极的为共射组态
B、信号从发射极输入，集电极输出，基极为公共电极的为共基组态
C、信号从发射极输入，基极输出，集电极为公共电极的为共集组态
D、基极不做输出极，集电极不做输入极
E、发射极不做输入极，基极不做输出极
F、信号从发射极输出，集电极输入，基极为公共电极的为共基组态
参考资料【】
34、【判断题】PN结上的扩散电流是由半导体通过掺杂得到的载流子定向移动引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小，与其它因素无关。
A、正确
B、错误
参考资料【】
35、【判断题】稳压二极管反向击穿时的反向电流在允许范围内越大，动态电阻越小，稳压性能越好。
A、正确
B、错误
参考资料【】
36、【判断题】增大基极偏置电阻，将使得基本共射电路的增大。
A、正确
B、错误
参考资料【】
37、【判断题】增大，并不能改变基本共射级放大电路的。
A、正确
B、错误
参考资料【】
38、【判断题】是动态电阻，与BJT的静态工作点无关。
A、正确
B、错误
参考资料【】
39、【判断题】当输入的交流信号幅值很大时，BJT的微变等效模型就不再适用了。
A、正确
B、错误
参考资料【】
40、【判断题】BJT射极偏置电路中，发射极偏置电阻在直流通路中的存在能够稳定BJT的静态工作点。
A、正确
B、错误
参考资料【】
41、【判断题】为了使射极偏置电路在稳定静态工作点的同时，电压增益不明显减小，通常在射极偏置电阻Re两端并联大小合适的电容，又称旁路电容。
A、正确
B、错误
参考资料【】
42、【判断题】三种组态的放大电路中，共集电极放大电路的输出电阻最小，故其带负载能力最弱。
A、正确
B、错误
参考资料【】
43、【判断题】三种组态的放大电路均具有功率放大能力。
A、正确
B、错误
参考资料【】
44、【判断题】多级放大电路中，后级电路的输入电阻可视为前级电路的负载。
A、正确
B、错误
参考资料【】
45、【判断题】改变多级放大电路的各级组成顺序不会影响整体的电压增益。
A、正确
B、错误
参考资料【】
46、【判断题】场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。
A、正确
B、错误
参考资料【】
47、【判断题】要使耗尽型MOS管工作在恒流区，栅源偏压可以为正、负或零。
A、正确
B、错误
参考资料【】
48、【判断题】P沟道增强型MOS管的开启电压为正值。
A、正确
B、错误
参考资料【】
49、【判断题】跨导反映了场效应管的栅源电压对漏极电流的控制能力，其单位为mS（毫西门子）。
A、正确
B、错误
参考资料【】
50、【判断题】场效应管与BJT均属于电压控制型器件，其中场效应管是单极型器件，BJT是双极型器件。
A、正确
B、错误
参考资料【】
51、【判断题】MOSFET输出特性曲线如图，它是N沟耗尽型MOSFET。<img style=“background-color: transparent; color: rgb(102, 102, 102); font-family: Arial,Helvetica,sans-serif; font-size: 14px; font-style: normal; font-variant: normal; font-weight: 400; height: 261px; letter-spacing: normal; orphans: 2; text-align: left; text-decoration: none; text-indent: 0px; text-transform: none; -webkit-text-stroke-width: 0px; white-space: normal; width: 348px; word-spacing: 0px;” src="http://edu-image.nosdn.127.net/2AB470CD829A0237156085F4901E0D77.bmp?imageView
A、正确
B、错误
参考资料【】
52、【判断题】一个场效应管转移特性如图所示，它是P沟道JFET，夹断电压为2V。
A、正确
B、错误
参考资料【】
53、【判断题】图解法分析共源组态的场效应管放大电路工作性能时，需要用到的特性曲线有输入特性曲线、转移特性曲线和输出特性曲线。
A、正确
B、错误
参考资料【】
54、【判断题】齐纳二极管、变容二极管和光电二极管一般需要外加反向偏置电压才能正常工作。
A、正确
B、错误
参考资料【】
55、【判断题】稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，使得PN结处于反偏状态，电流很小，所以无需串联限流电阻。
A、正确
B、错误
参考资料【】
56、【判断题】BJT的基区多子类型，与相邻的集电区、发射区多子类型相反，发射结与集电结的联接可等效为两个背靠背的二极管串联。
A、正确
B、错误
参考资料【】
57、【判断题】基极分压式射极偏置电路中，发射极偏置电阻的作用是稳定静态工作点；这个偏置电阻的引入一定会使电路的开路电压增益变小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
58、【判断题】不同组态的放大电路中的三极管，具有不同的小信号模型。
A、正确
B、错误
参考资料【】
59、【判断题】三种组态的放大电路均具有电流放大能力。
A、正确
B、错误
参考资料【】
60、【判断题】三种组态的放大电路均具有电压放大能力。
A、正确
B、错误
参考资料【】
61、【判断题】为了更好的发挥电流放大的能力，放大电路应该有较大的短路电流增益、较小的输入电阻、较大的输出电阻。
A、正确
B、错误
参考资料【】
62、【判断题】为了更好的发挥电压放大的能力，放大电路应该有较大的短路电压增益、较大的输入电阻、较小的输出电阻。
A、正确
B、错误
参考资料【】

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