引言

这篇文章其实还是属于【固件防复制】这一系列文章的衍生，进一步梳理一下存储介质的分类。
嵌入式系统使用的存储器有多种类型，按照不同的划分方式也各有说法：

存取特性
a. 随机存取存储器（Random Access Memory, RAM）
b. 只读存储器（Read Only Memory, ROM）
物理位置
a. 片内存储器（芯片内部的存储器）
b. 片外存储器（芯片外扩展的存储器）
c. 外部存储设备
存储信息差异
a. 程序存储器
b. 数据存储器

这里我们讨论的是按照方式 1 划分的。

主存划分

嵌入式系统中通常称片内存储器和片外扩展的存储器为主存储器或主存，主存分类为：

这篇文章先对半导体存储器做简单的梳理。ROM 和 RAM 一开始的划分是通过掉电是否保存信息来划分的，虽然后续也衍生了掉电信息依然存储的 RAM，但是这里根据存储特性来作为导入还是比较合适和易于理解的。

随机存储器

RAM 常用来存储程序运行期间的生成的数据。
如上所示，随机存储器包括静态和动态两种，即 SRAM, DRAM，都属于 RAM 的范畴，易失性存储器，即掉电后信息丢失。

SRAM，Static RAM, 其是靠双稳态电路（可以翻阅《电子技术基础-数字部分》，康华光）的两个稳定状态来记录信息 0 和 1 的；
DRAM，Dynamic RAM, 是靠存储单元的晶体管极间电容的充放电状态来存放信息 0 和 1 的，这里提到了电容，则会存在充放电，所以其构成介质和原理导致了其必须定时刷新以保持原来信息不变的特性，使用时外部需要提供刷新电路。

目前嵌入式处理器内嵌的数据存储器基本为 SRAM,外部扩展的存储器大多采用 DRAM 或其改进型，包括 DDR(Dual Data Rate)、SDRAM（双倍速率同步 RAM）、性能更加优越的 DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM 和 DDR4 SDRAM。
注：这段提到的 SRAM 值得就是 MCU 手册中的 RAM，而 DRAM 就是硬盘空间，这里的外部是相较于主板来说的；片内片外是相较于 MCU 说的。

只读存储器

MPROM（Mask ROM）是基于掩膜工艺技术的只读存储器，其出厂时就已将 0，1 数据固化了，即一旦生产出来，信息是不可变的。这种 ROM 主要用于不可升级的成熟产品存储程序或不变的参数等信息。
PROM （Programming ROM），即一次可编程的只读存储器，只能编程一次（新片只有一次编程机会），其是通过外接一定的电压和电流来控制内部存储单元上节点熔丝的通断来决定 0 或 1 的，一旦编程完毕则不可逆。
EPROM （Erasable Programming ROM）为紫外线可擦除可编程的只读存储器，通过内部浮置栅场效应管是否充满足够的电荷来决定 0 和 1，这种电荷稳定性非常好，可长久不变。使用紫外线照射一段时间，电荷才会重新分布，用来擦除信息，擦除编程次数十万次以内。其特性为编程速度慢，擦除时间长。
EEPROM (Electrically Erasable Programming ROM) 是一种可以电擦除可编程的只读存储器，可以在线改写和擦除信息，无须紫外线照射。且可多次擦除和编程，可擦除和编程次数在 100 万次以内。
Flash ROM 是近些年来应用最广、速度最快的只读存储器，其是从 EEPROM 基础上改进发展而来的，特点是擦除和编程速度快，因此得名闪速存储器，简称闪存。而Flash 可分为 NOR Flash 和 NAND Flash，其差别可参照这篇文章。

直观比较

RAM V.S. ROM

RAM	ROM
短暂存储（以电源周期为一个周期）	永久存储
成本高	成本低
通常以 MB 计	通常以 GB 计
易失	非易失
运行程序常用	启动程序常用
易修改、擦除和读取	易读，修改及擦除慢
可直接被 CPU 访问	需要先加载到 RAM 中才能访问

ROM 本质就是读取快，但是写入速度慢，其衍生的后续存储介质也带有此类特点。

SRAM V.S. DRAM

SRAM	DRAM
由类似于 D 触发器的电路组成	由电容组成
存在电源供电即可	需要每几个毫秒充电一次来维持数据
价格高	价格低
较 DRAM 速度快	较 SRAM 速度慢
存储容量有限	可存储大量数据
功耗高	功耗低
产生热量高	产生热量低
常用来做缓存，Cache	常用来做主存

参考资料

Random Access Memory (RAM) and Read Only Memory (ROM)；
Difference between RAM (Random Access Memory) and ROM (Read Only Memory)；
《嵌入式系统开发技术》；

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