存储器

ram: 随机存取存储器
- DRAM: 须定时刷新, 集成度高, 功耗低, 成本低(内存条, 主内存)
  - FPM DRAM: 快速页面模式DRAM, 同一页不会重复送出列地址
  - EDO DRAM: 扩展数据输出DRAM, 原理同FPM, 缩短等待时间, 快15%~30%
  - BEDO DRAM: 突发式EDO DRAM, 每次可传输一批数据(EDO一次传一组), 性能提高40%
  - SDRAM: 同步DRAM, 可与CPU外部工作时钟同步, 去掉时间的延迟
- SRAM: 速度比DRAM快(高速缓冲存储器Cache)
- REGISTERED内存: 底部较小的集成电路芯片(x2~3), 提高驱动能力, 使服务器可支持高达32GB内存
- ECC内存: 错误检查与校正内存, 提供了强有力的数据纠正系统, 能检测多位错, 定位错误和在传输到CPU前纠正错误, 检测多位错时产生报警信息. 不能同时更正多位错
rom: 只读存储器, 非易失
- rom: 不能编程
- prom: 可以写入一次
- eprom: 多次擦写, 需要在紫外线照一下
- eeprom: 任意修改
  - 狭义EEPROM:
  - 广义EEPROM: flash
    - nor flash: 字节读, 块擦除
    - nand flash: 页读取, 块擦除

ROM&RAM

EEPROM

可随机访问/修改任意字节, 可向每个bit写入0/1, 掉电不丢失
电路复杂成本高, 通常几k字节, 很少超过512k

flash

nor flash
- 数据线与地址线分开, 像ram一样随机寻址, 可读取任一字节(无页), 按块擦除
- 小容量(2~12M居多)
- 损坏无法使用
- 字节寻址, 程序可在nor flash中运行: 嵌入式系统常用小容量的nor flash存储引导代码, 用大容量的nand flash存放文件系统和内核
nand flash
- 数据线与地址线复用, 不能随机寻址, 读取只能按页读取, 按块擦除
- 读取速度慢, 擦写速度块
- 数据密度大, 体积小, 成本低
- 大容量居多
- 擦除次数是norflash数倍
- 可标记坏块, 使软件跳过坏块
flash
每页: 256 Byte (2048 bit)
每扇区: 16页
每块: 16扇区
最小擦除单位：扇区
可选择擦除单位：扇区、块、全片
最大编程（写入）单位：页（ 256 Byte），大于256 Byte则需要循环写入。
最小编程（写入）单位：1 Byte，即一次可写入 1~256 Byte的任意长度字节。
未写入时FLASH里面的数据为全1，即0xFF。
只能由 1 —> 0 写入，不能由 0 —> 1 写入，即如果已经写入过了，则需要先擦除（擦除后数据变为全1）再写入。
示例：0xF0（1111 0000），即高4位可写入，低4位不可写入。

ref

EEPROM和flash的区别
程序存储和运行时的内存分布
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存储器: Flash,eeprom,rom,ram

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