目录

一、LATCH比较器:原理(大信号非线性电路)

二、LATCH比较器:速度

三、LATCH比较器:噪声优化

四、LATCHE比较器:LEWIS-GRAY

LATCH比较器的OFFSET

LATCH比较器的OFFSET :对比仿真(定性分析)


一、LATCH比较器:原理(大信号非线性电路)

LATCH比较器相当于两个首尾相连互咬的反相器,通过在输入输出注入电荷,打破平衡,触发正反馈,很快将信号拉到“天和地”。

Strong Arm 比较器

LATCH比较器结构:
        M1、M2 是锁存器输入对管,M3-M4 、M5-M6 构成互咬的反相器。
        M7 是尾电流源,同时也用于锁存器复位。M8-M11 构成复位开关(有时不加M10-M11)。

工作原理:
        LATCH比较器利用两个背靠背的反相器正反馈实现两个信号的比较。
        比较器复位阶段:CLK='0,M8/M9/M10/M11导通,将Vop和Von复位至高电平。
        比较器比较阶段:CLK上升沿触发比较,LATCH比较器开始工作。

具体原理:
        复位时,Vop和Von都为VDD,M1-M2的Drain端也为高电平。
        CLK为1,尾电流源M7导通,将输入对管的common_source拉低,输入对管M1-M2开始导通,对Vop和Von进行放电。由于输入信号 Vin和Vip 不一样,一个放电快一个放电慢,假设Vip大,则Von放电快,Vop放电慢,当Von率先降低到使得PMOS管 M6导通 ,这VDD对Vop进行充电,此时Vop放电更慢了甚至开始充电拉倒VDD,Von放电更快到0,正反馈形成,Vop和Von迅速分开到VDD和0。
        故,Vop和Von,一开始都在下降,当正反馈形成时,Vop和Von分开。(下降到VDD-|Vtp|的时候PMOS导通,正反馈形成)

注意:输出反相器的反转阈值一定要做低,
        因为一开始XY异同往下掉的,此时还没比较出结果,如果这个往下掉的电压过低,而输出反相器的阈值电压过高,就可能导致在XY还没分离的时候,两个反相器就同时拉高,出现Von=Vop=VDD的情况,出现误判,这是不允许的。

二、LATCH比较器:速度

三、LATCH比较器:噪声优化

通过控制复位开关管和尾电流管的时钟开启顺序,可以优化噪声。

比较器复位阶段:所有时钟都为0,尾电流断开,复位管导通,Latch复位。
比较器比较阶段:CLK上升沿触发比较
        首先,CLK2上升至高电平,M7-M8断开,Vop和Vom处于高阻点(=VDD)。
        接着,CLK1上升至高电平,M9-M10断开,输入管的Drain端处于高阻点(=VDD)。
        最后,CLK3上升至高电平,M0导通,Latch开始工作。

先断开M7,M8,M9,M10的原因在于:提前断开这四个MOS管可以减小动态比较器工作过程
中这四个MOS管噪声对输出的影响。
        原来,开始比较时,有5个开关进行动作,会引入相对较大的噪声。
        现在,开始比较时,只有1个开关动作,引入相对较小的误差,并且该管一端接的还是共模信号,影响不大。

四、LATCHE比较器:LEWIS-GRAY

LATCH比较器的OFFSET

LATCH比较器的OFFSET :对比仿真(定性分析)

 注意下上面Latch的失调电压的蒙特卡洛仿真方法。

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