文章目录

  • 一、实验目的
  • 二、实验设备
  • 三、实验原理
  • 四、实验步骤
  • 五、结论

一、实验目的

掌握静态随机储存器RAM的工作特性和数据的读写方法

二、实验设备

实验仪一台、PC机一台(观察波形)

三、实验原理

实验所用的静态存储器由一片6116(2K×8bit)构成(位于MEM单元),6116有三个控制线:CS(片选线)、OE(读线)、WE(写线),当片选有效(CS=0)时,OE=0时进行读操作,WE=0时进行写操作,本实验将CS常接地。
由于存储器(MEM)最终是要挂接到CPU上,所以其还需要一个读写控制逻辑,使得CPU能控制MEM的读写,实验中的读写控制逻辑如图所示,由于T2的参与,可以保证MEM的写脉宽与T2一致,T2由时序单元的TS2给出(时序单元的介绍见附录2)。IOM用来选择是对I/O还是对MEM进行读写操作,RD=1时为读,WR=1时为写。

存储器数据线接至数据总线,数据总线上接有8个LED灯显示D7…D0的内容。地址线接至地址总线,地址总线上接有8个LED灯显示A7…A0的内容,地址由地址锁存器(74LS273,位于PC&AR单元)给出。数据开关(位于IN单元)经一三态门(74LS245)连至数据总线,分时给出地址和数据。地址寄存器为8位,接入6116的地址A7…A0,6116的高三位地址A10…A8接地,所以其实际容量为256字节。

实验箱中所有单元的T1、T2都连接至MC单元的T1、T2,CLR都连接至CON单元的CLR按钮。实验时T2由时序单元给出,其余信号由CON单元的二进制开关模拟给出,其中IOM应为低(即MEM操作),RD、WR高有效,MR和MW低有效,LDAR高有效。

四、实验步骤

(1) 关闭实验系统电源,按图连接实验电路,并检查无误,图中将用户需要连接的信号用圆圈标明。

(2) 将时序单元的状态开关置为‘单步’档(时序单元的介绍见附录二),MEM单元的编程开关置为‘运行’档。

(3) 将CON单元的IOR开关置为1(使IN单元无输出),打开电源开关,如果听到有‘嘀’报警声,说明有总线竞争现象,应立即关闭电源,重新检查接线,直到错误排除。

(4) 给存储器的00H、01H、02H、03H、04H地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H。由前面的存储器实验原理图可以看出,由于数据和地址由同一个数据开关给出,因此数据和地址要分时写入,先写地址,具体操作步骤为:先关掉存储器的读写(WR=1,RD=1),数据开关输出地址(IOR=0),然后打开地址寄存器门控信号(LDAR=1),按动TS产生T2脉冲,即将地址打入到AR中。再写数据,具体操作步骤为:先关掉存储器的读写(WR=1,RD=1)和地址寄存器门控信号(LDAR=0),数据开关输出要写入的数据(IOR=0),然后使存储器处于写状态(WR=1,RD=0,IOM=0),按动TS产生T2脉冲,即将数据打入到存储器中。写存储器的流程如图所示(以向00地址单元写入11H为例)

(5) 依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容,观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。同写操作类似,也要先给出地址,然后进行读,地址的给出和前面一样,而在进行读操作时,应先关闭IN单元的输出(IOR=1),然后使存储器处于读状态(WR=0,RD=1,IOM=0),此时数据总线上的数即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读存储器的流程如图所示(以从00地址单元读出11H为例):

五、结论

通过本次实验,较好的掌握了静态存储器的工作特性及使用方法。掌握了半导体随机存储器如何存储数据及读出数据。接线时要细心,在操作过程中,若出现问题应能在最短时间内检查出问题,从而使实验过程更顺利。

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