场效应管(FET)总结:
目标:
能够区分清楚结型、绝缘栅型增强型和耗尽型的性质
由于Notion的图片不好上传至CSDN,故详细笔记请看我的Notion:
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结型场效应管(JFET)
电流从N沟道里面走,关键问题在于电流要多大?
第一,它可以受D和S之间的电压控制
若$U_{DS}$增大,则$i_d$也会增大
第二,它可以$U_{GS}$的变化影响
$U_{GS}$可以使得N2沟道的宽度发生变化,从而影响$i_{d}$
简单来说就是,沟道宽度容易被夹断和开启
JFET为电压控制电流的器件,$i_D$受$u_{GS}$控制
补充:三极管是$I_c$控制$I_B$,即$I_C = \beta I_B$, 即电流控制电流的元器件
此图采用的是N沟道
注意观察图像:
左图:关于$U_{DS}$, 随着$U_{DS}$的增大,电流也在不断增大,但大到一定程度时,电流会趋于恒定,如图中的恒流区。若电压继续增加,电压就会击穿JFET
右图:指转移特性,关于输入电压与输出电流之间的关系
随着$U_{GS}$的增大,$i_{D}$在不断变小,即可推断沟道在不断变窄,直到$U_{GS}$增加到某值k,使得电流为零,此点称为夹断电压$U_{GS(off)}$
注意:图中$U_{GS}$的增大指的是绝对值的增大
补充:当$U_{GS}$为0时,$i_d$ 由 $U_{DS}$ 完全负责
绝缘栅型场效应管(MOSFET)
增强型:
由于原本没有沟道,所以我们得需要构造一个沟道,即在N区和N区之间构造一个沟道。因此,我们需要用UGS(th),即开启电压,来构造沟道。注意,UGS(th)不可取0,因为当它大于0时,它才能构造沟道
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