半导体器件(三) 场效应管 FET
目录
场效应管 ：FET ( Filed Effect Transistor)
分类：
1.结型场效应管JFET
1.1 N 沟道结型场效应管Junction Field Effect Transistor
1.2 P 沟道结型场效应管Junction Field Effect Transistor
2.绝缘栅型场效应管 MOSFET
2.1 N沟道增强型MOS 场效应管
2.2 N沟道耗尽型MOS 场效应管
2.3 P沟道增强型MOS 场效应管
2.4 P沟道耗尽型MOS 场效应管
3.各类场效应管的符号和特性曲线
4、MOS管的电压极性和符号规则
5、MOS管和晶体三极管相比的重要特性
6、在开关电源电路中，大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点
场效应管 ：FET ( Filed Effect Transistor)
一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，又称单极型三极管。
分类：
1.结型场效应管JFET
1.1 N 沟道结型场效应管Junction Field Effect Transistor
栅源加反偏电压，(PN结反偏)
漏源加正偏电压。
- 在漏极和源极之间加上一个正向电压，N型半导体中多数载流子-电子可以导电。
- 在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 ID 减小，反之，漏极ID 电流将增加
- 耗尽层的宽度改变主要在沟道区。
转移特性
uGS = 0 ，iD 最大；uGS 愈负，iD 愈小；uGS = UGS(off) ，iD 0。
两个重要参数：
夹断电压 UGS(off) (ID = 0 时的UGS)
饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的ID)
1.2 P 沟道结型场效应管Junction Field Effect Transistor
P 沟道场效应管是在P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。
P型与N型 加的电压极性相反，工作表现一致
栅源加正偏电压，(PN结反偏)
漏源加反偏电压。
转移特性
2.绝缘栅型场效应管 MOSFET
Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管.
特点：输入电阻可达 Ω以上。
MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论：
1) MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。
2) MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。
UGS =0时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管；
UGS =0时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。
2.1 N沟道增强型MOS 场效应管
在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。
增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过)，所以这时漏极电流ID=0。
此时若在栅-源极间加上正向电压，即VGS>0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS等效是对这个电容充电，并形成一个电场。
随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道，当VGS大于管子的开启电压VT(一般约为 2V)时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用VT表示。
栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，形成由负离子组成
的耗尽层。增大 UGS 耗尽层变宽。由于吸引了足够多P型衬底的电子，会在耗尽层和 SiO2 之间形成可移动的表面电荷层 ——反型层、N 型导电沟道。
UGS 升高，N 沟道变宽。因为 UDS = 0 ，所以 ID = 0。
UGS(th) 或UT为开始形成反型层所需的UGS，称开启电压。
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。
转移特性
UGS < UT ，iD = 0；
UGS ≥ UT，形成导电沟道，
随着 UGS 的增加，ID 逐渐增大。
2.2 N沟道耗尽型MOS 场效应管
制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在 P 型衬底中“感应”负电荷，形成 “反型层”。即使 UGS =0也会形成 N 型导电沟道。
UGS =0，UDS >0，产生较大的漏极电流；
UGS <0，绝缘层中正离子感应的负电荷减少，导电沟道变窄，iD 减小；
UGS =UP, 感应电荷被“耗尽”，iD
0。
UP或UGS(off)称为夹断电压
转移特性
工作条件：UDS > 0；UGS 正、负、零均可。
2.3 P沟道增强型MOS 场效应管
同样用上述2.1相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道(PNP型)增强型MOS管。
P沟道增强型MOS管的开启电压UGS(th)< 0
当UGS < UGS(th) ，漏-源之间应加负电源电压管子才导通,空穴导电。
2.4 P沟道耗尽型MOS 场效应管
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＞0
UGS 可在正、负值的一定范围内实现对iD的控制，漏-源之间应加负电源电压。
3.各类场效应管的符号和特性曲线
4、MOS管的电压极性和符号规则
上图是N沟道MOS管的符号，图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管。
在实际MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中;表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。
MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作。
同样P道的类似PNP晶体三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作。
5、MOS管和晶体三极管相比的重要特性
1) 场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2) 场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是(跨导gm)当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数(贝塔β)当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3) 场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流;而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4) 场效应管只有多数载流子参与导电;三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5) 场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将减小很多。
6) 场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7) 场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应管制造工艺简单，并且又具有普通晶体三极管不能比拟的优秀特性，在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管，目前的大规模和超大规模集成电路中，已经广泛的采用场效应管。
6、在开关电源电路中，大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点
1) 输入阻抗高，驱动功率小——由于栅源之间是二氧化硅(SiO2)绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率极小(灵敏度高)。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb，再产生基极电流Ib，才能驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的(Vb×Ib)。
2) 开关速度快——MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度(输入采用了后述的“灌流电路”驱动，加快了容性的充放电的时间)。MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的)。
3) 无二次击穿——由于普通的功率晶体三极管具有当温度上升就会导致集电极电流上升(正的温度～电流特性)的现象，而集电极电流的上升又会导致温度进一步的上升，温度进一步的上升，更进一步的导致集电极电流的上升这一恶性循环。而晶体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降，这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿，这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿现象。MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度～电流特性，即当管温度(或环境温度)上升时，沟道电流IDS反而下降。例如;一只IDS=10A的MOS FET开关管，当VGS控制电压不变时，在250C温度下IDS=3A，当芯片温度升高为1000C时，IDS降低到2A，这种因温度上升而导致沟道电流IDS下降的负温度电流特性，使之不会产生恶性循环而热击穿。也就是MOS管没有二次击穿现象，可见采用MOS管作为开关管，其开关管的损坏率大幅度的降低，近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后，开关管损坏率大大降低也是一个极好的证明。
4) MOS管导通后其导通特性呈纯阻性——普通晶体三极管在饱和导通是，几乎是直通，有一个极低的压降，称为饱和压降，既然有一个压降，那么也就是;普通晶体三极管在饱和导通后等效是一个阻值极小的电阻，但是这个等效的电阻是一个非线性的电阻(电阻上的电压和流过的电流不能符合欧姆定律)，而MOS管作为开关管应用，在饱和导通后也存在一个阻值极小的电阻，但是这个电阻等效一个线性电阻，其电阻的阻值和两端的电压降和流过的电流符合欧姆定律的关系，电流大压降就大，电流小压降就小，导通后既然等效是一个线性元件，线性元件就可以并联应用，当这样两个电阻并联在一起，就有一个自动电流平衡的作用，所以MOS管在一个管子功率不够的时候，可以多管并联应用，且不必另外增加平衡措施(非线性器件是不能直接并联应用的)。
MOS管和普通的晶体三极管相比，有以上四项优点，就足以使MOS管在开关运用状态下完全取代普通的晶体三极管。目前的技术MOS管道VDS能做到1000V，只能作为开关电源的开关管应用，随着制造工艺的不断进步，VDS的不断提高，取代显像管电视机的行输出管也是近期能实现的。
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