SDRAM读写一字

系统设计

SDRAM指令

SDRAM初始化

SDRAM控制模块发送初始化使能信号，使能SDRAM初始化模块，然后进行初始化操作，初始化操作完成后，发出初始化完成信号到SDRAM控制模块，SDRAM控制模块进入下一步操作。

Init_start用于启动SDRAM初始化模块进行初始化，done_init用于反馈SDRAM初始化模块初始化完成。在SDRAM初始化的过程中，根据初始化的每一个步骤，进行输出指令和SDRAM_address信号。

初始化时序

初始化操作流程图

SDRAM初始化代码

该工程的时钟频率为20MHz

module sdram_init(

clk,

reset_n,

init_start,

init_done,

sdram_command,

sdram_address

);

//参数定义

parameter T200US = 12'd3999; //上电延迟200us

//端口定义

input clk; //时钟信号20MHz

input reset_n; //复位信号

input init_start; //初始化开始信号,高电平有效

output init_done; //初始化完成信号，输出，高电平有效

output [4:0] sdram_command; //cke、cs_n、ras、cas_n、we_n，SDRAM指令信号

output [13:0] sdram_address; //[13:12]BA , [11:0]Addr，SDRAM地址信号

//常量定义

parameter NOP = 5'b10111, //空操作

ACTIVE = 5'b10011, //行激活

READ = 5'b10101, //读操作

WRITE = 5'b10100, //写操作

PR = 5'b10010, //预充电

AR = 5'b10001, //自刷新

LMR = 5'b10000; //设置寄存器

parameter SET_MODE_REG = {4'd0, 1'b0, 2'd0, 3'b010, 1'b0, 3'b011};

//突发读写，潜伏期为2，顺序操作，突发长度为8

//寄存器定义

reg [11:0] time_cnt; //上电延迟计数寄存器

reg [4:0] sdram_command_reg; //SDRAM指令寄存器

reg [13:0] sdram_address_reg; //SDRAM地址信号寄存器,{bank,address}

reg init_done_reg; //初始化完成信号寄存器

reg [3:0] state_cnt; //状态机计数器,用于控制状态跳转

//*****************************************************************************

// 模块名称：SDRAM初始化模块

// 功能描述：在初始化开始控制信号的控制下进行初始化操作，操作完成后发出初始化完成信号

//*****************************************************************************

always @(posedge clk or negedge reset_n)

begin

if(reset_n == 1'b0)

begin

time_cnt <= #1 12'd0; //上电延迟计数寄存器清零

state_cnt <= #1 4'd0; //状态计数器初始化

init_done_reg <= #1 1'b0; //初始化完成寄存器清零

sdram_command_reg <= #1 NOP; //SDRAM指令寄存器初始化

sdram_address_reg <= #1 14'h3fff; //SDRAM地址信号寄存器进行置高

end

else

begin

if(init_start == 1'b1)

case (state_cnt)

4'd0://上电延迟200us

begin

if(time_cnt == T200US) //判断200us延迟是否结束

begin

state_cnt <= #1 state_cnt + 1'b1;

time_cnt <= #1 12'd0;

end

else

time_cnt <= #1 time_cnt + 1'b1;

end

4'd1://预充电操作

begin

sdram_command_reg <= #1 PR;

sdram_address_reg <= #1 14'h3fff;

state_cnt <= #1 state_cnt + 1'b1;

end

4'd2://空操作

begin

sdram_command_reg <= #1 NOP;

state_cnt <= #1 state_cnt + 1'b1;

end

4'd3://自动刷新

begin

sdram_command_reg <= #1 AR;

state_cnt <= #1 state_cnt + 1'b1;

end

4'd4,4'd5://空操作

begin

sdram_command_reg <= #1 NOP;

state_cnt <= #1 state_cnt + 1'b1;

end

4'd6://自动刷新

begin

sdram_command_reg <= #1 AR;

state_cnt <= #1 state_cnt + 1'b1;

end

4'd7,4'd8://空操作

begin

sdram_command_reg <= #1 NOP;

state_cnt <= #1 state_cnt + 1'b1;

end

4'd9://设置寄存器

begin

sdram_command_reg <= #1 LMR;

state_cnt <= #1 state_cnt + 1'b1;

sdram_address_reg <= #1 SET_MODE_REG;

end

4'd10,4'd11://空操作

begin

sdram_command_reg <= #1 NOP;

state_cnt <= #1 state_cnt + 1'b1;

end

4'd12://设置初始化完成信号

begin

init_done_reg <= #1 1'b1;

state_cnt <= #1 state_cnt + 1'b1;

end

4'd14://恢复初始化完成信号

begin

state_cnt <= #1 4'd0;

end

default://其他状态，恢复到初始状态

begin

state_cnt <= #1 4'd0;

sdram_command_reg <= #1 NOP;

end

endcase

end

end

//*****************************************************************************

assign init_done = init_done_reg;

assign sdram_command = sdram_command_reg;

assign sdram_address = sdram_address_reg;

endmodule

SDRAM读写模块

state_signal： 状态信号，用于控制对SDRAM进行读写和自刷新；

sdram_bank_addr：SDRAM最小单元地址，[21:20]块地址+[19:8]行地址Row+[7：0]列地址Column；

write_data： 写入SDRAM的数据；

rw_done_signal： 读写完成信号；

ar_done_signal： 自动刷新完成信号；

read_data： 从SDRAM读出的数据；

sdram_command：SDRAM指令，cke、cs_n、ras、cas_n、we_n，SDRAM指令信号；

sdram_address： SDRAM读写地址；

sdram_dqm： SDRAM数据掩码；

sdram_data： SDRAM读写数据；

state_signal有四种状态，分别为自刷新、读、写、空操作。Sdram读写控制模块根据state_signal的信号对SDRAM发出控制信息，同时接收数据和发送数据、地址。

当处于自刷新状态时，向SDRAM发送自刷新命令，自刷新完成后ar_done_signal信号有效，表明自刷新操作完成。

当处于读状态时，向SDRAM发送读数据命令、读取数据的地址sdram_bank_addr，读操作完成后rw_done_signal信号有效，表明读操作完成，这时可以从read_data读取从sdram读取的数据。

当处于写状态时，向SDRAM发送写数据命令，同时将写入的数据送往write_data，写入的地址送往sdram_bank_addr，写操作完成后rw_done_signal信号有效，表明写操作完成。

当处于空操作时向sdram发送NOP指令。

sdram_dqm为sdram的数据掩码信号，在对sdram进行读写操作时，其电平状态要与指令sdram_command相配合操作。

自刷新操作

存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms，也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是：行数量/64ms 。我们在看内存规格时，经常会看到4096 Refresh Cycles/64ms 或8192 Refresh Cycles/64ms的标识，这里的4096与8192就代表这个芯片中每个L-Bank的行数。刷新命令一次对一行有效，发送间隔也是随总行数而变化，4096行时为15.625 μs。

由此每隔15us需要自刷新一次。

刷新操作采样简单的操作：

1. 发送AutoRefresh命令，命SDRAM刷新内部逻辑的内容
2. 相关操作需要消耗时间tRFC-63ns

   自刷新时序：

自刷新代码：

读操作

读操作过程

1. 发送Active命令、行（Row）和库（Bank）地址。
2. 满足时间要求tRCD-20ns。
3. 发送Read命令、列（Column）和库（Bank）地址，DQM拉低，拉高A10一个时钟，表示读操作后自动释放资源库（With Auto Precharge）。
4. 满足CAS Latency时间要求
5. CAS Latency满足之后，接下来满足时间要求tAC-6ns、tRP-20ns，然后读取数据。

读操作代码

写操作

操作过程

1. 发送Active命令，发送库（Bank）和行（Row）地址信息。
2. 满足tRCD时间要求，至少20ns。
3. 发送Write命令、库（Bank）和列（Column）地址；A10拉高代表With Auto Precharge；
4. 同时写入的一字数据。这时候DQM必须拉低。
5. 满足tWR（tDPL）时间要求，至少2个时钟。
6. 满足tRP时间要求，至少20ns。
7. 经过时间tWR（tDPL）以后，一字数据就成功被写入。随后SDRAM开始执行Auto Precharge的操作，释放当前相关的资源库。最后经过tRP以后（Auto Precharge的操作完成）

时序图

写操作代码

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