碳化硅（SiC）晶体主要应用领域和主要性能参数介绍

碳化硅（SiC）

主要应用领域
1.高频大功率电力电子器件 Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN diodes 、IGBT
2.光电子器件：主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料（GaN/SiC）LED
主要性能参数
生长方法
MOCVD
晶体结构
六方
晶格常数
a=3.07 Å c=15.117 Å
排列次序
ABCACB
方向
生长轴或偏<0001> 3.5 º
带隙
3.02 eV (间接)
硬度
9.2（mohs）
密度
3.21g/cm3
折射率
no=2.55 ne=2.59
热传导@300K
3 - 5 x 106W/ m
介电常数
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x10mm，15x15mm， 20x20mm，Dia50.8mm，Dia76.2mm，Dia102.4mm
厚度
厚度：0.35mm
抛光
单面或双面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:
≤5Å（5µm×5µm）
供应产品目录：
p-type MoSe2 crystals P型二硒化钼晶体 p-type MoSe2 crystals
SnSe 硒化锡晶体 (Tin Selenide)
InSe 硒化铟晶体 (Indium Selenide)
CoSe2 硒化钴晶体 (Cobalt diselenide)
VSe2 二硒化矾晶体 (Vanadium Diselenide)
FeSe 硒化铁晶体 (Iron Selenide)
PtSe2 二硒化铂晶体 (Platinum Diselenide)
PbGa2Se4 crystals 硒化镓铅晶体 PbGa2Se4 crystals
TlSe 硒化铊晶体 (Thalium Selenide)
MoWTe2 二硒化钨钼晶体 (Molybdenum tungsten ditelluride)
I2 intercalated WSe2 二硒化钨晶体（碘） I2 intercalated WSe2
ReNbSe2 Crystals 二硒化铌铼晶体 ReNbSe2 Crystals
FeTeSe 硒化碲铁晶体 (Iron Selenide Telluride)
MoWSe2 二硒化钨钼晶体 (Molybdenum Tungsten Diselenide)
硒化铼铌晶体 NbReSe2 Crystals
SnSe2 二硒化锡晶体 (Tin diselenide)
Bi2Se3 硒化铋晶体-未掺杂 (Undoped Bismuth Selenide)
三硒化锰（磷掺杂）晶体（99.995%） MnPSe3 MnPSe3 Crystals
硒化钨晶体（硫掺杂）（99.995%） WSSe WSSe Crystals
二硒化钨钯晶体（99.995%） PdSe2 PdSe2 Crystals
硒化铟晶体（99.995%） InSe InSe Crystals
二硒化钨晶体（99.995%） WSe2 (Tungsten Diselenide)-N型
二硒化钼晶体（99.995%） 2H-MoSe2 (Molybdenum Diselenide)-N型
三硒化锆晶体（99.995%） ZrSe3 (Zirconium Triselenide)
硒化锆 ZrSe3 (Zirconium Triselenide)
硒化金 AuSe (alpha phase Gold Selenide)
二硒化锆晶体（99.995%） ZrSe2 (Zirconium Selenide)
二硒化钨晶体（99.995%） WSe2(Tungsten Diselenide)-P型
二硒化钒晶体（99.995%） VSe2 (Vanadium Diselenide)
二硒化钛晶体（99.995%） 1T-TiSe2(Titanium Selenide)
二硒化钽晶体（99.995%） 2H-TaSe2 (Tantalum Selenide)
yyp2021.6.24

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