《炬丰科技-半导体工艺》Micro-LED 显示器量化生产关键技术
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:Micro-LED 显示器量化生产关键技术
编号:JFKJ-21-303
作者:炬丰科技
摘 要
为快速推动 Micro-LED 显示器产业化发展,结合 Micro-LED 微显示器的性能特点、制造 工艺流程和产品应用优势,重点分析了基于硅、蓝宝石衬底的 GaN 外延生长技术、芯片侧壁原子 层沉积技术、芯片转移和晶圆级键合等技术。
关键词: 新型平板显示;微缩化发光二极管;有机化合物化学气相沉积;原子层淀积;晶圆键合
材料制造工艺与设备
显示器产业技术正朝着高分辨率、高亮度、低功耗和柔性化快速发展,如图 1 所示,新型平板显 示技术主要包括液晶显示 (LCD)、等离子显示、有机发光二极管显示(OLED)和微缩化发光二极管显示(Micro-LED)等几类。
Micro-LED 微显示器制造工艺流程
Micro-LED 微显示器生产制造主要包括衬底外延生长、芯片制造、电路互联键合、性能检测等环节,各环节都有相应的材料、工艺、设备等关键技术要求。Micro-LED 微显示器基本工艺流程。
Micro-LED 芯片制造 略
Micro-LED 芯片巨量转移 略
GaN 外延生长工艺技术
Micro-LED 芯片尺寸是传统 LED 芯片的几十分之一、甚至更小,无法再使用传统的 LED 芯片 挑拣与分选技术。
芯片转移技术
芯片转移主要是通过剥离 LED 衬底,以临时衬底承载 LED 外延薄膜层,再利用感应耦合等离子蚀刻,形成微米等级的 Micro-LED 外延薄膜结构;或者先利用感应耦合等离子蚀刻。
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