电平转换电路_【电路】从电平角度理解数字电路
数字电路的高低电平由0和1表示,而在实际的电路系统中,不同的模块有着不一样的电气标准。在这些标准中的高低电平也有不一样的电压范围,当不同的电气标准之间需要连接时,就有了所谓的电平转换。在数字电路中,逻辑门电路(BJT或MOSFET)处于开关状态,在若干逻辑门电路以及集成芯片组成的电路系统中,电气标准的组合和转换构成了部分的数字电路。
1 电平标准的分类
现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、RS232、RS485等。
1.1 TTL和LVTTL
一般来说,采用电源、电阻、BJT(作为开关管用)组成的数字电路,称为TTL电路,其中的电平标准为TTL(Transistor-Transistor Logic)。
当电源电压Vcc为5V时:VOH>=2.4V,VOL<=0.4V;VIH>=2V,VIL<=0.8V。因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会增大系统功耗(电压越高,能耗越大),所以后来就把一部分去掉了,也就是后面的LVTTL。LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。
1.2 COMS和LVCMOS
一般来说,采用电源、电阻、MOSFET(作为开关管用)组成的数字电路,称为COMS电路,其中的电平标准为CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS)。
COMS电路的电源电压Vcc可达15V: VOH>=0.9Vcc,VOL<=0.1Vcc;VIH>=0.7Vcc,VIL<=0.3Vcc。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
2 TTL和COMS的比较
2.1 噪声容限
噪声容限(Noise Margin)是指在前一极输出为最坏的情况下,为保证后一极正常工作,所允许的最大噪声幅度 。噪声容限越大说明容许的噪声越大,电路的抗干扰性越好。
高电平噪声容限 = 最小输出高电平电压-最小输入高电平电压;
低电平噪声容限 = 最大输入低电平电压-最大输出低电平电压;
噪声容限 = min{ 高电平噪声容限,低电平噪声容限 }。
参照1.1和1.2,很容易得到TTL的噪声容限为2.4V-2V = 0.4V;COMS的噪声容限为0.9Vcc – 0.7Vcc = 0.2Vcc,当Vcc=12V时,噪声容限为2.4V,所以COMS的抗干扰能力强于TTL。
2.2 能耗
同种电路下的能耗比较可以使用公式:P = c * V2 * f,其中c为常数,V为电压,f为开关频率。而不同种电路下的能耗则需要考虑导通损耗、开关损耗,由于CMOS的输入阻抗远大于TTL,故能耗是低于TTL的。
2.3 比较
1. CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成;
2.CMOS的逻辑电平范围比较大(3~15V),TTL只能在5V下工作;
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差;
4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门);
5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
目前,COMS基本上可以取代TTL,但是由于BJT价格便宜,使用方便,依然有一定的适用场景。
3 RS232和RS485的比较
RS232和RS485都是电平的标准,也就是数字电路中的0和1的表示方式。要与USART区分开来,USART可以使用TTL电平,也可以使用RS232和RS485电平,只不过电平的标准不一样,有各自的优缺点。
RS232使用-12V(-3V -15V)表示逻辑1,12V(3V~15V)表示逻辑0,全双工,最少3条通信线(RX,TX,GND),因为使用绝对电压表示逻辑,由共模干扰,导线电阻等原因,通讯距离不远,只有10米级,只能点对点通信。
RS485使用差分电压,两数据线之间的电压差,+(2V 6V)表示逻辑1,-(2V~6V)表示逻辑0,半双工,最少2线(data+,data-,但最好是加上地线,否则共模干扰无法释放,产生EMI问题),抗干扰能力强,传输距离可达1200米,可分布式组网通信。
4 电平转换
正是由于不同的电气标准,所以需要电平转换,常见的有TTL转COMS,TTL转RS232(max232),TTL转RS485(max485)等。
4.1 电压升降压的方式
1. 电荷泵(电容串联升压,其中采用开关管来控制电容的充放电能)
2. 开关电源(电感储能,其中采用开关管来控制电感的充放磁能)
3. 线性变压器(原副边线圈匝数之比为电压之比)
4. LDO
5. 电阻分压(降压方便,但有能量损耗)
6. 光耦(转换的电压由隔离后的电路电源决定)
4.2 集成芯片max232是如何升高电压的?
查看max232芯片手册,可以知道,该芯片通过电源电压5V来控制两个电容的充电和串联来产生10V的电压(也就是所谓的电荷泵原理),并通过反相器产生-10V的电压,前提是充电的速度要赶得上电容漏电的速度,否则就达不到10V了。
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