PIC18F26K40 芯片Flash读写函数

芯片平台：PIC18F26K40

软件版本：MPLAB X IDE v5.20

在使用MPLAB X编译器的过程中，使用自带的MCC代码生成工具，加入memory模块生成的flash读写接口，对单个地址读写时没有问题，但是在进行连续区域地址读写时，就会出现数据读写异常的情况，比如要进行bootloader程序的设计，使用memory的flash读写函数就会出现问题。经过一番摸索，发现使用MCC代码生成工具里面的bootloader模块，里面的flash读写接口是可以正常使用的，为了便于使用，对这个flash读写接口进行了修改，代码如下：

/**Section: Macro Declarations
*/#define WRITE_FLASH_BLOCKSIZE    32
#define ERASE_FLASH_BLOCKSIZE    32
#define END_FLASH                0x010000// *****************************************************************************#include "flash.h"// To be device independent, these are set by mcc in memory.h#define  LAST_WORD_MASK              (WRITE_FLASH_BLOCKSIZE - 1)// Force variables into Unbanked for 1-cycle accessibility uint8_t EE_Key_1    __at(0x0);uint8_t EE_Key_2    __at(0x1);void StartWrite();// *****************************************************************************
// Read Flash
// *****************************************************************************
uint8_t Read_Flash(uint32_t flashAddr, uint8_t *data, uint16_t data_len)
{   if (data == NULL)return 0;TBLPTRU = (uint8_t)((flashAddr & 0x00FF0000) >> 16);TBLPTRH = (uint8_t)((flashAddr & 0x0000FF00)>> 8);TBLPTRL = (uint8_t)(flashAddr & 0x000000FF);NVMCON1 = 0x80;for (uint16_t i = 0; i < data_len; i ++){asm("TBLRD *+");data[i]  = TABLAT;}return (data_len);
}// *****************************************************************************
// Write Flash
// data_len <= WRITE_FLASH_BLOCKSIZE
// *****************************************************************************
uint8_t Write_Flash(uint32_t flashAddr, uint8_t *data, uint16_t data_len)
{   if (data == NULL)return 0;uint8_t GIEBitValue = INTCONbits.GIE;     // Save interrupt enableINTCONbits.GIE = 0; // Disable interruptsEE_Key_1 = 0x55;  // write EE KeysEE_Key_2 = 0xAA;TBLPTRU = (uint8_t)((flashAddr & 0x00FF0000) >> 16);TBLPTRH = (uint8_t)((flashAddr & 0x0000FF00)>> 8);TBLPTRL = (uint8_t)(flashAddr & 0x000000FF);NVMCON1 = 0xA4;       // Setup writesfor (uint16_t  i = 0; i < data_len; i ++){TABLAT = data[i];if (TBLPTR >= END_FLASH){            return (0);}asm("TBLWT *+");if (((TBLPTRL & LAST_WORD_MASK) == 0x00)|| (i == data_len - 1)){asm("TBLRD *-");StartWrite();asm("TBLRD *+");}}EE_Key_1 = 0x00;  // erase EE KeysEE_Key_2 = 0x00;INTCONbits.GIE = GIEBitValue;   // Restore interrupt enablereturn (1);
}// *****************************************************************************
// Erase Program Memory
// Erases data_length rows from program memory
// *****************************************************************************
uint8_t Erase_Flash (uint32_t flashAddr, uint16_t data_len)
{   uint8_t GIEBitValue = INTCONbits.GIE;     // Save interrupt enableINTCONbits.GIE = 0; // Disable interruptsEE_Key_1 = 0x55;  // write EE KeysEE_Key_2 = 0xAA;TBLPTRU = (uint8_t)((flashAddr & 0x00FF0000) >> 16);TBLPTRH = (uint8_t)((flashAddr & 0x0000FF00)>> 8);TBLPTRL = (uint8_t)(flashAddr & 0x000000FF);for (uint16_t i=0; i < data_len; i++){if (TBLPTR >= END_FLASH){            return (0);}NVMCON1 = 0x94;       // Setup writesStartWrite();TBLPTR += ERASE_FLASH_BLOCKSIZE;}EE_Key_1 = 0x00;  // erase EE KeysEE_Key_2 = 0x00;INTCONbits.GIE = GIEBitValue;   // Restore interrupt enablereturn (1);
}// *****************************************************************************
// Unlock and start the write or erase sequence.
// *****************************************************************************
void StartWrite()
{__asm ("banksel NVMCON2");__asm ("movf _EE_Key_1, w, c");__asm ("movwf NVMCON2, b");__asm ("movf _EE_Key_2, w, c");__asm ("movwf NVMCON2, b");__asm ("bsf   NVMCON1,1");       // Start the writeNOP();NOP();return;
}

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