关于双层原子台阶的形成机制
校历第十八周计划(12.23-12.27):关于双层原子台阶的形成机制
前面进行了Si(001)表面结构的学习,接下来将原子台阶相关知识进行学习和记录,主要涉及双层原子台阶的形成和性质。画图采用visio软件。
12.23
理想Si(001)表面上的每个原子有2个悬挂键,表面能量很高,为了降低表面能量达到系统的稳定结构,表面原子会重新成键形成再构表面。很多实验和理论讨论该表面的原子和电子结构,研究认为此表面低温下形成(2×2)或(4×2)结构,高温下会形成(2×1)结构。已证实si原子在Si(001)表面扩散是各向异性的:沿着平行于二聚体排方向扩散比较快,而沿着垂直于二聚体排方向扩散比较慢。下图为两种增原子转移机制,图b为形成的双原子B型台阶。该台阶二聚体链轴向平行于台阶方向。图c为一种可能的机制,表面增原子覆盖B型台阶(留待考察)。
查阅一些文献所得,si(001)台阶表面增原子的扩散机制不仅仅是表面上的位置平移,而还有与二聚体链上的表面原子交换。这种扩散机制留待下面说明
12.24-12.26
以图示说明双层原子台阶的扩散机制。
第一种是在较高温度下发生的,如下图所示,上图为俯视图,下图为侧视图。红色A为增原子,在B型台阶表面的增原子在热运动下很容易沿平行于二聚体链方向扩散,在扩散到A型台阶二聚体链边缘时,需要克服一定的势垒,增原子与A型台阶表面第一层原子和B型台阶第一层原子的两个表面原子成键。
下图为增原子从A型台阶上向B型台阶上扩散的路径示意图。
第三种扩散方式:增原子从B型台阶上扩散到A型台阶上。和前两种相差不多,增原子先是和表面第一层原子结合,然后替换掉第一层原子的一个,替换的原子扩散台阶边缘处,与下层或上层台阶结合成二聚体链。具体形式由于图较难画,请参考下述文献.
Kinetic mechanism for the transformation of single-layer steps into double-layer steps by Si deposition on a vicinal Si(100) surface
- 10 June 1991
12.27 ---》一篇由高温退火工艺形成双原子层台阶的文献
- Si(001)-2×1 Single-Domain Structure Obtained by High Temperature Annealing
- 26 November 1985
背景:
双原子台阶只能在近(001)表面观察到,已做的实验是在0.5°偏角观察到Si(001)-2x1双原子层台阶结构
本文研究:
使用MBE获得平滑Si(001)-2x1双原子层台阶结构。
实验:
取材:Si衬底(取向良好的P型)(001)4ohm·cm,尺寸:47x10x0.5mm3
实验步骤:
1,基材脱脂。
2,在HCL:H2O2:H20(1:1:4)溶液中煮沸,形成保护氧化膜。
3,在基板温度为800°C的表面上照射3X10^3atoms/cm2·s的si射线约5分钟,以蒸发薄氧化膜。
4,清洗后将基板温度设为600°C,生长厚度为数千埃的缓冲层,以消除残留氧化物或者碳污染问题。
分析
RHEED:反射式高能电子衍射装置(RHEED)是MBE设备上的一个十分重要的部件,用它可在生长的原位观察样品表面的清洁度、平整度、表面结构,通过观察到的曲线确定生长情况。
1,刚生长的表面中为2x1和1x2结构,表面中台阶为单原子高度。
2,1000°C的温度下将样品退火20分钟后,将衬底温度设为生长温度400-450°C,图样由斑纹到斑点,证明表面由台阶过渡到大致平滑。
3,论证高温退火能够使表面更加光滑。1000°C退火20分钟,900°C退火1分钟。弱退火之后,单原子层先是存在,后慢慢逐渐发展为双原子层。
5,总结
观察到的RHEED模式图揭示了高温退火后,在取向良好的Si(001)表面上存在稳定的单畴2x1结构。这表明产生(001)-2×1结构的单原子层高度已更改为双原子层高度。
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