文章目录

  • 1.电源关注要点
  • 2.电源参数
    • 2.1 重要参数
    • 2.2其它参数
  • 3.电源变换器选择
  • 4.LDO基本原理
  • 5.LDO的关键性能参数
    • 5.1最小压降
    • 5.2输入电压
    • 5.3输出电流
    • 5.4热阻参数
    • 5.5纹波/噪声
    • 5.6瞬态响应
  • 6.优秀LDO赏析
  • 7.补充总结

1.电源关注要点

  • 输入:
    Vin最大值
    Vin典型值
    Vin最小值

  • 输出:
    Vout输出典型电压
    Imax输出最大电流

2.电源参数

2.1 重要参数

  • 输出纹波:
    △V纹波(纹波峰峰值)
    Vrms(纹波有效值)
    1/F噪声

  • 转换效率:
    轻载效率
    满载效率

  • 瞬态响应

  • 功率耗散及温升

  • 工作温度范围

  • 电路占板面积

2.2其它参数

  • ShutDown关机
  • PowerGood指示
  • 线性调整率(输入变化时输出变化程度)
  • 负载调整率(负载变化时输出变化程度)
  • 输入反接保护
  • 输出反灌保护
  • 短路保护
  • 电流限制
  • EMC/EMI
  • 数字电源
  • 电压电流回读
  • 上下电跟踪及时序

3.电源变换器选择

4.LDO基本原理

5.LDO的关键性能参数

5.1最小压降

  • 不同芯片设计工艺及结构压降不同
  • 压降和工作电流有较大关系
  • 通常电流越大,温度越高,压降越大
  • 压降越小,在某些时候可以优化效率

5.2输入电压

  • 器件耐压要考虑输入电压的瞬态电压值(刚接电有振铃)
  • 长导线输入电压电缆要考虑浪涌电压
  • 耐压越高,价格越贵
  • 通常两倍以上取耐压值比较安全

5.3输出电流

  • 芯片的输出电流能力,表征的是理想情况
  • 实际输出能力与输入输出压差及电流相关
  • 需要的输出电流越大,散热问题越严重
  • 通常大电流应用,用开关电源替代LDO

5.4热阻参数

  • TJMAX:芯片内核正常工作的最高温度
  • θJC:芯片内核到芯片外壳的每W温升
  • θJA:芯片内核到外部环境的每W温升
  • 无辅助散热温升计算:
    5V转3.3V,电流0.5A,环境温度25℃
    芯片温度=25+(5-3.3)0.440=59℃ //θJA=40℃/W
  • TJMAX越高,内核耐热度越好
  • θJA、θJC越小,芯片散热能力越强
  • 相同器件的不同封装,热阻大不相同
  • 辅助散热能极大缓解散热压力(铺铜过孔、贴散热片等)

5.5纹波/噪声

  • PSRR电源抑制比(一般10Hz-3MHz范围抑制效果好)
  • LDO的纹波噪声通常小于0.1mV
  • DCDC的电源纹波通常大于10mV
  • PSRR是非常重要的噪声抑制指标
  • 越是低频的噪声越难抑制

5.6瞬态响应

  • 电源稳定性的重要参数
  • 系统偶发现复位,可能是电源瞬态响应差
  • 瞬态响应和负载电流突变幅度有关
  • 瞬态响应和负载电流突变斜率有关(100ns通常是数字电路关注的速度,1us是模拟电路关注的速度,Iout=tRISE/tFALL=1us或100ns
  • 电容太小,瞬态波动幅度大;电容太大,瞬态响应时间长。

6.优秀LDO赏析

LT3045、MCP1792、TPS7A20

7.补充总结

  • LDO静态电流往往非常之大
  • LDO的输入输出电容不要乱用,否则可能振荡

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