VASP载流子有效质量计算

在计算完能带之后，可以对载流子（电子+空穴）的有效质量进行计算，考察其光电性质。以Si的能带结构为例，如图所示，其价带顶位于高对称点Gamma处，导带底大约位于X处。

由图可知，此时会产生四个方向的载流子迁移：Gamma –> L，Gamma –> K，X –> W，X –> Gamma，因此需要计算这四个方向的电子及空穴载流子的有效质量。

其具体计算步骤如下：

第一步：准备VPKIT.in文件，其文件内容如下：

注释：第1行，设置为1，表示生成计算有效质量的KPOINTS文件，设置为2则表示计算有效质量，即先

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