测试TI高速MOS驱动芯片 TPS28225 伴随着MOS半桥
▌01 TPS28225
N-MOS驱动芯片 TPS28225 是TI公司给出的高速功率驱动芯片。它带有自适应的死区自适应控制。
▲ 典型应用电路
▌02 实验电路
1.建立元器件库
根据典型应用电路设计TPS28225的元器件库文件如下:
▲ 元器件元件图
2.设计实验电路板1
(1)TPS28225电路板
▲ 实验电路板图
▲ 快速制作PCB
(2)半桥电路2
为了测量TSP28225的一些特性,使用手边大量的 IRF3710s MOS管作为半桥电路的驱动芯片。
▲ IRF3710s
▲ TO-252 封装形式
错误: 制作PCB之后可以看到,TO-252 的封装不适合。需要重新修改。
▲ TO-252 封装形式
▲ 实验电路图和PCB设计
▲ 设计的TO-252错误的封装形式
▲ 修改后的实验电路板
▌03 电路测试
1.建立驱动板和半桥电路
▲ 电路板连接示意图
▲ 连接驱动和MOS半桥电路板
2.输入输出电压波形
▲ 输入输出波形
3. TPS28225工作电压
测试TPS28225的不同的工作电压下,测试电路的输出波形。
(1)4.0V
▲ TPS28225工作电压4.0V
(1)4.5V
▲ TPS28225工作电压4.5V
(3)5V
▲ TPS28225工作电压5.0V
4.输入信号电压范围
输入信号电压从2.0V ~ 5.0V。
▲ 输入信号2.0V
▲ 输入电压幅值2.5V
▲ 输入电压3V
▲ 输入信号幅值 4V
▲ 输入信号幅值5V
可以看到当输入电压输入电压超过2.5V的时候,输出信号正常了。因此,使用3.3V工作电压的ARM信号是可以直接驱动该TPS28225 。
注意: 在TSP28225的数据手册中介绍输入电压超过2V即可工作,但是实际测试是输入信号电压需要超过2.5V。
▲ 输入信号电压幅值从1 逐步提高到4V
※ 结论
通过实验验证了:
- TPS28225的驱动MOS半桥电路的基本功能;
- 工作电压超过4.5V ~ 8V。数据手册介绍工作电压在7 ~ 8V工作效率最高;
- 输入电压在驱动3.3V可以正常工作。
■ 相关文献链接:
- TPS28225
- IRF3710s
测试TPS28225AD工程文件:AD\Test\2021\TPS28225\TestTPS28225.SchDoc ↩︎
半桥电路的AD工程文件:AD\Test\2021\TPS28225\MOSHalfbridge.SchDoc ↩︎
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