▌01 TPS28225驱动半桥MOS电路

⊙ 相关链接：

测试TI高速MOS驱动芯片 TPS28225 伴随着MOS半桥

MOSFET驱动器汇总：单个N-CHANNEL，半桥，全桥，3项桥

1.测试电路¹

^{TPS28225数据手册}

^{^{▲ 测试电路SCH}}

^{▲ 快速制版 PCB}

PIN11	PIN12	PIN13	PIN14	PIN15	PIN16
VDD	GND	PWM	VCC	GND	OUT

^{▲ 新购买到的TPS28225}

2.电路测试

（1）当CB电容=0.1uF

VCC在不同电压值的时候，会影响输出信号。下面记录了不同的VCC对于OUT波形的影响。

当VCC超过4V的时候，输出波形消失。

^{▲ 不同的VCC对于OUT的影响}

^{▲ 不同的VCC对于HGATE波形的影响}

分析其中的原因，可以看到对于UGATE驱动是，由于CB（0.1uF）存储的电荷不够，使得UGATE的电压呈现急剧下降的波形。

^{▲ UGATE波形，VCC=3.5V}

查找 IRF3710 的数据手册，IRF3710栅极-源极之间的电容特性：

Ciss = 3130pF
Qg = 130nC

^{▲ MOS管 F3710s}

^{▲ IRF3710的基本特性}

^{▲ IRF3710的栅极和源极之间的电容}

（2）Cb使用10uF

^{▲ CB使用10uF的时候对应的UGATE的波形}

输出波形

^{▲ CB使用10UF对应的输出波形}

TPS28225中的CB需要取值满足能够给MOS 栅极驱动所需要

在 基于HIP6601的MOS的半桥电路测试 将会对比HIP6601 是否具有相同的问题。

3.测量过渡过程

^{▲ ###ts}

^{▲ 下降沿波形}

^{▲ 驱动电阻为0时对应的波形}

^{▲ 驱动电阻为10时对应的波形}

^{▲ 驱动频率为100kHz， R0=27Ω}

注意：MOS 栅极电阻，需要超过添加。

▌02 NCP3420驱动半桥

NCP3420数据手册

1.建立元器件

^{▲ 内部结构图}

^{▲ 典型应用电路}

^{▲ NCP3420 原理元器件；SOP-8}

注意：在第一次设计元器件库器件的时候，错误的将PGND的管脚（应该是PIN6)写成了PIN7，见上面这个设计，所以第一次制作的电路板并不工作。输出始终是低电平

2.测试电路图²

^{^{▲ 测试电路SCH}}

^{▲ 修改后的电路板进行测试}

非常奇怪：始终无法获得的输入输出的正确的波形！！

▌结论

■ 相关文献链接:

测试TI高速MOS驱动芯片 TPS28225 伴随着MOS半桥
MOSFET驱动器汇总：单个N-CHANNEL，半桥，全桥，3项桥
TPS28225数据手册
IRF3710
基于HIP6601的MOS的半桥电路测试
NCP3420数据手册

测试电路AD工程文件:AD\SmartCar\2021\WirelessBeacon\TestHalfBridge.PcbDoc * ↩︎
测试电路AD工程文件:AD\SmartCar\2021\WirelessBeacon\TestNCP3420.SchDoc ↩︎

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（1）当CB电容=0.1uF

（2）Cb使用10uF

3.测量过渡过程

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1.建立元器件

2.测试电路图²

▌结论

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