编译|刘春霖

出品|AI科技大本营(ID:rgznai100)

图源|IC photo

今天英特尔宣布其旗下的工厂将开始制造高通芯片，并公布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图，希望在 2025 年前赶上台积电、三星电子。

除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构 RibbonFET 和业界首个全新的背面电能传输网络 PowerVia 外，英特尔还将采用下一代极紫外光刻（EUV）技术的计划，即高数值孔径（High-NA）EUV。此外英特尔表示，AWS 将成为首个使用英特尔代工服务（IFS）封装解决方案的客户，高通也将采用 Intel 20A 制程工艺技术。

新制程节点命名体系

纳米尺度曾经指的是晶体管栅极的实际尺寸，不断缩小以保证更好的性能。但从1997年开始，基于纳米的传统制程节点命名方法，不再与晶体管实际的栅极长度相对应。

英特尔首席执行官 Pat Gelsinger 表示，下一代芯片英特尔将采用新的命名方案。目前，芯片制造商使用纳米级来指代新的芯片制程工艺或“节点”，“对于未来十多年走向超越1nm节点的创新，英特尔有着一条清晰的路径。”

英特尔去年推出的 10nm SuperFin 技术，实现了英特尔有史以来最为强大的单节点内性能增强，现在已经开始大批量生产。这一命名不会更改。

今年将推出名为 Intel 7 的 10 纳米新版本，该公司表示，每瓦功率性能将提高 10% 至 15%。2023 年和 2024 年之后的几代产品将被称为 Intel  4 和 Intel  3。

工艺路线图演进

Intel 7（之前称为10nmEnhanced SuperFin）

该制程节点上，将为面向客户端的Alder Lake和面向数据中心的Sapphire Rapids系列处理器提供动力。前者会在2021年内发布，后者则是2022年第一季度。英特尔表示，基于FinFET晶体管优化，Intel 7与Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能将提升约10%-15%。

Intel 4（之前称为7nmSuperFin）

这是英特尔关键的一个制程节点，会为包括Ponte Vecchio、客户端的Meteor Lake和数据中心的Granite Rapids在内的多款产品提供动力。英特尔表示该制程节点采用EUV光刻技术，可使用超短波长的光，刻印极微小的图样，每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进，可应用下一代Foveros和EMIB封装技术，将在2022年下半年投产，相关产品会在2023年出货。

Intel 3（之前称为7nmEnhanced SuperFin）

英特尔表示，该制程节点将在2023年下半年做好生产准备。凭借FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用，相比Intel 4在每瓦性能上实现约18%的提升，在芯片面积上也会有额外改进。

Intel 20A（真正的下一代节点）

英特尔表示，将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。其中RibbonFET是对Gate All Around晶体管的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

路线图中列出的技术变化包括新的晶体管设计和为芯片供电的新方法，两者都将于 2024 年以 Intel 20A 的名称首次亮相，该名称引用了亚纳米埃尺度，在该制程节点技术上，英特尔还会与高通进行合作。除了Intel 20A 之外，Intel 18A 已在 2025 年初开发中，对RibbonFET进行了改进，这将在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。

参考链接：

https://www.wired.com/story/intels-ambitious-plan-regain-chipmaking-leadership/

https://www.intel.com/content/www/us/en/newsroom/news/intel-accelerates-process-packaging-innovations.html

https://www.intel.com/content/www/us/en/newsroom/resources/press-kit-accelerated-event-2021.html

本文由AI科技大本营翻译，转载请注明出处。

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