IC/FPGA笔试/面试题分析(十)CMOS门电路
目录
CMOS介绍
CMOS非门
CMOS与非门
CMOS或非门
CMOS或门
CMOS与门
CMOS与或式
CMOS或与非
CMOS介绍
MOS管分为NMOS和CMOS,二者成对出现在电路中,且二者在工作中互补,构成CMOS管;
MOS管有增强型和耗尽型,数字电路中,多采用增强型MOS管。
如何识别MOS管的三个极,例如G(栅极),D(漏极),S(源极):(MOS管原理)?
MOS管何时导通?
如何画一个PNOS或一个NMOS?
CMOS非门
第一个CMOS门电路:
CMOS反相器:
如何构成一个反相器的呢?
从上图可以看出,下面是一个NMOS,上面是一个PMOS,当输入VI为低电平(0)时,由于Vgs1为0,下方NMOS不导通(内阻很高,相当于断路),而对于上方PMOS,Vgs2 = - Vdd,导通了(相当于短路),所以输出为高电平,相当于对输入取反了。
同理,当VI为高电平(Vdd),则由于下方NMOS的Vgs1为Vdd,所以导通,而上方PMOS,由于Vgs2 = 0,所以截止,固输出为低电平0.
综上:无论Vi为高电平还是低电平,NMOS和PMOS总是工作在一个截止一个导通,即互补状态,所以把这种电路结构形式成为CMOS。
CMOS与非门
上方为PMOS,采用并联连接;
下方为NMOS,采用串联链接;
对于上方PMOS,A和B任一个为低,会导通;对于下部NMOS,A和B任一个为低,都会截止,因此输出为高电平;
如果A和B都为高电平,则上方PMOS截止,下方NMOS都导通,则输出相当于接地,因此输出为低电平。
综上,完成了与非门的作用。
两输入的与非门可以画了,三输入的与非门自然不在话下:
上并下串结构:
CMOS或非门
如果与非门记忆为上并下串,则这个或非门则为上串下并,且上方均为PMOS,下方均为NMOS;
如果A和B均为0,则下方截止,上方两个PMOS均导通,则输出为高电平;
只要A和B有一个为高电平,则上方PMOS截止有一个截止,下方NMOS有一个导通,由于NMOS为并联,所以输出Y为低电平。
综上所述,为一个或非门。
CMOS或门
我们知道了CMOS或非门比较简单,就是上串下并,而且非门的CMOS电路也知道了上PMOS下NMOS的串联,那么或门自然不在话下了。
CMOS与门
同理,与门是一个与非门加一个非门得到,如下:
CMOS与或式
用CMOS门画出门电路A(B+C)
这就比上面一些更加复杂了一点,我们上面画的或门,与门以及非门都是为各种组合打基础的。
更确切的说:
最基础的为非门(上P下N),与非(上并下串),或非门(上串下并),
之后由与非和非门结合获得与门;或非与非结合获得或门;
之后或门和与门结合获得与或门;
下面的画法也是这种思路。
CMOS或与非
同上,不在话下。
最后给出一些参考资料,供查阅:CMOS门电路
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