学习自记分享：

1、区分PMOS NMOS

S源极，D漏极，G栅极
如下图，PMOS就是个P(屁），P总是往外放的，箭头向外的就是PMOS;

对于NMOS，载流子是电子，我们知道电子的流向都是从源极到漏极，但是电流的流向是从漏极到源极。
对于PMOS，载流子是空穴对，空穴对的流向也是从源极到漏极，与NMOS不同的是PMOS电流的方向也是从源极到漏极，注意区分。

上图出现的二极管为体二极管，在驱动感性负载（马达）时很重要

2、NMOS PMOS导通条件

NMOS管的主回路电流方向为D→S，S端接地（低电位），导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；

PMOS管的主回路电流方向为S→D，S端接VDD（高电平），导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高）；

3.NMOS PMOS 上下管电路

mos芯片输出驱动为什么一般用pmos做上管，nmos做下管?

其实这个问题本身有一点点不全面，只能说现在很多驱动是用 PMOS管做上管，NMOS管做下管，但是在很多驱动中，尤其是电源中，无论是上管还是下管，都是用NMOS的。

首先，为什么很多驱动是上管用P，下管用N，这个前面的答案已经讲了，简单来说，就是利用P管和N管导通特性的不同，上管用P，VGS更容易小于0，让管子导通，得到高电平；下管用N，VGS更容易大于0，得到低电平。这里要注意一个点，就是之所以P管可以用作上管，还利用了一个特性，就是当MOS管导通以后，电流既可以从D极往S极流，也可以从S极往D极流。

为什么说还有很多驱动，无论上管还是下管都是NMOS？

这是因为相同体积的PMOS管的导通电阻是比NMOS管大很多的，那么在做芯片的时候，如果想减少芯片内的损耗，就要用很大体积的PMOS+一个体积小得多的NMOS。管子体积的变大，自然会让整个IC的体积也变大很多。所以人们为了节省体积和成本，很多时候会选择上下管都用N管。

当然，如果上下管都使用N管，上管的导通就是另一个问题了。这个大家应该很容易想明白，因为在上管中S极已经是VDD了（下管截止，下管的D极就是上管的S极），那么要使VGS>0，就要使用升压电路对G极升压。电源或者一般的马达驱动电路中，是使用charge pump。

4.电荷泵的基本原理

电荷泵的基本原理：给电容充电，把电容从充电电路取下以隔离充进的电荷，然后连接到另一个电路上，传递刚才隔离的电荷。

如下图最简单的电荷泵，假设二极管为理想二极管。跨接电容A端通过二极管接Vcc，另一端B端接振幅Vin的PWM方波。当B点电位为0时，A点电位为Vcc；当B点电位上升至Vin时，因为电容两端电压不变，此时A点电位上升为Vcc+Vin。所以从图中可知，A点的电压就是一个PWM方波，最大值是Vcc+Vin，最小值是Vcc。

5.升压电路举例

上管电路利用充电泵电容实现升压电路

原理图1

Q3导通时C7充电到24V,Q3截止时，24V电压加到C7负极，抬升C7正电压，通过D2流到NOMS栅极，C1滤波，R15 R16分压；

原理图2

1、上电时：电源+11V流过D1、D2向C3充电，C3上的电压很快升至接近11V；

2、以C+和C-为例，当C+和C-都为高电平时，Q8导通，Q3截止，Q6导通，C1负极被拉低，C1形成充电回路，会很快C1充电至11V;

3、当PWM波形翻转，即C+和C-都为低电平，Q8截止，Q3导通，Q6截至，Q3的D、S极电压相等，C1负极电位被抬高到接近电源电压11V，水涨船高，此时C1正极电位已超过电源电压，并高于C3端电压。因为D1的存在，该电压不会向电源倒流；此时开始向C3充电，C3上的端电压被充至接近2倍电源电压22V；

4、只要Q3、Q6一直轮流导通和截止，C1就会不断向C3充电，使C3端电压一直保持22V的电压。

6、C3端22V的电压就可以驱动三个上桥臂MOS管Q1、Q2、Q3。

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