模拟集成电路设计

文章目录

模拟集成电路设计第二章（何乐年）
一、MOS管
二、输入、输出阻抗计算
三、放大器
- 3.1 共源级放大器
- 3.2 共栅级放大器
- 3.3 共漏级放大器（源跟随器）
- 3.4 共源共栅放大器
总结

模拟集成电路设计第二章（何乐年）

一、MOS管

晶体管本征跨导

二、输入、输出阻抗计算

1.输入阻抗将电压输出短接，有点类似于计算小信号下的放大增益。
2.输出阻抗将输入全部短接，给输出一个电源，画小信号电路图。

三、放大器

3.1 共源级放大器

3.1.1 电阻负载
Av = -gm(r0||Rd) #r0是调制系数，Rd是负载

3.1.2 恒流源负载
恒流源可用mos管替换

Av= -gm（r0||roc） #r0是调制系数，roc是电流源内阻

3.1.3 栅漏短接的二极管负载

Av= -gm1/gm2 # gm1是共源级放大输入管， gm2为二极管负载mos管

3.1.4 带源极电阻负反馈的共源放大器

3.2 共栅级放大器

电流增益为-1
能够提高输出阻抗，具有低输入电阻，单位增益电流。

3.3 共漏级放大器（源跟随器）

3.4 共源共栅放大器

1.输入管的电压增益小，若gm1=gm2，则约为-2。
2.输出电阻约为r03, 电路的小信号增益为 -gm1r03，比单纯的共源级高。且由M1和M3管共同决定。
3.共源共栅的一级放大增益小（-2），因此等效的米勒电容影响小，适合高频放大，具体见下图。

总结

1.计算增益总体还是按照拉扎维书中的 Av= -gmRout来计算
2.Vbs（体效应/背栅效应）是否存在，要看源极和衬底能否接在一起（需要DNW工艺），对于做在P阱中的NMOS管来说，可以相接。

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