STM32 进阶教程 13 – FLASH的读写操作
前言
在嵌入式应用开发中，经常会遇到掉电后还要保存的信息，这些信息通常只能保存在外部的一些存储芯片中，如外部flash,外部EEPROM, 其实这些信息同样可以保存在STM32自带的内部flash中，本节将带领大家来实现这一操作。
示例详解
基于硬件平台： STM32F10C8T6最小系统板， MCU 的型号是 STM32F103c8t6, 使用stm32cubemx 工具自动产生的配置工程，使用KEIL5编译代码。
本示例所用的最小系统板原理图：
- 关于CUBEMX工具及KEIL工具的操作将不再细讲，如果还有不熟悉的可以查看之前的教程文档。下面直接介绍工程配置：
- 系统时钟树
- 定时器配置
- 引脚配置（本例保持默认即可）
- 中断配置（保持默认）
- 调整堆栈大，将栈大小设为大于2k,因为本案例操作flash会用到：
- 工程代码
- 将事先准备好的flash.c 及flash.h加入到工程中（flash.h文件放在INC文件夹下即可）：
- 在main.c中加入如下代码
- 编译工程无错误后，调试程序：
View->memory windows->memory 1打开内存观察窗口，并在地址栏中输入：0x800c000,观察将要修改的flash区间区容：
View->Watch windows->Watch 1打开一个变量观察窗口，将变量FlashWBuff 和 FlashRBuff加入到 Watch 1 观察窗口：
View->Periodic Windows Update开启变量自动更新：
F5,全速运行程序，可以看到数组FlashRBuff中内容与数组FlashWBuff中内容一样了：
同时在Memory 1窗口中可以看到在FLASH地址0x0800C000区成功写入对应内容：
断电，重新上电后再次调试，程序刚停在main入口处时还可以看到Flash对应区间的内容保持上一次写入内容值：
学习完本节内容，以后基于STM32开发就可以省去一些外部flash或EEPROM了。
OK,本期实验完成！下期见！同时如果大家有什么疑问或是有想了解的其它内容，也欢迎大家留言！！最后喜欢这个公众号的同学们记得加关注了，会有不定期技术干货推出！！
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