Silvaco学习笔记（十二）毕设相关
感觉很乱，需要写一写整理一下思路
按照师兄代码里的physics和math都更改一下，看是否会收敛。
Physics(
MaterialInterface="Silicon/Oxide") {
Traps((FixedCharge Conc=1.8e+11))#界面陷阱电荷-固定电荷
Recombination (SurfaceSRH #复合模型是表面SRH，我没找到，暂时用surf.rec代替)
}
Physics {AreaFactor = 1 #一个因子，暂时忽略Temperature = 300 #温度=300，在silvaco的models语句用temp参数指定IncompleteIonization #不完全电离/离化模型=silvaco的incompMobility ( #迁移率模型DopingDependence #掺杂依赖？猜测=silvaco的conmob浓度依赖迁移率模型eHighFieldSaturation #电子迁移率高场饱和效应hHighFieldSaturation #空穴迁移率高场饱和效应 我先用平行电场依赖模型（fldmob）代替Enormal #表面粗糙度散射（Enormal）引起的迁移率降低导致的载流子迁移率降低 手册里没找到CarrierCarrierScattering #CCSMOB载流子散射模型)Recombination ( #复合模型SRH (#SRHDopingDependence#TempDependence#ElectridFieldTunneling(Hurkx))Auger (withGeneration) #AugereAvalanche(Eparallel)hAvalanche(Eparallel)Band2Band (Hurkx))EffectiveIntrinsicDensity (OldSlotboom) #BGN 带隙变窄模型
}
sentaurus的模型，目的是读懂其中模型的意思，将其转化为silvaco的模型。
对于silvaco，atlas_users1里边的第三章对physics（物理模型）有详细的讲解。
英文版的用户手册看着好费劲呀，也不知道对不对，还有一个方法就是继续学习例子里的模型。包括参数定义
跑一下standard器件，也就是单像素，p区的变化。
跑一下电阻率变化，和掺杂不同：究竟是直接改电阻率还是直接改掺杂？由于目标是电阻率，还是直接改电阻率吧
method
Basic Drift Diffusion Calculations
The isothermal drift diffusion model requires the solution of three equations for potential,
electron concentration, and hole concentration. Specifying GUMMEL or NEWTON alone will
produce simple Gummel or Newton solutions as detailed above. For almost all cases, the
NEWTON method is preferred and it is the default.
Specifying:
METHOD GUMMEL NEWTON
will cause the solver to start with GUMMEL iterations. Then, switch to NEWTON if convergence is
not achieved. This is a robust but a more time consuming way of obtaining solutions for any
device. This method, however, is highly recommended for all simulations with floating
regions such as SOI transistors. A floating region is defined as an area of doping, which is
separated from all electrodes by a pn junction.#漂浮区域（SOI）
BLOCK is equivalent to NEWTON for all isothermal drift-diffusion simulations.
物理模型和数值方法:
BJT：
#材料定义
material taun0=5e-6 taup0=5e-6
#接触定义
contact name=emitter n.poly surf.rec
#模型
models bipolar print
#数值方法
method newton autonr trap contact name=emitter n.poly surf.rec
contact name=base1 common=base short
#基极1和基极短路
models bipolar print solve init# change to two carriers
method newton autonr trap models conmob fldmob consrh auger print
contact name=emitter n.poly surf.rec
method newton autonr trap#牛顿理查德方法
contact name=base current
contact name=emitter n.poly surf.rec
material taun0=5e-6 taup0=5e-6
models bipolar print
impact selb#碰撞离化模型
method newton trap
contact name=base current
method newton trap ir.tol=1.e-20 ix.tol=1.e-20contact name=emitter n.poly surf.rec
material taun0=5e-6 taup0=5e-6
models bipolar print
method newton trap
method compress fermi
diffuse time=45 temp=900 nitrogen material material=Polysilicon taun0=1e-9 taup0=1e-9 mun=40 mup=2
material material=Silicon taun0=5e-6 taup0=5e-6
models
models material=Silicon bipolar print
models material=Polysilicon srh #分材料/区域设定模型
method newton autonr trap
contact name=base current
contact name=emitter n.poly surf.rec
models bipolar print
material taun0=1e-6 taup0=1e-6
solve init
method newton trapccd
contact name=sto_gate n.poly
contact name=tra_gate n.poly
material taun0=1e-7 taup0=1e-7
models cvt consrh bgn auger print
interface qf=3e10
method newton climit=1e-4 method fermi compress
diffus time=320 temp=1000 nitro press=1.00contact name=gate1 n.polysilicon
contact name=gate2 n.polysilicon
contact name=substrate models conmob fldmob srh print
method newton itlimit=60 trap carriers=0material material=Silicon real.index=1.45 imag.index=0.005
models conmob fldmob srh print
method newton autonr trap itlimit=30 carriers=2diode
model conmob fldmob srh auger bgn #浓度依赖迁移率模型、平行电场依赖模型、复合模型、俄歇复合模型
contact name=anode workf=4.97 #功函数 肖特基接触
method newtonmodels srh conmob bgn auger fldmob hcte #bgn能带变窄模型、hcte能量平衡模型,计算电子和空穴温度
impact selb length.rel lrel.ho=0.025 lrel.el=0.025#selb碰撞离化模型的一种,lrel.ho/el电子和空穴的能量弛豫长度（um）
material taurel.el=0.25e-12 taumob.el=0.25e-12 taurel.ho=0.25e-12 taumob.ho=0.25e-12
#TAUREL.EL：指定了在能量平衡模型中的电子的弛豫时间
#TAUREL.HO：指定了在能量平衡模型中的空穴的弛豫时间
#taumob.el：指定在温度依赖的迁移率模型中电子的弛豫时间
#taumob.ho：指定与温度相关的迁移率模型中的空穴的弛豫时间
method block newton climit=1.e-5
#在含有晶格加热或能量平衡方程时 block 迭代法很有用。Block 迭代法计算一些子方程组（subgroup of equations），子方程组由一些不同方程按不同的顺序组成。
在不等温的漂移--扩散仿真时指定 block 迭代法，则 newton 迭代法将更新（update）势和浓度，去耦之后计算热流方程。热流方程和载流子温度方程都包含时，block 法将先计算
最初的温度，然后晶格温度去耦之后再迭代进行计算。
在包含晶格加热或能量平衡计算时可以先采用 block 迭代法然后 newton 迭代法的方式，
block 迭代法的次数上限用 nblockit 参数设置contact name=emitter current#电流控制接触
method newton climit=1e-5models srh conmob bgn auger fldmob
impact crowell #和selb一样，都是碰撞离化模型的一种
method newton climit=1.e-4 material permittivity=9.66 eg300=3.00 egbeta=0. egalpha=3.3e-4 \augn=2.8e-31 augp=9.9e-32 vsat=2.0e7 \tmun=2.25 tmup=2.25 lt.taun=2.3 lt.taup=2.3
#permittivity：材料的电学介电常数；eg300：300K 时的禁带宽度（eV）；\
egbeta：禁带宽度随温度变化的 β 参数（K）；egalpha：禁带宽度随温度变化的 α 参数（eV/K）；\
augn：电子俄歇系数（cm6/s）；vsatn：电子饱和速度（cm/s）；vsatp：空穴饱和速度（cm/s）。\
TMUN、TMUP：分别指定电子晶格迁移率和空穴晶格迁移率的温度依赖性的晶格温度系数。\
lt.taun、lt.taup电子空穴寿命受晶格温度的影响指数因子（无量纲）；
material num=1 mun0= 35.0 mup0= 25.0 taun0=1.e-9 taup0=1.e-9
material num=2 mun0=330.0 mup0= 60.0 taun0=1.e-7 taup0=1.e-7
material num=3 mun0=120.0 mup0= 35.0 taun0=5.e-9 taup0=5.e-9
#mun：低电场时电子迁移率（cm2/(V.s)），指定迁移率浓度依赖模型； taun0：SRH 复合的电子寿命（s）；
model fldmob srh auger bgn print temperature=300
impact selb an1=1.66e6 an2=1.66e6 bn1=1.273e7 bn2=1.273e7 \ap1=5.18e6 ap2=5.18e6 bp1=1.4e7 bp2=1.4e7
#AN1, AN2, BN1, BN2, EGRAN：指定塞尔伯赫尔冲击电离模型的基本参数集。method newton dvmax=1e8 climit=1.e-5
dvmax:设置每次牛顿迭代中允许的最大潜在更新。在模拟高压器件时，通常需要有较大的电压阶跃。
如果任何模拟需要10V或更高的电压，请将DVMAX设置为100,000。在某些情况下，降低DVMAX可以
抑制结果中的振荡，从而导致更稳定的结果。但是，不建议DVMAX过度降低，因为允许的最大电压步长
将受DVMAX*的限制。此参数的别名为N. DVLIM。method fermi compress
diffus time=30 temp=1000 nitro press=1.00models bipolar bbt.std print #bbt.std：带带隧穿模型的标准模型
impact selb #碰撞离化模型
method newton trap maxtrap=10 climit=1e-4MODELS MOS PRINT
enables the CVT, SRH, and FERMIDIRAC models, while the statement:
MODELS BIPOLAR PRINT
enables the CONMOB, FLDMOB, CONSRH, AUGER, and BGN.
method carrier=2
当计算后的结果（主要是电势，浓度，晶格温度和载流子温度）在可容忍的范围内时非
线性迭代就终止，即结果收敛。
计算的载流子种类数。默认是 2，也可以是 1 或 0。载流子类型 elec 和 hole 分别表示电
子和空穴。如果载流子类型设置为 0 时，将主要得到电势分布的仿真结果。contact name=anode neutral resist=5e2
models consrh analytic fldmob evsatmod=1 b.elec=2 \boltzman print temperature=300
#analytic：浓度和温度依赖迁移率模型
method carriers=1material region=1 taup0=0.05e-6 taun0=0.15e-6
material region=2 taup0=1e-6 taun0=3e-6
#SRH复合的电子空穴寿命
model analytic conmob fldmob srh auger bgn lat.temp #lat.temp能仿真晶格的自加热效应
thermcont numb=1 elec.num=2 ext.temp=300 #热接触状态由 thermcontact 描述\Ext.temp 为仿真时热接触处的环境温度models bipolar temperature=150 kla analytic
models bipolar temperature=200 kla analytic
models bipolar temperature=250 kla analytic
models bipolar temperature=300 kla analytic
models bipolar temperature=350 kla analytic
#kla指什么？查找到有klasrh、klaaug等contact name=anode aluminum
models srh nspecies=2 species1.z=2 species2.z=-1 #模拟的离子种类最多为3个（如果启用GIGA则为2个）。SPECIES1.Z离子种类1
method species.maxx=1.0e6 species.ins #SPECIES.MAXX给出了在牛顿迭代过程中浓度的最大相对更新。
#SPECIES.INS仅将一般离子限制在绝缘体区域。material silicon taun0=1e-7 taup0=1e-7 #SRH复合的电子空穴寿命
material oxide mc=0.42 mv=0.2
contact name=cathode n.poly qtunn.cmass=0.5 qtunn.vmass=0.5
#qtunn.cmass指定在直接量子隧穿模型的接触中使用的电子有效质量
#qtunn.vmass指定在直接量子隧穿模型的接触中使用的空穴有效质量
models print conmob fldmob consrh qtnlsc.el qtnl.derivs
#qtnlsc.el使电子的自发量子隧穿模型成为可能。
#qtnl.derivs在自洽直接量子隧穿模型中实现雅可比矩阵中的非局部耦合。
method newton clim.dd=1e8 dvmax=0.1 #climit=clim.dd
eprom
method compress fermi
diffuse time=10 temp=950 dryo2
contact name=fgate n.polysilicon floating #1浮动电极
contact name=cgate n.polysilicon #多晶硅
interface qf=3e10#表面电荷
models srh cvt hei fnord print nearflg #cvt集成模型；hei:热载流子注入模型;\
fnord:Fowler-Nordheim 隧穿模型;nearflag：指定在使用HEI、HHI或FNSONOS时用于氧化\
物传输的模型。默认值是假的，它设置了一个纯粹的基于漂移的模型，将栅极电流分配给电极所在的\
电极 c场线通过氧化物终止。设置NEARFLG代替这个模型与一个假设栅极电流流到电极物理上最近的\
注入点。这是假设 一种纯粹的扩散输运机制。建议为只有一个门或粗网的设备设置近玻璃。
impact selb#碰撞离化模型
method newton trap maxtraps=8 autonr #牛顿理查德模型，最大折半次数为8
models srh cvt hei fnord print nearflg
method carriers=0#如果载流子类型设置为 0 时，将主要得到电势分布的仿真结果
models srh cvt hei fnord print nearflg
impact selb
method newton trap maxtraps=8 carriers=2
contact name=drain resistance=1.e20
method newton trap maxtraps=8 autonr c.tol=1.e-4 p.tol=1.e-4
先这样了，没有需求驱动，写不下去了，之后再补充
Silvaco学习笔记（十二）毕设相关相关推荐
- ROS学习笔记十二：使用roswtf
ROS学习笔记十二:使用roswtf 在使用ROS过程中,roswtf工具可以为我们提供ROS系统是否正常工作的检查作用. 注意:在进行下列操作之前,请确保roscore没有运行. 检查ROS是否安装 ...
- Python语言入门这一篇就够了-学习笔记(十二万字)
Python语言入门这一篇就够了-学习笔记(十二万字) 友情提示:先关注收藏,再查看,12万字保姆级 Python语言从入门到精通教程. 文章目录 Python语言入门这一篇就够了-学习笔记(十二万字 ...
- 吴恩达《机器学习》学习笔记十二——机器学习系统
吴恩达<机器学习>学习笔记十二--机器学习系统 一.设计机器学习系统的思想 1.快速实现+绘制学习曲线--寻找重点优化的方向 2.误差分析 3.数值估计 二.偏斜类问题(类别不均衡) 三. ...
- Polyworks脚本开发学习笔记(十二)-输出和读取文本文件
Polyworks脚本开发学习笔记(十二)-输出和读取文本文件 Polyworks作为一个测量工具,将测量的数据方便的导出到文本文件则是一项必须的功能.在DATA_FILE这个命令下提供了很多子命令用 ...
- OpenCV学习笔记(十二)——图像分割与提取
在图像处理的过程中,经常需要从图像中将前景对象作为目标图像分割或者提取出来.例如,在视频监控中,观测到的是固定背景下的视频内容,而我们对背景本身并无兴趣,感兴趣的是背景中出现的车辆.行人或者其他对象. ...
- 【现代机器人学】学习笔记十二：轮式移动机器人
目录 轮式机器人类型 全向轮式机器人 建模 单个全向轮是怎么运动的 多个全向轮是如何带动底盘运动的 运动规划和反馈控制 非完整约束轮式移动机器人 建模 独轮车 差速驱动机器人 车型机器人 非完整移动机 ...
- 【theano-windows】学习笔记十二——卷积神经网络
前言 按照进度, 学习theano中的卷积操作 国际惯例, 来一波参考网址 Convolutional Neural Networks (LeNet) 卷积神经网络如何应用在彩色图像上? 卷积小知识 ...
- (C/C++学习笔记) 十二. 指针
十二. 指针 ● 基本概念 变量的地址就是指针,存放指针的变量就是指针变量(因而又叫作地址变量 address variable); 这个地址编号本身就是一个无符号的整数,在32位系统下为4字节(8位 ...
- Vue.js 学习笔记 十二 Vue发起Ajax请求
首先需要导入vue-resource.js,可以自己下载引入,也可以通过Nuget下载,它依赖于Vue.js. 全局使用方式: Vue.http.get(url,[options]).then(suc ...
- Silvaco学习笔记（二）毕设相关
写在前面 器件结构V1已经初见雏形,下面该器件仿真,获取电流电压特性,但是在电极定义中遇到了困难,电极定义: electrode name=anode x=6 y=-0.5 electrode nam ...
最新文章
- R语言ggplot2可视化分组散点图、将图例放置在图像内部的指定区域、自定义缩放图例中点形状pch的大小（增大或者缩小）、change size of shape elements
- Should i Backup all my domain controllers
- EM算法matlab和Java实现
- c语言迭代法求平方根_求平方根问题 (C++ 实现)
- 双机热备_双机热备软件哪个好？双机热备软件推荐
- Numpy统计计算、数组比较，看这篇就够了
- 用开源代码如何建立网站_糖尿病患者找到开源并建立自己的医疗设备
- [LeetCode] 3Sum
- MongoDB学习day10--数据库导入导出
- 修改了JS代码，刷新网页后，加载的JS还是原来旧的？
- python学习-(__new__方法和单例模式)
- 黑马程序员 oc中的类与对象
- cnm的下载频道，再c一次。
- Wordle_1.0
- IT项目经理与职能经理的工作有什么不同
- 误差反向传播法实现手写数字识别（纯numpy实现）
- python打印日志方法的使用
- B - 电影节 并查集
- 发出警报声的c语言程序,PIC单片机警报声C程序
- 云计算HCIP实验-vAG和ITA搭建（VMware）