PMOS NMOS电流流向及符号图
with NMOS, current flows from Drain-to-source (arrow points away from device at the Source)
with PMOS, current flows from Source-to-drain (arrow points to the device at the Source)
NMOS是栅极高电平(|VGS| > Vt)导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。
PMOS是栅极低电平(|VGS| > Vt)导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。
NMOS因Source端一般接地(低电位),所以要让|VGS| > Vt, 则Gate端一般要接正电压,这样管子才能导通;
PMOS因Source端一般接VDD(高电平),所以要让|VGS|>Vt,则Gate端一般要接负电压(低于VDD的电压),这样管子才能导通。
NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压;
PMOS增强型管:uG-uS<0 , 且 |uG-uS|>|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压;
PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反
电流流向:
nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的,一般NMOS的源极接衬底,共同接到地,漏极到源极加上正电压,电子从源极向漏极流动,我们取电流的方向和电子流动的方向相反,所以电流是漏极流到源极。
如果NMOS的源极不接衬底,不接到地,那么只要是G-S正偏就可以,Vgs大于门槛电压,MOS就可以导通。
电流可由D–>S(nmos),也可S–>D(pmos)。主要是看源极和漏极之间的电位,漏极电位高于源极,电流D到S。源极电位高于漏极,电流S到D。
NMOS:
PMOS:
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原文链接:https://blog.csdn.net/chenhuanqiangnihao/article/details/112542695
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