场效应管P-MOS N-MOS

PMOS:

NMOS:

NMOS是栅极高电平（VGS > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。
PMOS是栅极低电平（VGS < Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。

G:栅极，S源极，D漏极（类比：三极管：b基极，e发射极，c集电极）

PMOS的特性是当Vgs的值小于一定的值时管子就会导通，适合源极接VCC的情况。下面是增强型PMOS工作特性曲线：

由图可知，Vgs越大，允许的漏极电流越大。管子工作包含四个区：可变电阻区，恒流区，击穿区，截止区，如下图所示：

其中恒流区又叫做饱和区，管子正常工作就在这个区。有两个图可知，当Vgs的绝对值高于4V时管子截止，低于这个值时管子导通。IRF9540N的这个门限值导通值在-2~-4之间，Vgs只有高于4V管子才能截止。但是我做的系统中电源电压在4V以下，所以这个管子其实是不能用的。

KUI 20170520

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场效应管P-MOS N-MOS

PMOS:

NMOS是栅极高电平（VGS > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。
PMOS是栅极低电平（VGS < Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。

G:栅极，S源极，D漏极（类比：三极管：b基极，e发射极，c集电极）

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