MOSFET规格书导读

前言：写这篇规格书导读的初衷，是为了让更多人更好的入门。如何看懂一个功率器件的产品规格书，对于设计电路尤为重要。毕竟不管是学校实验室、还是各位同行的老板都不会有资金给你肆意挥霍，一颗颗器件测试能不能用，烧了、爆了就换下一颗器件。

由于大部分规格书是英文的，打洋文很麻烦，还要注意大小写啥的，所以我选择截图的方式来呈现。这次选用的是华润微CRST055N08N这颗料来进行说明。其实也很想选用英飞凌的规格书来书写这篇博客，但是想了想，我也不想给洋鬼子打广告（尽管它的参数、性能确实比国产优秀）。然后本人住的地方附近有一家华润微的厂，想了想就选用华润的MOSFET来说明吧（尽管当年在智联招聘给华润微发简历，结果理都没理我）。

12V-300V NMOS_华润微电子欢迎您

以上是规格书的下载地址。大家可以下载看，也可以只看我的截图。

如上图，首先红字部分是，这颗料的名字CRST055N08N，另外旁边还有CRSS052N08N的红字。是因为CRST055N08N是TO-220封装的MOSFET，CRSS052N08N是TO-263封装。其实两颗料使用的晶圆是同样的。

SkyMOS1表示的是相关制造技术。N-MOSFET表示它是一个N沟道的MOSFET。后面跟着的是它的耐压、内阻、过电流能力。

特点：1、使用华润高级的技术（巴拉巴拉巴拉，这技术具体是啥并不清楚）

2、极低的内阻

3、优秀的质量因数

4、符合JEDEC标准

应用：

电机控制与驱动
电池管理
不间断电源

接下来是两种封装的示意图和MOSFET的电气符号。

表格里写的是包装和订购的一些信息。

额定最大值，从上到下分别是：

耐压
不同情况（不同温度）下的过电流能力
脉冲过电流能力
单次雪崩能力
栅源电压（有个正负号，表示它正向、反向的能力都是20V）
功耗:

Pd=(Tjmax-Tc)÷Rθ

Tjmax——最大结温

Tc——壳温

Rθ——热阻

工作结温与储存温度

MOSFET的热性能

第一个是表示MOSFET的芯片到外壳的热阻，第二个表示MOSFET的芯片到外部环境的热阻。（热阻越大，散热越慢，发热越剧烈，同样的工作环境下，发热大的功率器件，先烧。）

接下来是MOSFET的电气特性。Test Condition中标识的是这个参数如何测量，电路如何搭建。

接下来看参数，首先是静态特性，包含以下参数：

耐压BVDSS：表示MOSFET间生产商保证能抗住的电压。
开启电压VGS(th) ：MOSFET是电压控制型器件，给多大栅极电压能完全打开MOSFET，就是开启电压。
漏源泄露电流IDSS：不给MOSFET开启电压时，给一个80V电压到漏源两级，会有如规格书标称的泄漏电流流过漏源两级。
栅源泄露电流IGSS：把漏源短路了，然后给栅源20V电压，会有如规格书标称的泄露电流流过栅源。
导通内阻RDS(on) ：器件工作时的内阻。
跨导gfs：表示栅源电压对Id的控制能力。

接着，上图内容是MOSFET的动态特性。

首先是三个电容：Ciss、Coss、Crss。（输入电容、输出电容、反向电容）其中输出电容和反向电容越大、器件关断就慢、关断损耗就高、发热就大。
接下来是三个充电电量：QG、Qgs、Qgd。（栅极总充电量、栅源充电量、栅漏充电量）这三个数值对驱动部分的损耗有影响，QG越大，损耗越高。
接下来是测试的几个时间，按顺序分别是：开启延迟时间、开启上升时间、关断延迟时间、关断下降时间。
RG：栅极寄生电阻，该参数会影响MOSFET的开通与关断时间。

上图表示的是MOSFET的体二极管特性：

体二极管正向导通电压（不能太大，太大损耗就大，发热就大）
体二极管反向恢复时间（不能太大，太大损耗就大，发热就大）
体二极管反向恢复充电量(与反向恢复时间成正比，一般是小一点比较好)

接下来是器件的一些特征图：

当Ugs为常数时，漏极电流与漏源电压之间的关系

表示了开启电压对ID的控制能力。

过电流的大小对导通内阻有影响

第一个小点：在Vgs到达阈值电压后，Vgs继续升高，内阻会下降。第二个小点：在Vgs相同的情况下，MOSFET的温度对内阻有影响。（MOSFET完全开启后，MOSFET的温度越高，内阻越大）

MOSFET结温越高，内阻越大。

Vds越高，Ciss、Coss、Crss都会降低。这里再补充以下关于MOSFET寄生电容的内容。Ciss=Cgd+Cgs；Coss=Cgd+Cds；Crss=Cgd。

栅极充电量随着Vgs身高而增大。这个值在于挑选MOSFET的时候，两家竞品对比用，Qg小点，损耗就小。

在Vgs=0V时，给一个Vsd电压。MOSFET的体二极管可以供电流通过。这个电流的大小和温度因素也是相关的。在应用中，这个值可以代表MOSFET的续流能力强弱。

p=(Tjmax-Tc)/Rθ, （P的计算公式），结合图片可以很清晰的知道，壳温越高，P越小。

Id=√（(Tjmax-Tc)/（Rdson*Rθ）），（Id的计算公式），还是结合图片，得出结论：Tc的温度越高，MOSFET的过电流能力变弱。

图的中文名叫“安全工作区”，洋名叫“塞夫·奥普润兴 ·埃尔”。简单来讲在他想告诉大家的就是在这几个梯形框框内的Vds和Id下，是可以正常工作的。右边的1us、10us…..的是电流的脉冲时间。最苛刻的是直流情况，所以标记DC的那个梯形体积最小。

“瞬态热阻抗”：反映了器件每消耗单位功率所引起的结温升高随脉冲持续时间tp的变化情况

接下来的部分是一些参数如何测量的测试电路和生产厂家给你测出来的波形。

接下来的是MOSFET的封装信息+尺寸。

规格书中和技术有关的信息就到这结束了，其实后面还有一些内容，写的可能是规格书更新的一些情况，或者免责声明。

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