MOSFET规格书参数详解
MOSFET规格书参数详解(参考AOD444)
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说明:MOS管漏极和源极最大耐压值。
测试条件:在Vgs=0V,栅极和源极不给电压。
影响:超过的话会让MOSFET损坏。
说明:ID的漏电流。
测试条件:在Vgs=0V,在漏极和源极两端给48V的电压。
影响:漏电流越大功耗越大。
说明:栅极漏电流
测试条件:在Vgs=+-20V,在漏极和源极两端不给电压。
影响:
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说明:开启电压
测试条件:在Vgs=Vds,在漏极和源极两端电流控制在250uA。
影响:低于参考值可能出现不导通现象,设计时需要考虑范围值。
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说明:完全开启,漏极和源极两端最大过电流30A,
测试条件:在Vgs=Vds,在漏极和源极两端电流控制在250uA。
影响:低于参考值可能出现不导通现象,设计时需要考虑范围值。
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说明:导通时,Vds的内阻
测试条件:在Vgs=10V,通过12A的电流;Vgs=4.5V,通过6A的电流,在漏极和源极两端的内阻。
影响:内阻越小,MOS过的电流越大,相同电流下,功耗越小。
说明:跨导的单位是A/V。是源极电流Id比上栅极电压Vgs,是栅极电压对源极电流的控制作用大小,
跨导:
线性压控电流源的性质可表示为方程 I=gV ,其中g是常数系数。系数g称作跨导(或转移电导),具有与电导相同的单位。 这个电路单元通常指放大器。
在MOS管中,跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上,跨导为曲线的斜率。
单位是 S (西门子),SI基本单位量纲 m^-2˙kg^-1˙s^3˙A^2 ,一般用mS
测试条件:
影响:
说明:MOS管体二极管的正向导通压降
测试条件:在VGS=0V,体二极管正向通过1A的电流。
影响:
说明:体二极管可承受最大连续续电流
测试条件:
影响:如果偏小,在设计降额不充裕的系统中或在测试OCP,OLP(逐周期电流限制保护(OCP),限制最大输出电流;过载保护(OLP),限制最大输出功率;)
的过程中会引起电流击穿的风险
说明: Ciss=Cgs+Cgd 输入电容
Coss=Cds+Cgd 输出电容
Crss=Cgd(米勒电容)
测试条件:
影响: Ciss:影响到MOS管的开关时间,Ciss越大,同样驱动能力下,开通和关断时间就越慢,开关损坏也就越大。较慢的开关速度对应会带来较好的EMI
Coss和Crss:这两项参数对MOSFET关断时间略有影响,其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时,传输到MOSFET栅极电压能力的大小,对雷击测试项目有一点的影响。
说明:
测试条件:
影响:
说明: Qg:栅极总充电电量
Qgs:栅极充电电量
Qgd:栅极充电电量
tD(on):漏源导通延迟时间
tr:漏源电路上升时间
tD(off):漏源关断延迟时间
tf:漏源电路下降时间
测试条件:
影响:参数与时间相互关联的参数,开关速度越快对应的优点是开关损耗越小,效率高,温升低,对应的缺点是EMI特性差,MOSFET关断尖峰过高。
说明:反向恢复时间
测试条件:
影响:该参数如果过大,在桥式或LLC系统中会导致系统损耗过大,温升过高。同时也加重了电路直通的风险
说明:反向恢复充电电量
测试条件:
影响:该参数与充电时间成正比,一般越小越好
A
说明:漏极单脉冲电流
测试条件:Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T J(MAX)=175°C. Ratings are based on low frequency and duty cycles to keep initial
TJ =25°C.
影响:反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电流强度,该参数过小,有电流击穿风险
说明:
测试条件:
影响:
说明:
测试条件:
影响:
说明:
测试条件:
影响:
说明:
测试条件:
影响:
说明:
测试条件:
影响:
说明:
测试条件:
影响:
转载于:https://www.cnblogs.com/jasin/p/10219229.html
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