高低温对Nand Flash原始误码率（RBER）及Operation time的影响
研究范畴：
仅仅研究不同的温度条件对Nand Flash原始误码率的影响，不考虑其他因素；
使用为随机数为测试pattern，每个page、每次写入都自动生成不同的为随机数。
作者观点：
任何理论研究都是从“点”开始，只有点的积累才有“面”的具体应用，本人喜欢技术探讨，但痛恨没有实际研究经验、从不分享自己成果、又看谁都不如自己、喜欢挑刺的、纯理论派的 “专家”，这类人的存在只会打击他人分享成果的积极性，“专家”请自重、慎言。
本文亦不含任何广告性质、销售性质、导流性质等内容，生性多疑者请立即关闭窗口离开。
欢迎就Nand Flash高低温测试的方式、方法、观点进行讨论和留言，有价值的方法、观点会有小小礼物赠送。
Nand Flash的在高温和低温环境下是否可以正常工作，是很多研发人员和用户关心的问题，受限于昂贵的专业闪存测试设备和高低温设备，多数人并没有条件对实物进行真实的测试，希望本文对闪存研究者有所帮助。
本文对2D Nand Flash的MLC（29F16B08CCME2）和SLC（29F32G08CAND2）分别做如下温度测试：
低温：
-40°C，-45°C，-50°C，-55°C，-60°C，-65°C
高温：
+85°C,+95°C，+100°C（+125°C时USB数据线融化，测试失败）
MLC高温测试结果汇总：
MLC低温测试结果汇总：
SLC高温测试结果汇总：
SLC低温测试结果汇总：
值得关注的是SLC在低温环境下Operation时间的变化：
-55°C
-65°C
而同等温度条件下，MLC则没有明显的变化（同步模式下与异步模式下表现相同）：
-55°C
-65°C
仅就本次测试芯片而言（不代表所有Nand Flash），结论如下：
MLC低温影响比高温影响更明显；
MLC在高温和低温条件下性能不会发生明显的变化；
SLC则相反，高温影响明显高于低温影响；
但是，在低温条件下，虽然误码率不明显，SLC的性能会变慢；
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