《炬丰科技-半导体工艺》超声水在硅片清洗过程中的潜力

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：超声水在硅片清洗过程中的潜力

编号：JFKJ-21-278

作者：炬丰科技

介绍

作为硅器件技术在微电子和光伏行业，超净晶圆表面理化性质的良好控制研究进展。因此，清洁的衬底表面在大规模集成(ULSI)制造工艺中至关重要，以获得最大的器件性能、长期可靠性和高产量，存取存储器(DRAM)的制造过程有多达70个清洗步骤。在0.18 μ m互补金属氧化物半导体中，共400步 (CMOS)技术的清洗步骤。

声学基本原理

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