logisim实验五：汉字字库存储芯片扩展实验

实验目的

理解存储系统进行位扩展、字扩展的基本原理，能利用相关原理解决实验中汉字字库的存储扩展问题，并能够使用正确的字库数据填充。

设计要求

现有如下 ROM 组件，4 片 4K32 位 ROM ，7 片 16K32 位 ROM，请在 Logisim 平台构建 GB2312 汉字编码的 1616 点阵汉字字库，电路输入为汉字区号和位号，电路输出为 8×32 位（ 1616=256 位点阵信息），待完成的字库电路输入输出引脚见后图，具体参见工程文件中的 storage.circ 文件，图中左侧是输入引脚，分别对应汉字区位码的区号和位号，中间区域为 8 个 32 位的输出引脚，可一次性提供一个汉字的 256 位点阵显示信息，右侧是实际显示区域，用于观测汉字显示是否正常。待完成字库子电路封装已经完成，请勿修改以免影响后续自动测试功能。
####电路框架
storage.circ

方案设计

字扩展：加存储器中字的数量。静态存储器进行字扩展时，将各芯片的地址线、数据线、读写控制线相应并联，而由片选信号来区分各芯片的地址范围。
位扩展：用多个存储器器件对字长进行扩充。位扩展的连接方式是将多片存储器的地址、片选CS、读写控制端R/W相应并联，数据端分别引出。
设计思路：根据实验要求，要将4片4K32 位 ROM通过字扩展扩展成一片16K32位ROM，已给电路中地址线的位数是14位，因此将低12位地址通过分线器引出，用来将4片4K32位的ROM并联，数据端D分别与数据线相连。将14位地址线的高两位通过分线器引出连接多路选择器的选择端，四个4K32位ROM的数据端与多路选择器数据端相连，字扩展完成。
实验电路图：

实验步骤

弄清实验目的，查看实验电路。
复习字扩展与位扩展。
设计并连接实验电路。
测试。

故障与调试

电路连接完成后忘记从参考字库中复制字库。

测试与分析

实验总结

通过本次实验，我对之前学习的字扩展与位扩展进行了复习并加深了理解，本次实验使我受益匪浅。

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