场效应管（MOSFET）的等效电路

以NMOS为例

图1示为沟道场效应管的输出特性曲线

图1N沟道场效应管的输出特性曲线

图2示一个N沟道场效应管的等效电路，其中电容Cgs，Cgd，Cds分别为MOSFET栅源电容、栅漏电容(米勒电容)及漏源电容，是MOSFET的寄生电容，可以从元器件数据手册中查得。

图2 N沟道场效应管等效电路

场效应管在栅极电压控制下的导通过程分为四个阶段：

第一阶段：t0～t1，栅极电压上升到开启电压，栅极绝大部分的电流都在给 Cgs充电，这个阶段功率MOSFET处于微导通状态；

第二阶段：t1～t2，栅极电压将从开启电压上升到米勒平台电压，场效应管器件从开始导通到工作在可变电阻区，漏极电流与栅极电压之间的特性叫做转移特性，栅极电流分别流入寄生电容Cgs和Cgd，MOSFET的输出漏极电流由0随电压的电压开始上升；

第三阶段：t2～t3，栅极电压上升至米勒平台电压，场效应管完全开通，漏极电流达到饱和并维持恒定，此时，功率MOSFET工作于饱和区；

第四阶段：t3～t4，栅极电流继续对电容Cgs和Cgd充电，栅极电压继续增大直至达到驱动电路提供的电压，此时功率MOSFET完全开通。

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