CMOS与CCD的区别是什么？

**CMOS与CCD对比**
	CMOS	CCD
成像原理	光电转换
工艺难度	工艺简单	工艺较为复杂
成本高低	成本低廉	成本较高
像素高低	相比较低	相对较高

ISO感光度差异：由于CMOS每个画素包含了放大器与A/D转换电路(模拟/数字转换电路)，过多的额外设备压缩单一画素的感光区域的表面积，因此在相同画素下，同样大小之感光器尺寸，CMOS的感光度会低于CCD。
成本差异：CMOS应用半导体工业常用的MOS，可以一次整合全部周边设施于单芯片中，节省加工芯片所需负担的成本和良率的损失；相对地 CCD采用电荷传递的方式输出信息，必须另辟传输信道，如果信道中有一个画素故障，就会导致一整排的信号无法传递，因此CCD的良率比CMOS低，加上另辟传输通道和外加ADC等周边，CCD的制造成本相对高于CMOS。
分辨率差异：在第一点‘感光度差异’中，由于CMOS每个画素的结构比CCD复杂，其感光开口不及CCD大，相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时，CCD感光器的分辨率通常会优于CMOS。
噪声差异：由于CMOS每个感光二极管旁都搭配一个ADC放大器，如果以百万画素计，那么就需要百万个以上的ADC放大器，虽然是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对比单一个放大器的CCD，CMOS最终计算出的噪声就比较多。
功耗差异：CCD操作电压5-15V，消耗功率2-5W；CMOS操作电压3-5V，消耗功率20-50mW

引言

CMOS与CCD作为成像器件，是将光信号通过相关元器件转化为电信号，主要用于各类电子产品的成像模块中，最典型的就是相机设备！

相同点

都是通过使用硅感光二极管（photodiode）进行光与电的转换，将光信号转换为电信号。

不同点

互补式金属氧化半导体 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)

CMOS 成像器的特点是体积小重量轻，使用时的功耗较小，性能比较稳定，寿命也比较长，有很好的抗冲击和抗震动的效果。而且其灵敏度较高，噪声比较小，反映的速度也很快，对图像处理后，图像的变形量较小，不会出现残相。还有就是它适合大规模的集成生产，生产成本也比较低。

原理——CMOS图像传感器是一种典型的固体成像传感器，通常由像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成这几部分通常都被集成在同一块硅片上。其工作过程一般可分为复位、光电转换、积分、读出几部分。

Im——详解CMOS图像传感器的工作原理-电子发烧友网https://www.elecfans.com/d/1201507.html

光电耦合组件 CCD(Charge Coupled Device)

CCD成像器的特点是 , 它有着非常高的集成性，照片的读取速度也很快，但是他的噪音比较大，再加上 CCD图像传感器中的集成度比较高，内部的各元件的距离很近，所有会相互干扰，对相机的成像质量造成一定的影响。每一列的像素点都是串联相关的，当一个像素点出现问题时，会导致该一列的像素都出现问题。

CCD的工作原理_电荷_移位_电压https://www.sohu.com/a/545600960_120200283CCD的突出特点是以电荷作为信号的载体，不同于大多数以电流、电压为信号载体的器件。

视频简述：【回形针化】CMOS与CCD有何不同_哔哩哔哩_bilibili