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ASE0510SH在SOT-89封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为140mΩ,是一款N沟道中低压MOS管。ASE0510SH的最大脉冲正向电流ISM为15A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE0510SH功耗(PD)为2W。ASE0510SH的电性参数是:正向电流(Io)为5A,漏极-源极击穿电压为100V,二极管正向电压(VSD)为1.2V,其中有3条引线。

ASE0510SH参数描述

型号:ASE0510SH

封装:SOT-89

特性:N沟道中低压MOS管

电性参数:5A 100V

正向电流(Io):5A

静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):140mΩ

功耗(PD):2W

二极管正向电压(VSD):1.2V

最大脉冲正向电流ISM:15A

零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA

工作温度:-55~+150℃

引线数量:3

ASE0510SH是SOT-89封装系列。它的本体长度为2.5mm,加引脚长度为4.1mm,宽度为4.5mm,高度为1.49mm,脚间距为1.5mm。

以上就是关于ASE0510SH-ASEMI的MOS管ASE0510SH的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

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