工业相机CCD与CMOS

工业相机的核心器件在于其感光芯片，主要分为 CCD 或 CMOS 传感阵列两种类型。

CCD 为电荷耦合器件（Charge Coupled Devices)的英文简称，与以电流电压为信号载体的器件不同，它以电荷作为信号载体。金属-氧化物-半导体（即 MOS）结构为 CCD 的基本单元，在半导体和金属栅电极间加上电压，可产生能存储电荷的势阱。CCD 主要包括光敏区和存储区。当相机曝光后，光敏区将光信号转换为电荷阵列；在场消隐期间或帧消隐期间，电荷可迅速转移到存储区域的电荷移位寄存器中；最后，电荷可在时钟脉冲控制下，电荷从寄存器中读出，转化成电压信号并放大输出。 CMOS 为互补金属氧化物半导体（ Complementary Metal Oxide Semiconductor）的英文简称，CMOS 阵列采用集成电路工艺中基本的 CMOS 工艺，外围芯片可轻易集成至传感器芯片中，因此成本得以降低，且功耗低于 CCD传感器；但 CMOS 阵列中每个像素包括感光二极管、放大器和读出电路，放大器因是基于模拟电子技术，各个放大器输出结果难以一致，这与 CCD 传感器水平寄存器输出端只具有一个放大器相比，CMOS 阵列所获信号噪声要更大些，成像质量有所降低。

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