STM32 TIM高级定时器死区时间的计算
STM32 TIM高级定时器的互补PWM支持插入死区时间,本文将介绍如何计算以及配置正确的死区时间。
文章目录
- 什么是死区时间?
- 数据手册的参数
- 如何计算合理的死区时间?
- STM32中配置死区时间
什么是死区时间?
PWM
是脉冲宽度调制,在电力电子中,最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。
对三相电来说,就需要三个桥臂。以两电平为例,每个桥臂上有两个电力电子器件,比如IGBT
。大致如下图所示;
这两个IGBT
不能同时导通,否则就会出现短路的情况,从而对系统造成损害。
那为什么会出现同时导通的情况呢?
因为开关元器件的tdont_{don}tdon和tdofft_{doff}tdoff严格意义并不是相同的。
所以在驱动开关元器件门极的时候需要增加一段延时,确保另一个开关管完全关断之后再去打开这个开关元器件,通常存在两种情况;
- 上半桥关断后,延迟一段时间再打开下半桥;
- 下半桥关断后,延迟一段时间再打开上半桥;
这样就不会同时导通,从而避免功率元件烧毁;死区时间控制在通常的单片机所配备的PWM中都有这样的功能,下面会进一步介绍。
相对于PWM来说,死区时间是在PWM输出的这个时间,上下管都不会有输出,当然会使波形输出中断,死区时间一般只占百分之几的周期。但是当PWM波本身占空比小时,空出的部分要比死区还大,所以死区会影响输出的纹波,但应该不是起到决定性作用的。
另外如果死区设置过小,但是仍然出现上下管同时导通,因为导通时间较短,电流较小,不足以烧毁,此时会导致开关元器件发热严重,所以选择合适的死区时间尤为重要;
数据手册的参数
这里看了一下NXP
的IRF540
的数据手册,栅极开关时间如下所示;
然后找到相关的tdont_{don}tdon,tdfft_{dff}tdff,trt_rtr,tft_ftf的相关典型参数;
- tdont_{don}tdon:门极的开通延迟时间
- tdofft_{doff}tdoff:门极的关断延迟时间
- trt_rtr:门极上升时间
- tft_ftf:门极下降时间
下面是一个IGBT
的数据手册;
下图是IGBT
的开关属性,同样可以找到tdont_{don}tdon,tdfft_{dff}tdff,trt_rtr,tft_ftf等参数,下面计算的时候会用到;
如何计算合理的死区时间?
这里用tdeadt_{dead}tdead表示死区时间,因为门极上升和下降时间通常比延迟时间小很多,所以这里可以不用考虑它们。则死区时间满足;
Tdead=[(Tdoffmax−Tdonmin)+(Tpddmax−Tpddmin)]∗1.2T_{dead}=[(T_{doffmax}-T_{donmin})+(T_{pddmax}-T_{pddmin})]*1.2Tdead=[(Tdoffmax−Tdonmin)+(Tpddmax−Tpddmin)]∗1.2
- TdoffmaxT_{doffmax}Tdoffmax :最大的关断延迟时间;
- TdonminT_{donmin}Tdonmin :最小的开通延迟时间;
- TpddmaxT_{pddmax}Tpddmax :最大的驱动信号传递延迟时间;
- TpddminT_{pddmin}Tpddmin :最小的驱动信号传递延迟时间;
其中TdoffmaxT_{doffmax}Tdoffmax 和TdonminT_{donmin}Tdonmin正如上文所提到的可以元器件的数据手册中找到;
TpddmaxT_{pddmax}Tpddmax 和 TpddminT_{pddmin}Tpddmin 一般由驱动器厂家给出,如果是MCU
的IO
驱动的话,需要考虑IO
的上升时间和下降时间,另外一般会加光耦进行隔离,这里还需要考虑到光耦的开关延时。
STM32中配置死区时间
STM32的TIM
高级定时器支持互补PWM
波形发生,同时它支持插入死区时间和刹车的配置。
直接看参考手册里的寄存器TIMx_BDTR,这是配置刹车和死区时间的寄存器;
可以看到死区时间DT由UTG[7:0]决定,这里还有一个问题是TDTST_{DTS}TDTS是什么?
在TIMx_CR1的寄存器可以得知,tDTSt_{DTS}tDTS由TIMx_CR1寄存器的CKD决定;如果这里配置成00,那么tDTSt_{DTS}tDTS和内部定时器的频率相同,为8M
;
结合代码做一下计算;系统频率为72M,下面是时基单元的配置;
#define PWM_FREQ ((u16) 16000) // in Hz (N.b.: pattern type is center aligned)
#define PWM_PRSC ((u8)0)
#define PWM_PERIOD ((u16) (CKTIM / (u32)(2 * PWM_FREQ *(PWM_PRSC+1))))
TIM_TimeBaseStructInit(&TIM1_TimeBaseStructure);/* Time Base configuration */TIM1_TimeBaseStructure.TIM_Prescaler = 0x0;TIM1_TimeBaseStructure.TIM_CounterMode = TIM_CounterMode_CenterAligned1;TIM1_TimeBaseStructure.TIM_Period = PWM_PERIOD;TIM1_TimeBaseStructure.TIM_ClockDivision = TIM_CKD_DIV2;
PWM的频率是16K
,注意这里的PWM是中央对齐模式,因此配置的时钟频率为32K
;
下面时刹车和死区时间,BDTR寄存器的配置,因此这里的CK_INT
为32M
#define CKTIM ((u32)72000000uL) /* Silicon running at 72MHz Resolution: 1Hz */
#define DEADTIME_NS ((u16) 500) //in nsec; range is [0...3500]
#define DEADTIME (u16)((unsigned long long)CKTIM/2 \*(unsigned long long)DEADTIME_NS/1000 000 000uL)
TIM1_BDTRInitStructure.TIM_OSSRState = TIM_OSSRState_Enable;TIM1_BDTRInitStructure.TIM_OSSIState = TIM_OSSIState_Enable;TIM1_BDTRInitStructure.TIM_LOCKLevel = TIM_LOCKLevel_1; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_DeadTime = DEADTIME;TIM1_BDTRInitStructure.TIM_Break = TIM_Break_Disable;TIM1_BDTRInitStructure.TIM_BreakPolarity = TIM_BreakPolarity_High;TIM1_BDTRInitStructure.TIM_AutomaticOutput = TIM_AutomaticOutput_Disable;
例:若TDTS = 31ns(32MHZ),可能的死区时间为:
0到3970ns,若步长时间为31ns;
4000us到8us,若步长时间为62ns;
8us到16us,若步长时间为250ns;
16us到32us,若步长时间为500ns;
如果需要配置死区时间 1000ns,系统频率72,000,000Hz
,那么需要配置寄存器的值为;
VREG=1000ns31=32V_{REG} = \cfrac{1000ns}{31} = 32 VREG=311000ns=32
直接写成宏定义的形式
#define DEADTIME (u16)((unsigned long long)CKTIM/2 \*(unsigned long long)DEADTIME_NS/1000 000 000uL)
用示波器验证了一下,结果正确;
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