一、工艺库介绍的相关文件

二、bipolar

可以设置射极的大小和并联个数（multiplier）

三、mos

total_width = fingers * finger_width

低阈值电压mos：适用于高速高频，电源电压低（电压余度小），但漏电流大

nt管：阈值电压接近于0v，大漏电流

射频mos管（dnw是带深n井的nmos）

四、电阻

扩散产生的电阻：精度差（带sab是电阻率增强的）

金属电阻：小电阻，起连接作用

n阱电阻：工艺偏差大

poly电阻：最常用
rh：高电阻
sab：高电阻率
3t：三端器件

multipler并联的个数；segment：每一个由多少节组成；segment connectivity：节之间是并联还是串联；sheet resistance：方块电阻（就能看出电阻率大小）

并联时，两节的上下两端是连在一起的

串联时上下两端是盘龙式的，显示的阻值是串并联后的总阻值

五、电容

电容：mim、mom和射频电容

mim3:3代表单位面积电容是3mF/m2，电容=widthlength单位面积电容，总电容=widthlength单位面积电容*multipler。

mom15：用metal1到metal5做的电容。电容=number of fingers * finger length * 单位面积电容，总电容=width * length * 单位面积电容 * multipler。

六、电感

电感只用于射频。pgs：带屏蔽层。增加Q值；diff：差分电感；ind：单端电感

inner radius：线圈内径
coil turns：圈数

七、变容mos、二极管

pvar:变容mos
pvardio:变容二极管

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