晶豪（ESMT）nand flash对内存页的读取、ECC校验 F59L2G81A

nand flash(F59L2G81A)

包含2048block, 1 block = 64 pages; 1 page = 2 KB + 64Bytes. 1 device = (2K+64) Bytes * 64 pages * 2048 blocks = 2112 Mbits

Array Address
	I/0 0	I/0 1	I/0 2	I/0 3	I/0 4	I/0 5	I/0 6	I/0 7	Address
1st	A0	A1	A2	A3	A4	A5	A6	A7	Column Address
2nd	A8	A9	A10	A11	0	0	0	0	Column Address
3rd	A12	A13	A14	A15	A16	A17	A18	A19	Row Address
4th	A20	A21	A22	A23	A24	A25	A26	A27	Row Address
5th	A28	0	0	0	0	0	0	0	Row Address

NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。 Column Address : 每页包含2K + 64，需要12bit表示(A[11:0])， Row Address : 每块包含64页，需要6bit表示(A[17:12])；包含2048块，需要10bit表示(A[27:18])

烧写数据：write 80h —— write Address(2个列周期，3个行周期) —— write data —— write 10h

擦除数据：write 60h —— write Block Address —— write D0h

读取数据：write 00h —— write Address —— write 30h —— read data —— ECC 校验

flash特性：1. 块擦除，页读写
2. Nand Flash芯片每一位只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前一定要将相应块擦除（擦除就是将相应块的位全部变为1 )
3. OOB部分的第六字节（即517字节）标志是否坏块，如果不是坏块该值为FF，否则为坏块

ECC校验

对于本flash每页大小为2K，另有64Bytes的oob区。当往该页写入数据时，采用4bit BCH算法进行 ECC校验，每512字节产生一组ECC校验和保存到oob区的相应位置。每512字节数据需要至少7字节oob区来存储产生的ECC值(根据BCH算法计算所得)，所以每页需占用28字节存储生成的ECC，一般将计算所得ECC值保存在oob区尾部（即oob区的37至64字节）。读取数据时，分别读出数据并计算ECC值，读取flash中储存的ECC值两者相比较，进行ECC校验与修正。

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