MP40N120-ASEMI场效应管MP40N120
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MP40N120采用的TO-247封装,是一款沟槽栅场截止型IGBT场效应管。MP40N120的脉冲集电极电流(ICM)为60A,最大功耗(PD)为320W,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MP40N120的开启延迟时间(td(on))为181NS,关断延迟时间(td(off))为255NS。MP40N120的电性参数是:漏源电压(VDSS)为1200V,栅源电压(VGSS)为±20V,集电极电流(IC)为40A,二极管正向电压(VSD)为1.9V,二极管反向恢复时间(trr)为55NS,其中有3条引线。
MP40N120参数描述
型号:MP40N120
封装:TO-247
特性:沟槽栅场截止型IGBT
电性参数:40A 1200V
漏源电压(VDSS):1200V
栅源电压(VGSS):±20V
集电极电流(IC):40A
脉冲集电极电流(ICM):60A
最大功耗(PD):320W
开启延迟时间(td(on)):181NS
关断延迟时间(td(off)):255NS
二极管正向电压(VF):1.9V
工作温度:-55~+150℃
二极管反向恢复时间(trr):55NS
引线数量:3
MP40N120场效应封装系列。它的本体长度为21.2mm,加引脚长度为41.6mm,宽度为16.0mm,高度为5.2mm,脚间距为5.65mm。
以上就是关于MP40N120-ASEMI场效应管MP40N120的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。
ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
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