有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题要点

有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题这是我第一次用IR2104有一些疑问希望各位师傅能不吝赐教电机驱动电压为170V，频率40KHZ，电流3A的矩形波电路图如下所示自举电容C3,C4和Q1,Q2,Q3,Q4该如何选择？U1,U2前边是否要加隔离电路？谢谢啦！

170v要加光耦了，自举电容1uf低ESL低ESR即可。

是在U1,U2前加的吧

恩，前面加~

為什麼要加上D3,D4,D5和D6?有何作用?

為什麼要加上D3,D4,D5和D6? "dead time management.

为mos管放电提供‘低’的回路??最好再给mosfet的gs间加个10k的电阻

不过有位师傅说限流电阻为33欧姆所以D3,D4,D5，D6加不加无所谓是这样吗？

电路图参数已选定，大家帮看看是否合适

1N4004和10K其实也可以省~

能具体说一下吗？10K电阻不是确保：关机后栅极存储的电荷通过10K电阻迅速释放，以保证电荷的迅速释放的吗？还有1N4004呢？谢谢了！

10K不能省，1N4004还是省下来吧，也好几毛钱了NMOS附送的二极管比1N4004高级的多

我也认为10K不能省觉得 adcr 老稻说的比较又道理

都不能省。10K电阻是用来保护GS在关断时不被击穿，而1N4004是续流用的，不能省，这里建议1N4004换成MUR160以上的快速恢复二极管

我还想问下各位师傅自举电容C3,C4应该没有耐压要求吧

如果反并联续流管是不是应该注意正向压降问题。如果你并的压降比体二极管压降大岂不是悲剧了…肖特基或者“同步续流”？

请教下GS间10K电阻的作用

LZ,我按你的图改改，自己做了块。上面半桥是正常的，但是下面那半路中MOS管一上电就有1A多的电流输出。很奇怪，电路没地方短路，2104两端输出均正常。原理图如下。

自举电容1uf低ESL低ESR即可。

20楼的图，下面的那半桥，为什么HO接到低端MOS，LO接到了高端MOS呢？

有没有谁做过用220V ac整流堆整流流出来，然后用ir2104驱动mos管驱动电机的兄弟呢？

请问不加光耦有什么后果？

0楼歪才，想用一个信号来控制2个2104，(正相和反相)，但LO和HO输出电平不一样的，正确做法是一片2104的信号输入端加反相器

Nmos不是自己带了一个二极管了吗，为什么还要再加一个续流二极管呢

你好，我想问一下为什么1N4004不能省，不是NMOS内部不是已经加了二极管了吗

你好，我想问一下为什么1N4004不能省，不是NMOS内部不是已经加了二极管了吗...如果内部有的话可以省掉，自举回路的二极管要用MUR系列的，比较合适

如果内部有的话可以省掉，自举回路的二极管要用MUR系列的，比较合适但是我看到有的资料也说MOS内部的二极管是由于寄生作用产生的，性能不是很好。但是在看MOS管的数据手册时(比如IRF3205)，其内部的二极管可以持续通过电流110A，性能很好。这使我比较迷惑，你能解答一下吗？

10K可以不要。

用主动升压,C3,C4也可以省

有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题

用主动升压,C3,C4也可以省兄台能不能给推荐个电路 主动升压能满占空比吗

驱动供电的地方最好加一个1000uf的电解电容

我的电路图是有一点问题的，首先把接在VB上的二极管换成了快速恢复的FR307，然后在电源上接了电解电容，在V ...大神，你这个电路驱动有没有成功啊，怎么我和你的电路一样，没有成功啊

关于IR2104s 自举电容的取值问题

关于 HYPERLINK "/icstock/341/%3Ca%20target=" \t "_blank" IR2104S.html"> HYPERLINK "/icstock/341/IR2104S.html" \t "_blank" IR2104S?自举电容的取值问题最近用到 HYPERLINK "/icstock/341/IR2104S.html" \t "_blank" IR2104S这个芯片来驱动H桥。查了一些资料和很多人画的电路，都说自举电容的取值对芯片是否能够正常工作有很大的影响。但是不同的人设计的电路在其他参数类似的情况下，自举电容的取值却又不太统一。有没有使用过这个芯片的高人，指点一下究竟应该如何来取这个自举电容的值。比较合适。链接中是我找到的一个关于如何来取这个电容值得文章，但是公式中有很多参数诸如Icbs，Vls，Vmin代表的意义不是很清楚。请大家指点。

通常按 HYPERLINK "/icstock/615/10UF.html" \t "_blank" 10UF取值即可

用 HYPERLINK "/stock-ic/0.1UF.html"