【模拟电子技术基础】本章讨论问题答案2
第一章 常用半导体器件
为什么采用半导体材料制作电子器件？
答：在形成晶体结构的半导体中，认为的掺入特定的杂质元素时，导电性能具有可控性，并且，在光照和热辐射条件下，其导电性还有明显的变化，这些特殊的特性就决定了半导体可以制成各种电子器件
《模拟电子技术基础（第五版）》P8
空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？
答：运载电荷的粒子称为载流子。导体导电只有一种载流子，即自由电子导电，而本征半导体有二种载流子，即自由电子和空穴均参与导电，这时半导体导电的特殊性质
由于自由电子和空穴所带的电荷极性不同，所以它们的运动方向相反，本征半导体的电流时二个电流之和
《模拟电子技术基础（第五版）》P9
什么是N型半导体？什么是P型半导体？当两种半导体制作在一起时会产生什么现象
答：在纯净的硅晶体中掺入五阶元素（如磷）使之取代晶格硅原子的位置，就形成了N型半导体；
在纯净的硅晶体中掺入三阶元素（如硼）使之取代晶格硅原子的位置，就形成了P型半导体；将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界就形成了PN结，PN结具有单向导电性。
《模拟电子技术基础（第五版）》P10
PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向导电性？在PN结加反向电压时果真没有电流吗？
答：PN结上的电压与电流不符合欧姆定律。当PN结外加正向电压时，电流随电压按指数规律变化；当PN结加反向电压时，电流约等于反向饱和电流。
如果在PN结的两端外加电压，就将破环原来的平衡状态，此时，扩散电流不再等于漂流电流，因而PN结将有电流流过。当外加电压极性不同时PN结表现出截然不同的导电性，即呈现单向导电性。
当电源的正极（或正极串联电阻后）接到PN结的N端，且电源的负极（或负极串联电阻后）接到PN结的P端时称PN结外加反向电压，也称反向接法或反向偏置，此时外电场使用空间电荷区变宽，加强了内电场，阻止扩散运动的进行，而加剧了漂移运动的进行形成了反向电流，也称为偏移电流。
《模拟电子技术基础（第五版）》P11
晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它们都可以用来放大？
答： 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic。主要是通过电流分配关系。IE=IC+IB，IC=βib，改变基极电流，也就改变了集电极电流。
场效应管是通过加在栅极和源极之间的电压，来控制漏极电流。晶体管为小的基极电流可以控制大的集电极电流，场效应管放大原理“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID。
为什么半导体器件的参数受温度的影响呢？
答：由于半导体材料的热敏性，晶体管的参数几乎都与温度有关。
《模拟电子技术基础（第五版）》P30
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