写给大忙人的模电复习资料（001）

一、半导体的基础知识

本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
本征激发：本征半导体在升高温度或光照的条件下产生本征激发，导致自由电子数 = 空穴数。但在绝对零度时无本征激发。
本征激发产生了空穴，空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。
杂质半导体

N型半导体：在半导体中加入少量的例如五价元素磷，导致其失去电子，使得半导体中多子为自由电子。此处磷称为施主元素（施出电子）。
P型半导体：在半导体中加入少量的例如三价元素硼，导致其吸收自由电子，使得半导体中多子为空穴。此处硼称为受主元素（接受电子）。

二、PN结

百度百科上的这个图很详细：

PN结 = 阻挡层 = 耗尽层
基本特性：单向导电性
形成一个由N区指向P区的内电场
漂移电流：内电场使得载流子运动产生的电流
扩散电流：载流子由高浓度向低浓度扩散产生的电流
PN结的伏安特性
iD=IS(eVDVT−1)i_{D}=I_{S}\left(e^{\frac{V_{D}}{V_{T}}}-1\right)iD=IS(eVTVD−1)
这个公式，你嫌麻烦可以不用记，在用的时候找一下就行。但是里面的这些变量的含义你要知道，这在后面经常用到：
iDi_{D}iD:二极管的电流
ISI_{S}IS:反向饱和电流（少子形成）
VDV_{D}VD:外加的电压
VTV_{T}VT:与温度有关，一般取26mv
上面的含义，你可以改变外加电压的大小，自己体会一下。
rdr_{d}rd:交流电阻，与温度有关
二极管必须在击穿电压的23\frac{2}{3}32以下使用
雪崩击穿：形成原因：载流子运动路程长，则动能就大，撞击下一个载流子时更容易引起产生新的空穴和自由电子。因此温度升高时，载流子运动的路程变短，需要较高的电压才能击穿，即具有正温度系数。
齐纳击穿：形成原因：载流子浓度大，且阻挡层较薄。升高温度时，载流子躁动不安，更容易引起碰撞产生新的空穴和自由电子，只需较低电压即可击穿，即具有负温度系数。
以上两种击穿是可逆的！
特殊的二极管

最常考:稳压二极管：工作在反向电压下，在反向击穿时电压变化量较大，但是电流变化较小。
选频：变容二极管：控制直流电压进而控制二极管的结电容进而控制谐振频率。
肖特基二极管：电容效应较小，工作速度快，适用于开关状态。
光电二极管

三、双极结型晶体管及放大电路

双极：两种载流子
一般都是分析左边的NPN型
放大电路：一般分析共射极，如下图所示
判断方法：看输入输出分别连的是哪一极，那么剩下的那一极就是共有的。
画交流通路（与小信号等效模型不同）

直流电压源：短路
直流电流源：开路

三极管交流小信号模型

rbe=200Ω+(1+β)26mvIer_{be} = 200\Omega + (1 + \beta)\frac{26mv}{I_{e}}rbe=200Ω+(1+β)Ie26mv
ic=βibi_{c} = \beta i_{b}ic=βib
放大电路的静态工作点稳定的问题
以下面这个共射放大电路为例

当温度升高时IQI_{Q}IQ上升，导致IEQI_{EQ}IEQ，进而导致VEV_EVE上升，故VBEQV_{BEQ}VBEQ减小，导致IBQI_{BQ}IBQ降低，最终又导致IQI_{Q}IQ降低。
其电压增益为AV=−βRL′rbe+(1+β)REA_V=- \frac {\beta{R^{'}_{L}}}{r_{be} + (1+\beta)R_E}AV=−rbe+(1+β)REβRL′
输入电阻为Ri=RB1//RB2//[rbe+(1+β)RE]R_i = R_{B1}//R_{B2}//[r_{be}+(1+\beta)R_{E}]Ri=RB1//RB2//[rbe+(1+β)RE]
输出电阻为Ro=RCR_o = R_CRo=RC
共集电极放大电路（射极跟随器）
电压增益约为1，输入电阻大，输出电阻小
共基极放大电路
输入电阻小，输出电阻大，频率特性好（高频时，或者宽带电路都可以使用）
组合放大电路
共射-共基放大电路，共集-共极放大电路等；
重点：管型与第一个管型相同
LAST

写给大忙人的模电复习资料（001）相关推荐

“魔”电复习指南（一）
模电最近从电脑中看到了以前复习模电的资料.也拿出来总结一下,自己重温一遍. 模电学的时候,感觉迷迷糊糊,其实仔细想,会发现学习的主要就围绕着两个方面,一是放大,二是反馈. 先对进行知识总结概括. 半 ...
5y计算机应用选择题答案,2016年电大网考计算机应用基础统考试题模拟真题及答案含小抄复习资料推荐.docx...
2016年电大网考计算机应用基础统考试题模拟真题及答案含小抄复习资料推荐电大计算机应用基础1一.单选题1.第一台电子计算机是1946年在美国研制成功的,该机的英文缩写名是______.答案: A ...
5y平台计算机应用测试题,2016电大网考计算机应用基础统考试题模拟真题及答案含小抄复习资料.docx...
2016电大网考计算机应用基础统考试题模拟真题及答案含小抄复习资料电大计算机应用基础1一.单选题1.第一台电子计算机是1946年在美国研制成功的,该机的英文缩写名是______.答案: A A:E ...
电子测量与仪器第四版pdf_电子技术经典资料汇总：模电篇800M
电子技术经典资料汇总:模电篇800M,不仅有模电篇,还有其他的电子技术的资料汇总,基础资料1.6G,嵌入式开发12.9G,PCB设计篇等等都做了汇总的资料,在闯客网技术论坛上有电子工程师应有尽有的资料 ...
1000份电子技术（模电、数电、电子元件、电路视频教程）全套资料！
小编花了一周的时间精心整理了电子技术(模电.数电.电子元件.电路视频教程)全套资料!赶紧收藏吧! 里面包含的资料如下: 模电.数电及电路学习电子设计100例 800个电子设计竞赛毕业设计产品电路基 ...
电分、模电、数电总复习之爱课堂题目概念整理
本文模电数电部分转载自博客园_模电数电爱课堂概念题整理模电.数电总复习之爱课堂题目概念整理电分总复习之爱课堂题目概念整理(原创)(不定期更新) 模电总复习之爱课堂题目概念整理 Chapter 1 ...
西电计科模电期末复习提纲+一些个人笔记
博主当时模电96,这里是我当时复习的时候做的一些笔记,供各位学弟学妹复习时参考~
复习总结：模拟电子技术（模电）
说明:本篇笔记仅针对模电中二极管.三极管的核心知识进行了整理总结.我认为这些知识是模电的灵魂,掌握了它们,运算放大器.MOS管等其它部分就都比较容易掌握了.
模电笔记（手写版）——郑益慧老师主讲
本学期本人将开始模电的学习,在学习过程中利用云记记录了一些笔记,在此分享,希望大家相互交流,欢迎批评指正.(后续可能也会更新概率论和计网相关笔记) 待笔记整理完后,将会上传完整版笔记的PDF(敬请期待 ...

写给大忙人的模电复习资料（001）

一、半导体的基础知识

二、PN结

三、双极结型晶体管及放大电路

写给大忙人的模电复习资料（001）相关推荐

最新文章

热门文章