DDR3和FLASH 基于ARTY A7的MicroBlaze系统搭建与应用

说明
实验过程
- 搭建microblaze
- 打开vitis
- flash烧写（重点）
- - 验证
  - - 细节注意

说明

一般芯片是用内部存储，但是内部存储空间是有限的。
所以在嵌入式开发过程中，需要用到外部设备DDR3。
QSPI FLASH是为了将程序固化，固化之后每次都可以上电后对程序进行烧写。

实验过程

本实验所用软件为vivado 19.2版本和vitis软件

搭建microblaze

（1）建立工程，打开bd设计

（2）确定系统的时钟
确定时钟信号，复位信号，复位管脚
输出时钟确定，166.167Mhz，200Mhz，50Mhz
复位低电平有效

（3）添加DDR3的ip核
系统时钟（开发的用户手册）166.167Mhz
参考时钟（mig ip核的用户手册）200Mhz
由分配器提供时钟

（4）添加microblaze软核

（5）添加QSPI FLASH IP核
flash的输入时钟为50Mhz

（6）run block automation
32kb，16kb
时钟连接，ui_clk（时钟连接很重要，一定要熟悉每个时钟端口）

（7）添加LED，uart，swtich
波特率:115200

（8）run connection automation

（9）create hdl wrapper 创建封装文件

（10）生成bit流文件（注意硬件文件的导出路径）

打开vitis

（1）新建工程，导入硬件说明文件，其他next，连接开发板

（2）可查看硬件的存储空间，已经是DDR3（mig）了

（3）查看BSP，修改flash为5，这是由板卡上的flash决定的

（4）多了个out of data，即是需要更新了，进行编译

（5）新建工程，作为flash烧录的启动器
此处需要修改硬件平台

（6）编译之后生成一个.elf文件

（7）运行一下应hello，world应用工程

（8）打开串口，run as 运行我们的工程

（9）结果显示，可知工程无误

flash烧写（重点）

（1）目的：每次上电后，开发版自动从flash读取bootloader，之后bootloader加载我们的应用工程，烧写到开发版上运行

（2）首先blconfig这里需要设置flash中的应用工程烧写的偏移量
官方偏移量0x00c00000，编译一下

（3）可以看到其存储空间在local memory中，并不是在DDR3上

（4）已经自动绑定了elf文件，generate，生成download.bit文件
目标：将download.bit文件烧写到flash中

（5）烧写到flash中（时间比较长）
注意：文件为download.bit文件，偏移量为0x00，
flash类型会自动识别，提醒我们的

（6）选择直接烧写flash

（7）bit流文件和之前的一致，偏移量和flash一致
要勾选，将elf文件转变为SREC文件
点击program，固化完成

验证

串口部分，说明已经将程序固化到flash上了

细节注意

（1）时钟的分配
DDR3：166.667MHZ，200MHz
QSPI ：50MHz
Microblaze：DDR3的ui clk时钟

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